【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于图像传感器领域，涉及一种多谱段tdiccd结构。
技术介绍
1、tdiccd(time delay and integration charge coupled device)，即时间延迟与积分电荷耦合器件，凭借其高灵敏度、低噪声以及大动态范围等显著优势，在航空、航天领域得到了广泛的应用。特别是在对地观测与成像方面，tdiccd展现出了其独特的价值，能够为科研人员提供高质量的地表图像数据，支持各种遥感与地球科学研究。
2、随着航空、航天技术的不断进步，对地成像的需求也日益增长，对光谱成像的精度与分辨率提出了更高的要求。为了实现更为精细的光谱成像，光谱成像器件的设计趋势逐渐转向了单片集成多个tdiccd的方向。这种多谱段tdiccd不仅能够同时捕获多个光谱段的图像信息，还能有效提高成像系统的集成度与工作效率。
3、然而，在现有技术中，多谱段tdiccd的设计仍面临一些挑战。例如，垂直信号转移、级数选通、水平信号转移等电极通常从阵列区域的左、右两侧引出，这种布局方式不仅限制了器件的进一步小型化与集成化，还增加了信号传输路径的复杂性。同时，各个子tdiccd放大器相关的直流电极也采用左右两侧分布的方式，这使得电极的总数量相对较多，不仅增加了器件的制造成本，还可能对各个子tdiccd放大器产生较大的相互干扰，影响成像质量。
4、此外，现有技术中多谱段tdiccd的压点数也较多，这不仅增加了电路设计的复杂性，还可能引入更多的噪声源，进一步影响成像性能。如果将单一谱段tdiccd的架构设计技
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种多谱段tdiccd结构，通过简化多谱段tdiccd电极设计，使得多谱段tdiccd的结构紧凑，降低信号之间的干扰。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种多谱段tdiccd结构，包括至少两个规则排布在同一芯片衬底上的子tdiccd，还包括沿着子tdiccd排布方向设置的垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极。其中垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极组成一子单元，在子tdiccd排布方向的正交方向上，周期地分布若干个子单元。
4、在子tdiccd排布方向的一端，设置若干金属总线，通过金属总线将垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极引出至压点。
5、进一步的，所述垂直信号转移电极沿着所述子tdiccd排布方向贯通tdiccd阵列；所述垂直信号转移电极与各子tdiccd的多晶硅连接。
6、进一步的，所述级数选通电极沿着所述子tdiccd排布方向贯通tdiccd阵列；每一个子tdiccd设置专属的级数选通电极用于驱动级数选通栅，各子tdiccd的级数选通电极不与其他的子tdiccd电连接。
7、进一步的，所述水平信号转移电极沿着所述子tdiccd排布方向贯通tdiccd阵列；每一个子tdiccd设置专属的水平信号转移电极与其水平信号转移区域电连接，各子tdiccd的水平信号转移电极不与其他子tdiccd的水平信号转移区域电连接。
8、进一步的，所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极均包括一次金属和二次金属；所述一次金属沿所述子tdiccd光敏元阵列的行方向设置，通过一次接触孔与光敏元的多晶硅层连接；所述二次金属设置在相邻子tdiccd的间隔中，所述一次金属与二次金属通过二次接触孔电连接。
9、其中，所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极均设置为覆盖所述子tdiccd的沟阻，且电极金属宽度与沟阻宽度相同。
10、本专利技术的有益效果在于：
11、(1)本专利技术通过将多个子tdiccd规则排布在同一芯片硅衬底上，并优化子tdiccd间距，实现了高集成度的多谱段tdiccd结构，有利于减小器件体积，提高系统的紧凑性。
12、(2)本专利技术采用“金属贯通布局”设计，使垂直信号转移、级数选通、水平信号转移等电极呈现为贯通整个多谱段tdiccd阵列区域的布局，不仅简化了电极结构，还有利于保证器件的均匀性性能。
13、(3)对于子tdiccd放大器相关的直流电极布局，本专利技术将其采用左右两侧分布方式，从而拉开了与子tdiccd阵列电极的距离，有效降低了引线电极带来的相互干扰和噪声。
14、(4)通过接触孔实现电极与多晶硅的互联以及各子tdiccd之间的互联，减少了信号传输路径的复杂性，有利于提高信号传输的质量和稳定性。
15、本专利技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
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1.一种多谱段TDICCD结构，包括至少两个规则排布在同一芯片衬底上的子TDICCD，其特征在于：还包括沿着所述子TDICCD排布方向设置的垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极；所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极组成一子单元，在子TDICCD排布方向的正交方向上，周期地分布若干个子单元；
2.根据权利要求1所述的一种多谱段TDICCD结构，其特征在于：所述垂直信号转移电极沿着所述子TDICCD排布方向贯通TDICCD阵列；所述垂直信号转移电极与各子TDICCD的多晶硅连接。
3.根据权利要求1所述的一种多谱段TDICCD结构，其特征在于：所述级数选通电极沿着所述子TDICCD排布方向贯通TDICCD阵列；每一个子TDICCD设置专属的级数选通电极用于驱动级数选通栅，各子TDICCD的级数选通电极不与其他的子TDICCD电连接。
4.根据权利要求1所述的一种多谱段TDICCD结构，其特征在于：所述水平信号转移电极沿着所述子TDICCD排布方向贯通TDICCD阵列；每一个子TDICCD设置专属的水平信号转移电极与其水平
5.根据权利要求1所述的一种多谱段TDICCD结构，其特征在于：所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极均包括一次金属和二次金属；所述一次金属沿所述子TDICCD光敏元阵列的行方向设置，通过一次接触孔与光敏元的多晶硅层连接；所述二次金属设置在相邻子TDICCD的间隔中，所述一次金属与二次金属通过二次接触孔电连接。
6.根据权利要求5所述的一种多谱段TDICCD结构，其特征在于：所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极均设置为覆盖所述子TDICCD的沟阻，且电极金属宽度与沟阻宽度相同。
...【技术特征摘要】
1.一种多谱段tdiccd结构，包括至少两个规则排布在同一芯片衬底上的子tdiccd，其特征在于：还包括沿着所述子tdiccd排布方向设置的垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极；所述垂直信号转移电极、水平信号转移电极和级数选通电极组成一子单元，在子tdiccd排布方向的正交方向上，周期地分布若干个子单元；
2.根据权利要求1所述的一种多谱段tdiccd结构，其特征在于：所述垂直信号转移电极沿着所述子tdiccd排布方向贯通tdiccd阵列；所述垂直信号转移电极与各子tdiccd的多晶硅连接。
3.根据权利要求1所述的一种多谱段tdiccd结构，其特征在于：所述级数选通电极沿着所述子tdiccd排布方向贯通tdiccd阵列；每一个子tdiccd设置专属的级数选通电极用于驱动级数选通栅，各子tdiccd的级数选通电极不与其他的子tdiccd电连接。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨洪，白雪平，李金，刘昌举，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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