半导体装置制造方法及图纸

技术编号：43515853 阅读：5 留言：0更新日期：2024-12-03 12:06

半导体装置(1)包括：半导体层(10)，其具有主面(11)；开关元件(2)，其形成于上述半导体层；第一电极(50)，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极(55)，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极(70)，其具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第一电极电连接；以及第二端子电极(75)，其具有在俯视时与上述第二电极重叠的部分，且与上述第二电极电连接。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本申请与2020年9月17日向日本国专利局提出的特愿2020－156343号对应，本申请的全部公开内容在此通过引用而录入。本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开了与包含sic基板的半导体装置相关的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2015/295079号说明书

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、一个实施方式提供一种能够缓和电极引起的设计规则的半导体装置。

3、用于解决课题的方案

4、一个实施方式提供一种半导体装置，包括：半导体层，其具有主面；开关元件，其形成于上述半导体层；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极，其具有在俯视时与上述第一电极重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述第一电极电连接；以及第二端子电极，其具有在俯视时与上述第二电极重叠的部分，且与上述第二电极电连接。

5、一个实施方式提供一种半导体装置，包括：半导体层，其具有主面；主元件，其形成于上述半导体层，生成主电流；感测元件，其在上述半导体层中形成于与上述主元件不同的区域，生成监视上述主电流的监视电流；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述主元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述主元件电连接；第三电极，其从上

6、一个实施方式提供一种半导体装置，包括：半导体层，其具有主面；开关元件，其形成于上述半导体层；二极管，其在上述半导体层中形成于与上述开关元件不同的区域；第一电极，其配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述主面之上，且与上述开关元件电连接；第一端子电极，其在上述第一电极之上与上述第一电极电连接；第二端子电极，其在上述第二电极之上与上述第二电极电连接；以及极性端子电极，其具有在俯视时与上述二极管重叠的部分、以及与上述第二电极重叠的部分，且与上述二极管电连接。

7、一个实施方式提供一种半导体装置，包括：半导体层，其包含sic，具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面；纵型晶体管，其形成于上述半导体层；第一电极，其配置在上述第一主面之上；第二电极，其从上述第一电极空出间隔地配置在上述第一主面之上；第一电极焊盘，其以在俯视时至少一部分与上述第一电极重叠的方式，相对于上述第一电极配置在与上述半导体层相反的一侧，且与上述第一电极电连接；以及电极，其配置在上述第二主面之上，上述第一电极焊盘在俯视时与上述第二电极的一部分重叠。

8、一个实施方式提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备半导体层的工序，该半导体层包含sic，具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面，且包含纵型晶体管；在上述第一主面之上空出间隔地形成第一电极以及第二电极的工序；以及以在俯视时至少一部分与上述第一电极重叠且与上述第一电极电连接的方式，在相对于上述第一电极而与上述半导体层相反的一侧的位置形成第一电极焊盘的工序，在上述第一电极焊盘的形成工序中，形成有与上述第二电极的一部分重叠的上述第一电极焊盘。

9、上述的或者其它的目的、特征以及效果通过参照附图进行叙述的实施方式的说明将会变得清楚。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1～7任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求9～11任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1～12任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求

16.根据权利要求14或15所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求14～16任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

18.根据权利要求13～17任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

19.一种半导体装置，其特征在于，包括：

20.一种半导体装置，其特征在于，包括：

...

【技术特征摘要】