晶体生长炉制造技术

技术编号:43517087 阅读:11 留言:0更新日期:2024-12-03 12:07
本申请公开了一种晶体生长炉,其包括主炉室、炉盖、副炉室和提拉组件,主炉室围绕形成有反应室,炉盖设于反应室的上方,副炉室通过炉盖与主炉室连接,提拉组件设于副炉室的上方,用于提拉晶棒,晶体生长炉配置有至少一个用于观察反应室的CCD检测组件,炉盖上设有用于固定CCD检测组件的CCD支架,CCD支架包括:固定支架,固定支架装设于炉盖上;第一移动支架,第一移动支架装设于固定支架上,并沿第一方向延伸;旋转支架,旋转支架可转动地设置于第一移动支架上,且旋转支架具有沿第一方向相对第一移动支架移动的活动自由度,CCD检测组件通过旋转支架连接至第一移动支架。通过上述设置,提升了CCD检测组件的检测范围。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶体生长,尤其是指一种晶体生长炉


技术介绍

1、晶体生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。

2、主机部分主要由机架、炉体、水冷式阀座、晶体提升及旋转机构、坩埚提升及旋转机构、氩气系统、真空系统及自动炉压检测控制、水冷系统及多种安全保障装置等结构组成。为了解炉体内晶棒的生长状况,一般通过在炉体上设置ccd检测组件,并对炉体内的信息进行采样,但由于晶棒生长过程中可能存在遮挡、或者观测出现偏差的问题,亟待需要一种能够灵活调节ccd检测组件的装置。


技术实现思路

1、为了解决现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种晶体生长炉,其解决了ccd检测组件调节范围不足的问题。

2、为实现上述目的,本申请采用如下的技术方案:

3、一种晶体生长炉,其包括主炉室、炉盖、副炉室和提拉组件,主炉室围绕形成有反应室,炉盖设于反应室的上方,副炉室通过炉盖与主炉室连接,提拉组件设于副炉室的上方,用于提拉晶棒,晶体生长炉配置有至少一个用于观察反应室的ccd检测组件,炉盖上设有用于固定ccd检测组件的ccd支架,ccd支架包括:固定支架,固定支架装设于炉盖上;第一移动支架,第一移动支架装设于固定支架上,并沿第一方向延伸;旋转支架,旋转支架可转动地设置于第一移动支架上,且旋转支架具有沿第一方向相对第一移动支架移动的活动自由度,ccd检测组件通过旋转支架连接至第一移动支架。

4、进一步地,ccd支架还包括沿第二方向延伸的第二移动支架,第二移动支架连接至第一移动支架,第二移动支架具有沿第一方向相对第一移动支架移动的活动自由度,第一方向与第二方向相互垂直;

5、进一步地,第一移动支架与第二移动支架的结构基本一致。

6、进一步地,旋转支架包括ccd固定部和ccd调节部,ccd固定部和ccd调节部之间活动连接,旋转支架通过ccd固定部连接至第一移动支架或第二移动支架,旋转支架通过ccd调节部与ccd检测组件固定连接。

7、进一步地,定义一个垂直于ccd固定部和ccd调节部的接触面的基准线,ccd调节部围绕基准线相对ccd固定部转动连接。

8、进一步地,ccd支架包括至少两个旋转支架,当相邻两个旋转支架连接时,任一旋转支架的ccd固定部连接至另一旋转支架的ccd调节部。

9、进一步地,第一移动支架包括第一导向部和第一牵引部,第一导向部沿第一方向延伸,第一牵引部与第一导向部活动连接,并具有沿第一方向相对第一导向部的移动的活动自由度,旋转支架或第二移动支架装设于第一牵引部上。

10、进一步地,第二移动支架包括第二导向部和第二牵引部,第二导向部沿第二方向延伸,第二牵引部与第二导向部活动连接,并具有沿第二方向相对第二导向部的移动的活动自由度,旋转支架装设于第二牵引部上。

11、进一步地,第一导向部包括第一方向延伸的第一丝杆结构和第一限位导轨,第一牵引部与第一丝杆结构螺纹连接,且第一牵引部的至少部分设于第一限位导轨上。

12、进一步地,ccd支架还包括避让支架,避让支架能够沿任一方向延伸,避让支架的一端连接至第一移动支架,避让支架具有沿第一方向相对第一移动支架移动的活动自由度,避让支架的另一端与旋转支架固定连接。

13、通过设置集成于固定支架上的第一移动支架和旋转支架,且ccd检测组件设于旋转支架上,以使ccd检测组件具有多个方向的活动自由度,提升ccd检测组件的检测范围。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体生长炉,包括:

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉,其特征在于,

6.根据权利要求4所述的晶体生长炉,其特征在于,

7.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

8.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

9.根据权利要求7所述的晶体生长炉,其特征在于,

10.根据权利要求1所述的晶体生长炉,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种晶体生长炉,包括:

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的晶体生长炉,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉,其特征在于,

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹建伟朱亮倪军夫梁晋辉冯贤剑阮文星
申请(专利权)人:浙江晶盛机电股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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