【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于门磁异常检测，尤其涉及一种门磁异常检测的过滤机制与方法。
技术介绍
1、随着移动物联网、智能家居以及传感器技术的飞速发展，智能传感器在人们日常生活当中得到了广泛普及。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是针对
技术介绍
的不足提供一种门磁异常检测的过滤机制与方法；其有效规避传统门磁依赖磁铁相互靠近以及单个传感器频繁出现异常误判的弊端。
2、本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
3、一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：包含门磁主控以及与所述门磁主控连接的门磁磁铁，所述门磁主控包含电池供电单元、低功耗mcu主控、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁；所述电池供电单元、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁分别与低功耗mcu主控连接；
4、其中，电池供电单元，用于给门磁终端的各个模块供电；
5、低功耗mcu主控，用于采集霍尔传感器和干簧管传感器的状态信号；
6、霍尔传感器，用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近、远离自身时通过磁场强度给出电平状态信号；
7、干簧管传感器，用于感应当门打开或者关闭时，磁铁靠近/远离自身时的磁场强度变化给出确定的状态输出；
8、门磁磁铁，用于作为配件安装在门的移动侧，配合门的移动方向，改变霍尔传感器和干簧管传感器感应面的磁场强度。
9、作为本专利技术一种门磁异常检测的过滤机制的进一步优选方案，所述电池供电单元包含电池供电及升压电路单元，
10、作为本专利技术一种门磁异常检测的过滤机制的进一步优选方案，所述霍尔传感器包含电容c207、芯片t203、二极管d208、电阻r217、电阻r218、电容c206、电阻r222、二极管d211、二极管d209和1.8v电压端，电容c207的一端接地，电容c207的另一端分别连接1.8v电压端、芯片t203的接口1，电阻r217的一端、二极管d208的负极，二极管d208的正极分别连接电阻r217的另一端、芯片t203的接口3、电容c206的一端和电阻r218的一端，芯片t203的接口3接地，电容c206的另一端分别连接电阻r222的一端和二极管d211的正极，电阻r222的另一端接地，电阻r218的另一端连接二极管d209的正极。
11、作为本专利技术一种门磁异常检测的过滤机制的进一步优选方案，所述干簧管传感器包含电阻r220、芯片t201、电阻r221、电容c212、电阻r229、二极管d214和3.3v电压端，3.3v电压端连接电阻r220的一端，电阻r220的另一端连接芯片t201的接口1，芯片t201的接口2分别连接电阻r221的一端和电容c212的一端，电阻r221的另一端接地，电容c212的另一端分别连接电阻r229的一端和二极管d214的正极，电阻r229的另一端接地。
12、作为本专利技术一种门磁异常检测的过滤机制的进一步优选方案，所述低功耗mcu主控采用nb主控模块单元。
13、一种基于门磁异常检测的过滤机制的检测方法，具体包含如下步骤哦；
14、步骤1，检测位于主控板边缘的霍尔传感器的状态变化；
15、步骤2，磁铁靠近干簧管传感器到一定距离范围时，主控mcu检测到干簧管传感器状态发生变化；
16、步骤3，若霍尔传感器的变化趋势以及干簧管的电平状态均判定为磁铁靠近门磁主控方向，则此时判断为门的移动方向为关闭；
17、步骤4，当门完全关闭时，主控mcu检测到两种传感器输出电平状态一定时间内保持不变时，即进入休眠状态，节能续航；
18、步骤5，当门处于打开状态时，则位于主控板上的霍尔传感器状态其输出电平发生由低到高的变化，唤醒主控mcu，紧接着主控mcu判断霍尔传感器电平变化，若霍尔传感器的变化趋势以及干簧管传感器的电平状态均判定为磁铁远离门磁主控方向，则此时判断为门的移动方向为打开，同理，当主控mcu检测到两种传感器状态一定时间内一直维持不变时，则进入休眠状态。
19、本专利技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
20、本专利技术利用霍尔传感器在磁铁靠近时的状态渐变过程以及干簧管传感器在磁铁靠近到一定距离时的输出状态确定性，从而精确判断给出门的开/关方向以及最终状态，最终综合判断给出门磁状态，规避传统门磁依赖磁铁相互靠近以及单个传感器频繁出现门磁异常误判弊端。
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1.一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：包含门磁主控以及与所述门磁主控连接的门磁磁铁，所述门磁主控包含电池供电单元、低功耗MCU主控、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁；所述电池供电单元、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁分别与低功耗MCU主控连接；
2.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述电池供电单元包含电池供电及升压电路单元，所述电池供电及升压电路单元包含电阻R202、电容C201、电容C202、电感L201、电阻R203、芯片U201、电阻R201、电容C203、电容C204、VBAT端、3.3V电压端，VBAT端连接电阻R202的一端，电阻R202的另一端分别连接电容C201的一端、电容C202的一端、电感L201的一端、电阻R203的一端、芯片U201的引脚6，电容C201的另一端接地、电容C202的另一端接地，电感L201的另一端连接芯片U201的引脚1，电阻R203的另一端连接芯片U201的引脚3，芯片U201的引脚5分别连接电容C203的一端、电容C204的一端、电阻R201的一端和3.3V电压端，电容C203的另一端接
3.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述霍尔传感器包含电容C207、芯片T203、二极管D208、电阻R217、电阻R218、电容C206、电阻R222、二极管D211、二极管D209和1.8V电压端，电容C207的一端接地，电容C207的另一端分别连接1.8V电压端、芯片T203的接口1，电阻R217的一端、二极管D208的负极，二极管D208的正极分别连接电阻R217的另一端、芯片T203的接口3、电容C206的一端和电阻R218的一端，芯片T203的接口3接地，电容C206的另一端分别连接电阻R222的一端和二极管D211的正极，电阻R222的另一端接地，电阻R218的另一端连接二极管D209的正极。
4.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述干簧管传感器包含电阻R220、芯片T201、电阻R221、电容C212、电阻R229、二极管D214和3.3V电压端，3.3V电压端连接电阻R220的一端，电阻R220的另一端连接芯片T201的接口1，芯片T201的接口2分别连接电阻R221的一端和电容C212的一端，电阻R221的另一端接地，电容C212的另一端分别连接电阻R229的一端和二极管D214的正极，电阻R229的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述低功耗MCU主控采用NB主控模块单元。
6.一种基于权利要求1至5任一项所述的门磁异常检测的过滤机制的检测方法，其特征在于：具体包含如下步骤哦；
...【技术特征摘要】
1.一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：包含门磁主控以及与所述门磁主控连接的门磁磁铁，所述门磁主控包含电池供电单元、低功耗mcu主控、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁；所述电池供电单元、霍尔传感器、干簧管传感器和门磁磁铁分别与低功耗mcu主控连接；
2.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述电池供电单元包含电池供电及升压电路单元，所述电池供电及升压电路单元包含电阻r202、电容c201、电容c202、电感l201、电阻r203、芯片u201、电阻r201、电容c203、电容c204、vbat端、3.3v电压端，vbat端连接电阻r202的一端，电阻r202的另一端分别连接电容c201的一端、电容c202的一端、电感l201的一端、电阻r203的一端、芯片u201的引脚6，电容c201的另一端接地、电容c202的另一端接地，电感l201的另一端连接芯片u201的引脚1，电阻r203的另一端连接芯片u201的引脚3，芯片u201的引脚5分别连接电容c203的一端、电容c204的一端、电阻r201的一端和3.3v电压端，电容c203的另一端接地，电容c204的另一端接地，电阻r201的另一端连接3.3v电压端。
3.根据权利要求1所述的一种门磁异常检测的过滤机制，其特征在于：所述霍尔传感器包含电容c207、芯片t203、二极管d208、电阻r217...
【专利技术属性】
技术研发人员：武建平，周晓燕，王会利，
申请(专利权)人：江苏云巅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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