【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无线通信，尤其涉及一种提高空心硒化铜盒电磁波吸收性能的方法。
技术介绍
1、在无线通信和军事应用中，对5g电子设备的迅速发展促使研究人员开发ghz频率范围内的电磁波吸收材料。然而，由于其有限的emw(电磁波)衰减机制，仍然存在挑战。为此，人们不断努力提高其电磁响应能力和优化阻抗匹配，包括对形貌、缺陷水平、电子电导率、成分特征和界面结构等参数的精心设计。
2、硒化铜是一种具有高地球丰度的p型半导体。由于它们复杂的结构和价态(如cu0.87se、cuse、cu3se2、cu1.8se、cu2se、cuse2等)导致了一些独特的光学和电学性质，这使其在传感器、太阳能电池、电子开关等诸多领域的应用广泛，且在合成纳米粒子、纳米线和纳米管等不同形貌硒化铜晶体方面，已有大量工作投入。
3、然而，目前所制备的硒化铜材料的电磁波吸收性能仍需进一步提高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种提高空心硒化铜盒电磁波吸收性能的方法，能显著提高硒化铜盒的电磁波吸收性能。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种提高空心硒化铜盒电磁波吸收性能的方法，包括以下步骤：
4、将se粉、na2s和碱液混合，进行水热反应，得到含硒-硫溶液；
5、将cu2o立方体粉和水混合，将所得悬浮液与含硒-硫溶液混合，进行硒化-硫化反应，得到s掺杂空心硒化铜盒。
6、优选的，所述se
7、优选的，所述水热反应的温度为120℃，时间为4h。
8、优选的，所述cu2o立方体粉的制备方法包括：将铜盐、碱、葡萄糖和水混合，进行还原，得到cu2o立方体粉。
9、优选的，所述铜盐包括硫酸铜，所述碱包括氢氧化钠；所述铜盐、碱与葡萄糖的质量比为7.5:3.6:4.2。
10、优选的，所述还原的温度为70℃，时间为30min。
11、优选的，所述含硒-硫溶液中，s2-与se2-的摩尔比为(0.2～5):1且不为5:1。
12、优选的，所述含硒-硫溶液中，s2-与se2-的摩尔比为1:5或3:3。
13、优选的，所述cu2o立方体粉与se粉的摩尔比为3.47:(2.12～6.35)。
14、优选的，所述硒化-硫化反应的温度为室温，时间为5h。
15、本专利技术提供了一种提高空心硒化铜盒电磁波吸收性能的方法，本专利技术采用cu2o立方体作为牺牲模板，通过模板定向原位硒化/硫化反应，在室温下采用湿化学法成功将cu2o微立方转化为cu2-xse空心硒化铜盒，通过s掺杂调节工程，优化空心硒化铜盒的形貌、成分、异质界面、缺陷水平、电导率以及emw吸收性能，调控空心硒化铜盒的结构、组分和复介电常数，通过离子替代和空心立方体结构提高空心硒化铜盒的emw吸收表现，从宽频带、薄厚度、强吸收的角度优化微波吸收特性，进一步提高空心硒化铜盒的emw吸波性能。
16、实施例的结果表明，本专利技术方法所制备的s掺杂空心硒化铜盒在rl强度和eab方面具有明显的优势，s1/石蜡-40wt％的rlmin在2.7mm处为-46.3db，s2/石蜡-40wt％的rlmin在1.9mm处为-44.5db。本专利技术提及的s掺杂调节工程有望推广到其他硫化物/硒化物材料中并得到广泛应用。
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1.一种提高空心硒化铜盒电磁波吸收性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Se粉与碱液的用量比为(2.12～6.35)mmol:50mL；所述碱液的浓度为10mol/L。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水热反应的温度为120℃，时间为4h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cu2O立方体粉的制备方法包括：将铜盐、碱、葡萄糖和水混合，进行还原，得到Cu2O立方体粉。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述铜盐包括硫酸铜，所述碱包括氢氧化钠；所述铜盐、碱与葡萄糖的质量比为7.5:3.6:4.2。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述还原的温度为70℃，时间为30min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硒-硫溶液中，S2-与Se2-的摩尔比为(0.2～5):1且不为5:1。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述含硒-硫溶液中，S2-与Se2-的摩尔比为1:5或3:3。
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