【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及切割用粘合带。
技术介绍
1、在将半导体晶片等加工成半导体芯片并安装于集成电路(ic：integratedcircuit)等半导体装置之前，例如包括如下各工序：在半导体晶片的图案表面粘贴半导体晶片表面保护带或背面研磨基板的工序；对半导体晶片的背面进行磨削而使厚度变薄的工序；将厚度变薄了的半导体晶片安装于切割用粘合带上的工序；从半导体晶片剥离上述的半导体晶片表面保护带或背面研磨基板的工序；通过切割来分割半导体晶片的工序；拾取所分割的半导体芯片的拾取工序；将拾取的半导体芯片接合于引线框架的粘晶工序；用树脂封装粘晶工序后的半导体芯片的模塑工序；等。
2、切割用粘合带不仅在上述切割工序中，也在上述拾取工序中作为半导体芯片的支撑体发挥功能。
3、已知通过激光照射进行上述切割工序的方法。具体而言，已知有如下方法：通过从切割用粘合带侧照射激光，在半导体晶片内部形成成为分割起点的改性区域，然后，使切割用粘合带扩展，从而将改性区域割断而单片化为半导体芯片，该切割方法被称为隐形切割。在隐形切割中，为了对晶片进行高精度的激光照射，另外，为了能够进行外观检查等，对切割用粘合带要求高透明性。
4、专利文献1中提出了一种隐形切割用粘合片，其为具备基材和层积于上述基材的单面侧的粘合剂层的隐形切割用粘合片，其中，在使用热机械分析装置一边以升温速度20℃/分钟从25℃加热至120℃，一边以0.2g的载荷拉伸上述基材的情况下，将从上述基材的60℃时的长度减去上述基材的初始长度而得到的上述基材的变化量设为δl60℃，
5、专利文献2中提出了一种切割片，其为具备基材和层积于上述基材的第1面侧的粘合剂层的切割片，其中，上述基材的第2面的算术平均粗糙度(ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，并且，上述基材的第2面的轮廓最大高度(rz)为3μm以下。该切割片具有适于工件的高倍率拍摄的光线透过性。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：国际公开第2018/083986号
9、专利文献2：国际公开第2018/084021号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、然而，作为将半导体芯片安装于布线基板的方法，已知有倒装芯片连接。在该倒装芯片连接中，在半导体芯片与布线基板之间填充树脂。考虑到作业效率，将所填充的树脂制成ncf(non conductive film，非导电膜)等粘接膜，贴合于切割前的晶片，与晶片同时进行单片化。
3、在使用这样的粘接膜的方法中，在晶片上贴合切割用粘合带后，在晶片的未贴合切割用粘合带的面上贴合粘接膜。更具体而言，该贴合如下进行。将切割用粘合带与晶片的层积体按照切割用粘合带侧与卡盘台接触的方式配置在加热至80℃左右的卡盘台(ct)上，进行真空吸附而固定。在该固定的状态下，在晶片的与切割用粘合带侧相反的一侧贴合粘接膜。本专利技术人进行了研究，结果发现，在上述固定后，切割用粘合带的透射率容易降低，若使用透射率降低的切割用粘合带，则在其后的隐形切割工序中会发生改性区域的蜿蜒等，加工精度容易变差。
4、认为上述透射率的降低是由于高温下的真空吸附导致卡盘台的表面的凹凸被转印到切割用粘合带而使切割用粘合带背面变粗糙。该问题可以通过提高构成切割用粘合带的基材膜的耐热性(熔点等)来改善。但是，高耐热性材料通常刚性高，使用高耐热性材料的切割用粘合带存在扩展割断时的切割用粘合带的扩张性(伸长率)降低的问题。
5、本专利技术是鉴于上述现有技术所存在的问题而进行的，其课题在于提供一种切割用粘合带，该切割用粘合带即使在加热下真空吸附于卡盘台后，对于激光也显示出足够高的透射率，并且扩展割断时的扩张性也优异。
6、用于解决课题的手段
7、本专利技术人为了解决上述课题反复进行了深入的研究，结果发现，对于切割用粘合带的基材膜，即使在使用熔点低的树脂的情况下，通过使针入温度为特定温度以上，并且将表面粗糙度控制为特定值以下，也能够解决上述课题。
8、即，本专利技术的上述课题通过下述手段得以解决。
9、[1]
10、一种切割用粘合带，其为在基材膜上具有粘合剂层的切割用粘合带，其中，上述基材膜的熔点为150℃以下，上述基材膜的与上述粘合剂层相反侧的面a的表面粗糙度ra为0.10μm以下，该面a的针入温度为80℃以上。
11、[2]
12、如[1]所述的切割用粘合带，其中，上述基材膜在-15℃的应力-伸长率曲线中在伸长率50％之前不存在屈服点。
13、[3]
14、如[1]或[2]所述的切割用粘合带，其中，上述基材膜在-15℃的拉伸试验中沿md方向伸长时的伸长率30％时的应力(md应力、s1)(mpa)与沿td方向伸长时的伸长率30％时的应力(td应力、s2)之差的绝对值为4mpa以下。
15、[4]
16、如[1]～[3]中任一项所述的切割用粘合带，其中，上述基材膜由至少2层以上构成，形成有上述粘合剂层的面的针入温度(t1)与未形成上述粘合剂层的面的针入温度(t2)的关系满足[(t2)－(t1)]>0℃。
17、[5]
18、如[1]～[4]中任一项所述的切割用粘合带，其中，上述基材膜包含乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物树脂和离聚物树脂中的至少一种。
19、[6]
20、如[1]～[5]中任一项所述的切割用粘合带，其为隐形切割用粘合带。
21、本专利技术中使用“～”表示的数值范围是指包含“～”前后记载的数值作为下限值和上限值的范围。
22、本专利技术中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和甲基丙烯酸中的一者或两者。对于(甲基)丙烯酸酯也同样。
23、本专利技术中，md方向为膜成膜时的流动方向，td方向为与md方向垂直的方向。
24、专利技术的效果
25、本专利技术的切割用粘合带即使在加热下真空吸附于卡盘台后，对于激光也显示出足够高的透射率，并且扩展割断时的扩张性也优异。
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1.一种切割用粘合带，其为在基材膜上具有粘合剂层的切割用粘合带，其中，所述基材膜的熔点为150℃以下，所述基材膜的与所述粘合剂层相反侧的面A的表面粗糙度Ra为0.10μm以下，该面A的针入温度为80℃以上。
2.如权利要求1所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜在-15℃的应力-伸长率曲线中在伸长率50％之前不存在屈服点。
3.如权利要求1或2所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜在-15℃的拉伸试验中沿MD方向伸长时的伸长率30％时的应力S1亦即MD应力与沿TD方向伸长时的伸长率30％时的应力S2亦即TD应力之差的绝对值为4MPa以下，其中，所述S1的单位为MPa。
4.如权利要求1～3中任一项所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜由至少2层以上构成，形成有所述粘合剂层的面的针入温度T1与未形成所述粘合剂层的面的针入温度T2的关系满足[(T2)－(T1)]>0℃。
5.如权利要求1～4中任一项所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜包含乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物树脂和离聚物树脂中的至少一种。
6.如权利要求1～5中任
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种切割用粘合带，其为在基材膜上具有粘合剂层的切割用粘合带，其中，所述基材膜的熔点为150℃以下，所述基材膜的与所述粘合剂层相反侧的面a的表面粗糙度ra为0.10μm以下，该面a的针入温度为80℃以上。
2.如权利要求1所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜在-15℃的应力-伸长率曲线中在伸长率50％之前不存在屈服点。
3.如权利要求1或2所述的切割用粘合带，其中，所述基材膜在-15℃的拉伸试验中沿md方向伸长时的伸长率30％时的应力s1亦即md应力与沿td方向伸长时的伸长率30％时的应力...
【专利技术属性】
技术研发人员：山川贵纪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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