【技术实现步骤摘要】
示例实施例一般涉及半导体集成电路，并且更具体地讲，涉及半导体存储器装置和包括该半导体存储器装置的半导体封装件。
技术介绍
1、半导体存储器装置包括易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置在与电源断开时丢失存储的数据，而非易失性存储器装置在与电源断开时保留存储的数据。易失性存储器装置可以以比非易失性存储器装置更高的速度执行读和写操作。非易失性存储器装置可用于存储不管是否被提供电力都需要保留的数据。
2、为了改善半导体存储器装置的输入/输出(i/o)性能，已经研究了包括用于与外部装置交换信号的多个i/o焊盘的半导体存储器装置。此外，已经研究了各种技术来有效地设计和制造这种半导体存储器装置。
技术实现思路
1、本公开的至少一个示例实施例提供了一种能够在功率、性能和面积(ppa)方面具有优势的半导体存储器装置。
2、本公开的至少一个示例实施例提供了一种包括半导体存储器装置的半导体封装件。
3、根据示例实施例，半导体存储器装置包括存储器单元阵列、第一输入/输出(i/o)焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘以及第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块。第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘位于存储器单元阵列下方，并且被配置为将存储器单元阵列与外部装置电连接。第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块分别位于存储器单元阵列与第一i/o
4、根据示例实施例，半导体封装件包括在竖直方向上顺序地堆叠的多个半导体存储器装置。多个半导体存储器装置中的每一个包括存储器单元阵列、第一输入/输出(i/o)焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘以及第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块。第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘位于存储器单元阵列下方，并且被配置为将存储器单元阵列与外部装置电连接。第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块分别位于存储器单元阵列与第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘之间，并分别驱动第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘。在平面图中，第一i/o驱动模块和第二i/o驱动模块关于在第一方向上延伸的第一线对称地设置，第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块关于第一线对称地设置，第一i/o驱动模块和第三i/o驱动模块关于在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线对称地设置，并且第二i/o驱动模块和第四i/o驱动模块关于第二线对称地设置。
5、根据示例实施例，半导体存储器装置包括存储器单元阵列、第一输入/输出(i/o)焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘、第一电力焊盘和第二电力焊盘、以及第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块。第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘位于存储器单元阵列下方，并且被配置为将存储器单元阵列与外部装置电连接。第一电力焊盘和第二电力焊盘位于存储器单元阵列下方，并且提供电源电压和地电压。第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块位于存储器单元阵列与第一i/o焊盘至第四i/o焊盘之间以及存储器单元阵列与第一电力焊盘和第二电力焊盘之间，并且被配置为分别驱动第一i/o焊盘、第二i/o焊盘、第三i/o焊盘和第四i/o焊盘。在平面图中，第一i/o驱动模块和第二i/o驱动模块关于在第一方向上延伸的第一线对称地设置，第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块关于第一线对称地设置，第一i/o驱动模块和第三i/o驱动模块关于在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线对称地设置，并且第二i/o驱动模块和第四i/o驱动模块关于第二线对称地设置。在平面图中，第一i/o焊盘和第三i/o焊盘沿第一方向布置，第一电力焊盘和第二电力焊盘沿第一方向布置，第二i/o焊盘和第四i/o焊盘沿第一方向布置，第一i/o焊盘、第一电力焊盘和第二i/o焊盘沿第二方向布置，并且第三i/o焊盘、第二电力焊盘和第四i/o焊盘沿第二方向布置。第一i/o驱动模块与第一i/o焊盘和第一电力焊盘的第一部分重叠，第二i/o驱动模块与第二i/o焊盘以及第一电力焊盘的第二部分重叠，第三i/o驱动模块与第三i/o焊盘和第二电力焊盘的第一部分重叠，并且第四i/o驱动模块与第四i/o焊盘以及第二电力焊盘的第二部分重叠。第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块分别包括第一逻辑电路、第二逻辑电路、第三逻辑电路和第四逻辑电路。第一i/o驱动模块、第二i/o驱动模块、第三i/o驱动模块和第四i/o驱动模块分别包括第一空闲空间、第二空闲空间、第三空闲空间和第四空闲空间，在第一空闲空间、第二空闲空间、第三空闲空间和第四空闲空间中未设置有第一逻辑电路、第二逻辑电路、第三逻辑电路和第四逻辑电路。第一空闲空间至第四空闲空间与第一线和第二线相邻。第一空闲空间至第四空闲空间由第一i/o驱动模块至第四i/o驱动模块共享。
6、在根据示例实施例的半导体存储器装置和半导体封装件中，四个相邻的i/o驱动模块可以以共质心结构布置，并且四个相邻的i/o驱动模块可被设置为使得在i/o驱动模块内没有放置逻辑电路的空闲空间聚集在中心附近。靠近中心的相对大的空闲空间可由四个i/o驱动模块共享。例如，由四个i/o驱动模块共同使用的公共控制逻辑电路和/或功率电容器可被放置在相对大的空闲空间中。因此，可降低功耗，可减小面积，可提高性能，并且可实现信号线之间的相互屏蔽。
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1.一种半导体存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：
3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中：
4.如权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体存储器装置，其中：
6.如权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一线穿过所述第一电力焊盘和所述第二电力焊盘。
7.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：
8.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其中：
9.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一空闲空间至所述第四空闲空间邻近于所述第一线和所述第二线。
10.如权利要求8所述的半导体存储器装置，还包括：
11.如权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述公共控制逻辑电路被设置为对应于所述第一线与所述第二线的交叉点，并且被设置为对应于所有的所述第一空闲空间至所述第四空闲空间。
12.如权利要求10所述的半导体存储器装置，其中：
13.如权利要求8所述的半导体存储
14.如权利要求7所述的半导体存储器装置，还包括：
15.如权利要求14所述的半导体存储器装置，其中：
16.如权利要求14所述的半导体存储器装置，其中：
17.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一输入/输出焊盘至所述第四输入/输出焊盘中的每一个是数据焊盘、数据选通焊盘、数据掩码焊盘和虚设焊盘中的一种。
18.一种半导体封装件，包括：
19.如权利要求18所述的半导体封装件，还包括：
20.一种半导体封装件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：
3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中：
4.如权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体存储器装置，其中：
6.如权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一线穿过所述第一电力焊盘和所述第二电力焊盘。
7.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：
8.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其中：
9.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述第一空闲空间至所述第四空闲空间邻近于所述第一线和所述第二线。
10.如权利要求8所述的半导体存储器装置，还包括：
11.如权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述公共...
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