【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率放大器，具体地，涉及一种高可靠性功率放大器mmic结构及其制作方法。
技术介绍
1、在设计功率放大器mmic(单片微波集成电路)时，为增大输出功率，末级采用多胞晶体管并联方式，运用功率合成网络进行合成。传统布局芯片时，将多个晶体管平行放置在一条直线上，因为走线距离相等，每个晶体管输出信号相位相等，所以合成效率高。因为末级放大晶体管在一条直线上，考虑到芯片尺寸限制，相邻晶体管间距较小。但是在放大器饱和状态下，晶体管产热较多，因为相互间距小，不利于热的扩散，晶体管温度过高，导致放大器输出功率降低，使用寿命减少。
2、因此，提供一种在使用过程中可以有效的解决以上技术问题，降低放大器正常工作时的温度，保证放大器良好的性能的高可靠性功率放大器mmic结构及其制作方法是本专利技术亟需解决的问题。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本专利技术的目的是克服现有技术中功率放大器mmic晶体管布局引起的性能减退问题，从而提供一种在使用过程中可以有效的解决以上技术问题，降低放大器正常工作时的温度，保证放大器良好的性能的高可靠性功率放大器mmic结构及其制作方。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种高可靠性功率放大器mmic结构，所述装置包括：设置在电路板上的第一晶体管和第二晶体管；其中，
3、若干个第一晶体管等间距设置以形成第一晶体管排，若干个第二晶体管也等间距以形成第二晶体管排，所述第一晶体管排与所述第二晶体管排平行，且两者交叉设置，以使得
4、每个第一晶体管和每个第二晶体管通过功率合成网络相连，以保证合成时的相位一致性。
5、优选地，所述功率合成网络包括第一合成子线路和第二合成子线路；其中，
6、所述第一合成子线路呈u型，其两端分别与相邻的两个第一晶体管的底部接口相连，每个第二晶体管分别通过第二合成子线路与第一合成子线路的侧面线路相连，且第一合成子线路的每侧线路只连接一个第二晶体管。
7、优选地，每两个第一合成子线路的底部又通过第三合成子线路并联在一起。
8、优选地，所述第二合成子线路与所述第一合成子线路的连接处至相连的第一晶体管和第二晶体管的线路距离相等。
9、本专利技术还提了一种高可靠性功率放大器mmic制作方法，所述方法包括：
10、将若干个第一晶体管等间距设置在电路板上以形成第一晶体管排；
11、在相邻的两个第一晶体管的中线下方位置设置有一个第二晶体管，以形成间距相等且与第一晶体管排平行的第二晶体管排；
12、在电路板通过功率合成网络将每个第一晶体管和每个第二晶体管相连，且保证合成时的相位一致性。
13、优选地，所述在电路板通过功率合成网络将每个第一晶体管和每个第二晶体管相连，且保证合成时的相位一致性包括以下步骤：
14、在电路板上制作第一合成子线路，所述第一合成子线路呈u型，其两端分别与相邻的两个第一晶体管的底部接口相连；
15、在每个第一合成子线路的每一侧线路上分别制作一条第二合成子线路，且每条第二合成子线路连接一个第二晶体管；
16、制作第三合成子线路将每两个相邻的第一合成子线路的底部并联在一起。
17、根据上述技术方案，本专利技术提供的高可靠性功率放大器mmic结构及其制作方法在使用时的有益效果为：本专利技术优化了晶体管的布局结构，在不增加芯片尺寸的前提下，显著增大了晶体管间距，从而有效地降低放大器正常工作时的温度，保证放大器良好的性能。
18、本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明；而且本专利技术中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高可靠性功率放大器MMIC结构，其特征在于，所述结构包括：设置在电路板上的第一晶体管和第二晶体管；其中，
2.根据权利要求1所述的高可靠性功率放大器MMIC结构，其特征在于，所述功率合成网络包括第一合成子线路和第二合成子线路；其中，
3.根据权利要求2所述的高可靠性功率放大器MMIC结构，其特征在于，每两个第一合成子线路的底部又通过第三合成子线路并联在一起。
4.根据权利要求2所述的高可靠性功率放大器MMIC结构，其特征在于，所述第二合成子线路与所述第一合成子线路的连接处至相连的第一晶体管和第二晶体管的线路距离相等。
5.一种根据权利要求1-4所述的高可靠性功率放大器MMIC制作方法，其特征在于，所述方法包括：
6.根据权利要求5所述的高可靠性功率放大器MMIC制作方法，其特征在于，所述在电路板通过功率合成网络将每个第一晶体管和每个第二晶体管相连，且保证合成时的相位一致性包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性功率放大器mmic结构，其特征在于，所述结构包括：设置在电路板上的第一晶体管和第二晶体管；其中，
2.根据权利要求1所述的高可靠性功率放大器mmic结构，其特征在于，所述功率合成网络包括第一合成子线路和第二合成子线路；其中，
3.根据权利要求2所述的高可靠性功率放大器mmic结构，其特征在于，每两个第一合成子线路的底部又通过第三合成子线路并联在一起。
4.根据权利要求2所述的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄薛龙，曹振玲，郑君，汪琨，储其丽，刘煜文，禹克轩，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。