System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法制造方法及图纸_技高网

一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法制造方法及图纸

技术编号:43501393 阅读:3 留言:0更新日期:2024-11-29 17:06
本说明书实施例提供一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法,该用于晶体生长的装置包括籽晶托、籽晶连接杆以及倾斜检测组件,籽晶托连接在籽晶连接杆的一端,倾斜检测组件被配置为检测籽晶托的倾斜状态,其中,倾斜状态反映籽晶托当前相对于熔体倾斜的状态,熔体用于晶体生长;其中,倾斜状态包括倾斜角度,倾斜角度反映籽晶托当前相对于熔体倾斜的角度。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及晶体生长领域,特别涉及一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法


技术介绍

1、碳化硅作为半导体材料,具有非常优异的物理和化学性能,在高端光电、大功率以及微波射频等领域具有广阔的应用前景和市场空间。

2、在碳化硅晶体生长过程中籽晶与熔体的倾斜状态,会影响生成的碳化硅晶体的质量。若不能明确籽晶托相对熔体的倾斜状态,将不方便控制籽晶托以及设置在籽晶托上的籽晶的位置,从而不利于晶体的生长。

3、因此,希望提出一种用于晶体生长的装置以及晶体生长方法,能够对籽晶的倾斜状态进行检测,保障生成晶体的质量。


技术实现思路

1、本说明书一个或多个实施例提供一种用于晶体生长的装置,包括籽晶托、籽晶连接杆以及倾斜检测组件,所述籽晶托连接在所述籽晶连接杆的一端,所述倾斜检测组件被配置为检测所述籽晶托的倾斜状态,其中,所述倾斜状态反映所述籽晶托当前相对于熔体倾斜的状态,所述熔体用于晶体生长;其中,所述倾斜状态包括倾斜角度,所述倾斜角度反映所述籽晶托当前相对于所述熔体倾斜的角度。

2、在一些实施例中,所述倾斜检测组件包括用于检测所述籽晶托的倾斜状态的倾斜检测组件,所述倾斜检测组件包括图像采集组件、激光感应设备、动作捕捉仪中的一种或多种。

3、在一些实施例中,所述装置还包括倾斜调节组件以及处理器,所述倾斜调节组件被配置为调整所述籽晶托的倾斜角度,所述处理器与所述倾斜调节组件信号连接,所述处理器被配置为:获取所述籽晶托的目标倾斜角度,所述目标倾斜角度反映所述籽晶托应相对于所述熔体倾斜的角度;基于所述目标倾斜角度以及所述倾斜角度,确定所述籽晶托的调整角度;基于所述调整角度控制所述倾斜调节组件对所述籽晶托进行调整。

4、在一些实施例中,所述调节件包括连接在所述第一支撑结构和所述连接结构之间的螺纹连接件;所述第一支撑结构上设有与所述螺纹连接件配合的螺纹孔;所述第一驱动件被配置为驱动所述螺纹连接件绕所述螺纹连接件的轴向旋转,以使得所述螺纹连接件在所述螺纹孔内运动,从而带动所述连接结构的对应位置运动。

5、在一些实施例中,所述倾斜调节组件包括至少两个弹簧件,所述至少两个弹簧件与所述至少两个调节件一一对应地设置;所述至少两个弹簧件位于所述第一支撑结构和所述连接结构之间,且所述至少两个弹簧件分别套设在所述至少两个螺纹连接件外。

6、在一些实施例中,所述倾斜调节组件包括弹性紧缩件、第二驱动件以及轨道,所述装置还包括第二支撑结构,所述第二驱动件、所述轨道和所述弹性紧缩件均设于所述第二支撑结构上,所述第二支撑结构上设有供所述籽晶连接杆穿过的通孔,所述轨道沿所述籽晶连接杆的径向方向延伸,所述籽晶连接杆中远离所述籽晶托的一端与所述弹性紧缩件的一端连接,所述弹性紧缩件的另一端设于所述轨道上,所述第二驱动件驱动所述弹性紧缩件的另一端沿所述轨道移动,驱使所述弹性紧缩件的位置和/或形状发生改变,从而带动所述籽晶连接杆以及与所述籽晶连接杆连接的所述籽晶托的倾斜状态发生改变。

7、本说明书实施例之一提供一种晶体生长方法,包括:在籽晶托上粘接籽晶;获取晶体生长原料,使得所述晶体生长原料熔化而形成熔体;基于如本说明书前文实施例中任一项所述的用于晶体生长的装置控制所述籽晶托运动而使得所述籽晶浸入所述熔体,且所述籽晶中远离所述籽晶托的一侧表面呈倾斜状态地与所述熔体接触;提拉所述籽晶托以进行晶体的生长。

8、在一些实施例中,所述籽晶中远离所述籽晶托的一侧表面与所述熔体的接触角度范围为5~45°。

9、在一些实施例中,所述熔体盛放于坩埚中,所述坩埚外套设有感应线圈,所述感应线圈与电源连接;当感应线圈通电,所述感应线圈对所述坩埚进行感应加热;所述方法还包括:当所述籽晶与所述熔体的表面接触时关闭电源;待所述籽晶完全浸入所述熔体后,启动电源,并控制所述籽晶的远离所述籽晶托的一侧表面与所述熔体的表面平行。

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【技术保护点】

1.一种用于晶体生长的装置,其特征在于,包括籽晶托、籽晶连接杆以及倾斜检测组件,所述籽晶托连接在所述籽晶连接杆的一端,

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述倾斜检测组件包括用于检测所述籽晶托的倾斜状态的倾斜检测组件,所述倾斜检测组件包括图像采集组件、激光感应设备、动作捕捉仪中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括倾斜调节组件以及处理器,

4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第一支撑结构,所述倾斜调节组件包括至少两个调节件、连接结构以及第一驱动件,所述籽晶连接杆的另一端与所述连接结构连接;所述至少两个调节件连接在所述连接结构与所述第一支撑结构之间,且所述至少两个调节件在所述籽晶连接杆的周向方向上间隔设置;

5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述调节件包括连接在所述第一支撑结构和所述连接结构之间的螺纹连接件;所述第一支撑结构上设有与所述螺纹连接件配合的螺纹孔;所述第一驱动件被配置为驱动所述螺纹连接件绕所述螺纹连接件的轴向旋转,以使得所述螺纹连接件在所述螺纹孔内运动,从而带动所述连接结构的对应位置运动。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述倾斜调节组件包括至少两个弹簧件,所述至少两个弹簧件与所述至少两个调节件一一对应地设置;所述至少两个弹簧件位于所述第一支撑结构和所述连接结构之间,且所述至少两个弹簧件分别套设在所述至少两个螺纹连接件外。

7.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述倾斜调节组件包括弹性紧缩件、第二驱动件以及轨道,

8.一种晶体生长方法,其特征在于,包括:

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述籽晶中远离所述籽晶托的一侧表面与所述熔体的接触角度范围为5~45°。

10.如权利要求8所述的方法,所述熔体盛放于坩埚中,所述坩埚外套设有感应线圈,所述感应线圈与电源连接;当感应线圈通电,所述感应线圈对所述坩埚进行感应加热;

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【技术特征摘要】

1.一种用于晶体生长的装置,其特征在于,包括籽晶托、籽晶连接杆以及倾斜检测组件,所述籽晶托连接在所述籽晶连接杆的一端,

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述倾斜检测组件包括用于检测所述籽晶托的倾斜状态的倾斜检测组件,所述倾斜检测组件包括图像采集组件、激光感应设备、动作捕捉仪中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括倾斜调节组件以及处理器,

4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述装置还包括第一支撑结构,所述倾斜调节组件包括至少两个调节件、连接结构以及第一驱动件,所述籽晶连接杆的另一端与所述连接结构连接;所述至少两个调节件连接在所述连接结构与所述第一支撑结构之间,且所述至少两个调节件在所述籽晶连接杆的周向方向上间隔设置;

5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述调节件包括连接在所述第一支撑结构和所述连接结构之间的螺纹连接件;所述第一支撑结构上设有与所述螺纹连接件配合...

【专利技术属性】
技术研发人员:王宇顾鹏陈俊材罗元涛
申请(专利权)人:眉山博雅新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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