【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、图1为一种半导体器件的结构示意图，如图1所示，半导体器件包括基体层以及位于基体层一侧的掺杂硅锗层。相关技术中，在基体层上形成掺杂硅锗层后，在后续的化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)工艺中，掺杂硅锗层与基体层之间会产生分层，使得掺杂硅锗层出现凹坑缺陷(pit defect)，导致产品良率下降。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
2、作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种半导体器件，包括：
3、基体层；
4、种子层，位于基体层的一侧，种子层用于使得后续工艺形成的掺杂硅锗层具有压应力；
5、掺杂硅锗层，位于种子层的背离基体层的一侧。
6、在一些实施例中，掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mpa。
7、在一些实施例中，种子层的材质包括锗；或者，种子层的材质包括锗和硼。
8、在一些实施例中，种子层的厚度小于或等于150埃米。
9、在一些实施例中，掺杂硅锗层中掺杂的物质包括硼，掺杂硅锗层中硼的含量为1.5％～2.5％，掺杂硅锗层中锗的含量为35％～40％。
10、在一些实施例中，基体层包括依次叠层设置的第一电极层、氧化物层、第二电极层。
11、作为本公开实施例的第二方面，本
12、在基体层的一侧形成种子层，种子层用于使得后续工艺形成的掺杂硅锗层具有预设压应力；
13、在种子层背离基体层的一侧形成掺杂硅锗层。
14、在一些实施例中，
15、在形成种子层的工艺中，采用的气体包括锗源气体，锗源气体的流量小于或等于100sccm；或者，
16、在形成种子层的工艺中，采用的气体包括锗源气体和硼源气体，锗源气体的流量小于或等于100sccm，硼源气体的流量小于或等于250sccm。
17、在一些实施例中，
18、在形成种子层的工艺中，采用的气体包括氢化锗；或者，
19、在形成种子层的工艺中，采用的气体包括氢化锗和乙硼烷。
20、在一些实施例中，在形成掺杂硅锗层的工艺中，采用的气体包括硅源气体、锗源气体和硼源气体；
21、硅源气体的流量范围为5sccm～25sccm，锗源气体的流量范围为200sccm～950sccm，硼源气体的流量范围为350sccm～800sccm，其中，硼源气体和锗源气体的流量比值小于或等于1.7。
22、在一些实施例中，在形成种子层和掺杂硅锗层的工艺中，腔室温度为380℃～450℃；和/或，腔室压力为100torr～150torr。
23、本公开实施例的技术方案，在基体层上形成种子层，种子层用于使得后续工艺形成的掺杂硅锗层具有压应力，从而，当在种子层的背离基体层的一侧形成掺杂硅锗层后，掺杂硅锗层在种子层的作用下具有压应力。具有压应力的掺杂硅锗层可以提高掺杂硅锗层与其它膜层之间的粘附力，避免在工艺中掺杂硅锗层与其它膜层之间出现分层现象，改善了掺杂硅锗层的凹坑缺陷，提高了产品良率。
24、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mPa。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的材质包括锗；或者，所述种子层的材质包括锗和硼。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的厚度小于或等于150埃米。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层中掺杂的物质包括硼，所述掺杂硅锗层中硼的含量为1.5％～2.5％，所述掺杂硅锗层中锗的含量为35％～40％。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述基体层包括依次叠层设置的第一电极层、氧化物层、第二电极层。
7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成掺杂硅锗层的工艺中，采用的气体包括硅源气体、锗源气体和硼源气体；>
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成种子层和/或掺杂硅锗层的工艺中，腔室温度为380℃～450℃；和/或，腔室压力为100Torr～150Torr。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层的应力值小于或等于-50mpa。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的材质包括锗；或者，所述种子层的材质包括锗和硼。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述种子层的厚度小于或等于150埃米。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂硅锗层中掺杂的物质包括硼，所述掺杂硅锗层中硼的含量为1.5％～2.5％，所述掺杂硅锗层中锗的含量为35％～40％。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李进一，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。