【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件封装结构，具体涉及一种多芯片器件封装结构，属于半导体。
技术介绍
1、多芯片封装技术是一种将多个半导体芯片封装在同一个封装体内的集成封装技术，其相较于单芯片封装技术，一方面可以实现不同功能芯片的集成和协同工作，使不同芯片之间可以实现高速、低功耗的通信和数据传输，从而提高整体系统的性能和效率；另一方面还可以减少空间占用，进一步降低成本。
2、请参阅图1-图2所示，在现有的一种多芯片封装技术中，是将芯片1和芯片2放置在金属基底3(通常为铜基底)上，其中芯片1是具有源极s1、漏极d1和栅极g1的常开型功率器件，芯片2是具有源极s2、漏极d2和栅极g2的常关型功率器件，并需要将封装的芯片1和芯片2的底部电极连接，但芯片1底部和芯片2底部不能直接电连接，所以需要采用一个绝缘的载板4，该载板4的顶端面导电，而在竖直方向上不导电，在将芯片1、2贴好后，再利用引线5将芯片1、2电连接，使之形成图5所示的cascode电路，其中g、s、d分别是电路的栅、源、漏端，然后用塑料6填充。最后刻蚀底部的金属，让其形成分离的岛31、32、33，岛31、32、33还分别作为封装结构的源、栅、漏端，如图3-图4所示。这种封装结构需要额外的载板4，不仅增加了成本和工艺复杂度，还降低了器件的性能和可靠性。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种多芯片器件封装结构，从而克服现有技术中的不足。
2、为实现前述专利技术目的，本技术采用的技术方案包括：
3、
4、在一个实施例中，每个所述半导体芯片与相应一个导电基底的顶端面电性结合。
5、在一个实施例中，所述多芯片器件封装结构包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一导电基底和第二导电基底，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片分别设置在第一导电基底、第二导电基底上，并且所述第一半导体芯片与第二半导体芯片电连接形成cascode电路结构。
6、在一个实施例中，所述第一半导体芯片通过引线与第二导电基底电连接。
7、在一个实施例中，所述多芯片器件封装结构还包括第三导电基底和/或第四导电基底，所述第一半导体芯片还经引线与第三导电基底电连接，所述第二半导体芯片通过引线与第四导电基底电连接。
8、在一个实施例中，多个所述导电基底由一个导电基板分割形成。
9、在一个实施例中，多个所述导电基底的间隙中填充有封装材料。
10、在一个实施例中，至少一个所述导电基底的底端面形成有槽状结构，所述槽状结构内填充有封装材料。
11、在一个实施例中，至少一个导电基底为指定导电基底，所述指定导电基底的底端面高于与之相邻的其他导电基底的底端面，从而在所述封装结构内形成槽状结构，所述槽状结构内填充有封装材料。
12、在一个实施例中，所述指定导电基底和固定在指定导电基底上的半导体芯片被整体包裹在封装材料内。
13、在一个实施例中，所述导电基底为金属基底，例如为铜基底。
14、在一个实施例中，所述封装材料为封装用树脂材料。
15、与现有技术相比，本技术的多芯片器件封装结构无需使用绝缘载板，利于简化多芯片器件封装结构及其制作工艺，有效降低工艺复杂度和成本，并有助于提升器件的性能和可靠性。
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1.一种多芯片器件封装结构，其特征在于，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一导电基底和第二导电基底，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片分别固定在第一导电基底、第二导电基底上，其中每个半导体芯片与相应导电基底的顶端面电性结合，且多个导电基底彼此间隔设置，所述第一半导体芯片通过引线与第二导电基底电连接，从而使所述第一半导体芯片与第二半导体芯片电连接形成CASCODE电路结构，所述CASCODE电路结构被封装在封装材料内。
2.根据权利要求1所述的多芯片器件封装结构，其特征在于，还包括第三导电基底和/或第四导电基底，所述第一半导体芯片还经引线与第三导电基底电连接，所述第二半导体芯片通过引线与第四导电基底电连接。
3.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：多个导电基底由一个导电基板分割形成。
4.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：多个导电基底的间隙中填充有封装材料。
5.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：至少一个导电基底的底端面形成有槽状结构，所述槽状结构内
6.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：至少一个导电基底为指定导电基底，所述指定导电基底的底端面高于与之相邻的其他导电基底的底端面，从而在所述封装结构内形成槽状结构，所述槽状结构内填充有封装材料。
7.根据权利要求6所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：所述指定导电基底和固定在指定导电基底上的半导体芯片被整体包裹在封装材料内。
8.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：所述封装结构中的导电基底为金属基底。
...【技术特征摘要】
1.一种多芯片器件封装结构，其特征在于，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一导电基底和第二导电基底，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片分别固定在第一导电基底、第二导电基底上，其中每个半导体芯片与相应导电基底的顶端面电性结合，且多个导电基底彼此间隔设置，所述第一半导体芯片通过引线与第二导电基底电连接，从而使所述第一半导体芯片与第二半导体芯片电连接形成cascode电路结构，所述cascode电路结构被封装在封装材料内。
2.根据权利要求1所述的多芯片器件封装结构，其特征在于，还包括第三导电基底和/或第四导电基底，所述第一半导体芯片还经引线与第三导电基底电连接，所述第二半导体芯片通过引线与第四导电基底电连接。
3.根据权利要求1-2任一项所述的多芯片器件封装结构，其特征在于：多个导电基底由一个导电基板分割形成。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：熊康林，
申请(专利权)人：苏州明义微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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