【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆清洗机台。
技术介绍
1、半导体制造中，晶圆经过刻蚀后产生许多副产物，需要通过洗净制程将这些副产物去除，一般都使用特殊的有机化学物及去离子水(di wafer)清洗晶圆。通常使用单晶式清洗机来清洗晶圆，在洗净制程中，晶圆与清洗液等材料之间因旋转摩擦极容易产生静电，损伤晶圆上的微图形物理结构或导致器件关键性能失效。
2、因此，现有的半导体清洗机台中通常设置静电消除器(ionizer)等装置，用于去除晶圆表面的电荷，或降低转速来降低静电效应。但这些方法无法有效地消除在洗净制程步骤中所产生的静电效应，产品良率低。
技术实现思路
1、本技术提出了一种晶圆清洗机台，能够有效清洗晶圆表面的离子和聚合物等副产物，降低清洗步骤产生的静电效应，从而改善因静电所造成的缺陷，提升生产良率。
2、为解决上述技术问题，本技术是通过如下的技术方案实现的：
3、本技术提出一种晶圆清洗机台，所述清洗治具至少包括：
4、清洗腔室；
5、清洗台，设置在所述清洗腔室内；
6、旋转台，设置在所述清洗台上，且允许所述旋转台旋转；
7、可变电阻卡盘销，设置在所述旋转台上，用于放置所述晶圆；
8、电压控制单元，设置在所述旋转台上，与所述可变电阻卡盘销连接；
9、转速控制单元，设置在所述清洗台上，与所述旋转台连接；
10、中控单元，设置在所述清洗台上，与所述电压控制单元和所
11、清洗单元，设置在所述清洗腔室外，部分所述清洗单元延伸至所述晶圆上。
12、进一步地，所述可变电阻卡盘销的数量至少为三个，且等距设置在所述旋转台中心的同心圆上。
13、进一步地，所述可变电阻卡盘销远离所述旋转台的一端设置有台阶，且所述台阶靠近所述旋转台的中心设置，且所述晶圆设置在所述台阶上。
14、进一步地，所述台阶的高度为所述可变电阻卡盘销的高度的四分之一至二分之一，所述台阶的深度为所述可变电阻卡盘销的深度的三分之一至三分之二。
15、进一步地，所述电压控制单元接地设置。
16、进一步地，所述旋转台的形状为圆台体，且所述旋转台任意一端面的面积大于或等于所述清洗台任意一端面的面积。
17、进一步地，所述旋转台上设置有导电组件，且所述导电组件连接所述可变电阻卡盘销和所述电压控制单元。
18、进一步地，所述清洗单元包括清洗喷头，所述清洗喷头设置在所述晶圆远离于所述清洗台的一端，且与所述晶圆之间具有设定距离。
19、进一步地，所述清洗单元还包括流量控制器，所述控制单元为线性流量控制器。
20、进一步地，所述晶圆清洗机台还包括废液室，所述废液室设置在所述晶圆清洗机台的底部，且所述废液室和所述清洗腔室隔离设置。
21、本技术提出一种晶圆清洗机台，通过对清洗机台、清洗剂和清洗步骤的改进，能够去除晶圆在刻蚀等制程中产生的离子和聚合物等副产物的同时，消除晶圆在洗净制程中产生的静电效应；能够适配不同洗净制程中晶圆的旋转速度，依照不同工艺转速提供相对应的静电排除效果；且在洗净制程中，配合使用化学混合药剂进行喷淋清洗，能够进一步去除晶圆上因摩擦所产生的表面电荷，提高晶圆的清洗效率和生产良率。
22、附图说明
23、图1为本技术一实施例中晶圆清洗机台的结构示意图。
24、图2为本技术一实施例中清洗台和旋转台的结构示意图。
25、图3为本技术一实施例中可变电阻卡盘销的结构示意图。
26、图4为本技术一实施例中可变电阻卡盘销、电压控制单元、速度控制单元和中控单元的连接示意图。
27、图5为本技术一实施例中晶圆表面电荷测试图。
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1.一种晶圆清洗机台，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述可变电阻卡盘销的数量至少为三个，且等距设置在所述旋转台中心的同心圆上。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述可变电阻卡盘销远离所述旋转台的一端设置有台阶，且所述台阶靠近所述旋转台的中心设置，且所述晶圆设置在所述台阶上。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述台阶的高度为所述可变电阻卡盘销的高度的四分之一至二分之一，所述台阶的深度为所述可变电阻卡盘销的深度的三分之一至三分之二。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述电压控制单元接地设置。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述旋转台的形状为圆台体，且所述旋转台任意一端面的面积大于或等于所述清洗台任意一端面的面积。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述旋转台上设置有导电组件，且所述导电组件连接所述可变电阻卡盘销和所述电压控制单元。
8.根据权利要
9.根据权利要求8所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述清洗单元还包括流量控制器，所述控制单元为线性流量控制器。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述晶圆清洗机台还包括废液室，所述废液室设置在所述晶圆清洗机台的底部，且所述废液室和所述清洗腔室隔离设置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗机台，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述可变电阻卡盘销的数量至少为三个，且等距设置在所述旋转台中心的同心圆上。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述可变电阻卡盘销远离所述旋转台的一端设置有台阶，且所述台阶靠近所述旋转台的中心设置，且所述晶圆设置在所述台阶上。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述台阶的高度为所述可变电阻卡盘销的高度的四分之一至二分之一，所述台阶的深度为所述可变电阻卡盘销的深度的三分之一至三分之二。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述电压控制单元接地设置。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗机台，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉勇，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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