【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光子芯片，更具体地涉及热光移相器的结构和形成热光移相器的方法。
技术介绍
1、光子芯片用于许多应用和系统，包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子芯片包括由诸如调制器、偏振器和光学耦合器之类的光学部件组成的光子集成电路，这些光学部件用于操纵从光源(例如激光器或光纤)接收的光。
2、热光移相器是一种光学部件，其可用于光子集成电路中，以调制在波导芯中传播的光的相位。热由发热器产生，并从发热器传递到波导芯，波导芯由折射率随温度变化的材料组成。热光移相器的性能可能取决于热从发热器到波导芯的有效传输。
3、需要改进的热光移相器结构和形成热光移相器的方法。
技术实现思路
1、在本专利技术的实施例中，提供了一种热光移相器的结构。所述结构包括：半导体衬底；以及发热器，其包括第一电阻发热元件、第二电阻发热元件，以及将所述第一电阻发热元件连接到所述第二电阻发热元件的板(slab)层。所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件具有第一厚度，并且，所述板层具有小于所述第一厚度的第二厚度。所述结构还包括第一波导芯，其包括横向定位在所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件之间的一部分。所述发热器的所述板层设置在所述第一波导芯的所述一部分和所述半导体衬底之间。
2、在本专利技术的实施例中，提供了一种形成热光移相器的结构的方法。所述方法包括形成发热器，所述发热器包括第一电阻发热元件、第二电阻发热元件，以及将所述第一电阻发热元件连接到所述第二电阻发热元件的板层。所
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1.一种热光移相器的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述发热器还包括设置在所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件之间的所述板层上的脊。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊定位在所述第一波导芯的所述第一部分下方。
4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊、所述板层、所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件包括硅，并且，所述第一波导芯包括氮化硅。
5.根据权利要求2所述的结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述电介质层包括第一材料，并且，所述板层、所述脊、所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件包括具有比所述第一材料更高的导热系数的第二材料。
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一材料是二氧化硅。
8.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊包括第一锥形部分和第二锥形部分，并且，所述第一锥形部分和所述第二锥形部分终止于所述脊的相对端。
9.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊在所述第一波导芯的所述第一部分下方居中。
<...【技术特征摘要】
1.一种热光移相器的结构，所述结构包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述发热器还包括设置在所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件之间的所述板层上的脊。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊定位在所述第一波导芯的所述第一部分下方。
4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊、所述板层、所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件包括硅，并且，所述第一波导芯包括氮化硅。
5.根据权利要求2所述的结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述电介质层包括第一材料，并且，所述板层、所述脊、所述第一电阻发热元件和所述第二电阻发热元件包括具有比所述第一材料更高的导热系数的第二材料。
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一材料是二氧化硅。
8.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊包括第一锥形部分和第二锥形部分，并且，所述第一锥形部分和所述第二锥形部分终止于所述脊的相对端。
9.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊在所述第一波导芯的所述第一部分下方居中。
10.根据权利要求2所述的结构，其中，所述脊具有第三厚度，并且，所述板层的所述第二厚度小于所述第三厚度。
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·钱德兰，卞宇生，李沅锡，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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