【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片应用，尤其涉及一种自动修复sram缺陷的结构、系统及方法。
技术介绍
1、sram缺陷主要包括单比特错误和多比特错误。单比特错误是指sram中单个存储单元发生翻转，导致存储值改变。多比特错误则是指多个存储单元同时发生翻转，导致存储值发生不可预测的变化。sram缺陷会直接影响存储数据的准确性和可靠性，进而可能导致系统崩溃、数据丢失等严重后果。
2、芯片自我修复机制是指芯片在运行过程中能够自动检测并修复其内部错误的一种技术。对于sram缺陷而言，这种机制可以实时监测sram的工作状态，并在发现错误时自动进行修复。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种自动修复sram缺陷的结构、系统及方法，旨在解决为了解决芯片中部分模块需要单独修复sram的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请提出一种自动修复sram缺陷的结构，所述的自动修复sram缺陷的结构包括：冗余链、内置修复链以及逻辑模块；所述逻辑模块分别连接所述冗余链、所述内置修复链以及外部信息源；所述逻辑模块，设置于常开电压域，用于接收外部信息源传输的修复信息并分别发送至所述内置修复链和所述冗余链；所述内置修复链，用于接收所述逻辑模块传输的修复信息以修复sram；所述冗余链，设置于常开电压域，与所述内置修复链长度一致以使所述冗余链能储存与所述内置修复链一致的信息，用于通过所述逻辑模块接收外部信息源传输的修复信息做备份；所述逻辑模块，还用于检测到所述内部修复链的休眠唤醒信息后将所述冗余链中的修复
3、在一实施例中，所述的内置修复链包括：多个内置修复寄存器；各所述内置修复寄存器，设置于相同的电压域，用于储存和传输sram修复所需的信息。
4、在一实施例中，所述的冗余链包括：多个d触发器；各所述d触发器，设置于常开电压域，用于存储信息，各所述d触发器组成的冗余链的长度与所述内置修复链长度一致以使所述冗余链能储存与所述内置修复链一致的信息。
5、在一实施例中，所述的逻辑模块包括：检测模块和选择模块；所述检测模块，分别连接所述内置修复链和所述选择模块；所述选择模块，还分别连接所述冗余链和外部信息源；所述检测模块，用于检测到所述内置修复链休眠唤醒后传输的休眠唤醒信息，输出控制信息至所述选择模块；所述选择模块，用于将外部信息源的修复信息传输至所述内置修复链，还用于在接收到所述检测模块传输的控制信息后，由传输外部信息源的修复信息至所述内置修复链切换为传输所述冗余链中的修复信息至所述内置修复链。
6、此外，为实现上述目的，本申请还提出一种自动修复sram缺陷系统，所述自动修复sram缺陷系统包括：若干个如上文所述的自动修复sram缺陷的结构、控制模块以及存储模块；各所述自动修复sram缺陷的结构均通过所述控制模块连接所述存储模块；所述存储模块，用于存储修复sram的信息；所述控制模块，用于接收所述存储模块的修复信息传输至各所述自动修复sram缺陷的结构；各所述自动修复sram缺陷的结构，用于接收所述修复信息以修复sram。
7、此外，为实现上述目的，本申请还提出一种自动修复sram缺陷的方法，所述方法应用如上文所述的自动修复sram缺陷的系统，所述方法包括：通过控制模块传输修复信息至各所述自动修复sram缺陷的结构中的逻辑模块；控制各所述结构中的逻辑模块传输修复信息至各所述结构中的内置修复链和各所述结构中的冗余链；检测各所述结构中的内置修复链是否休眠唤醒；当各所述结构中的内置修复链休眠唤醒后，控制各所述结构中的逻辑模块将各所述结构中的冗余链的修复信息串入各所述结构中的内置修复链中以修复sram。
8、在一实施例中，所述的检测各所述结构中的内置修复链是否休眠唤醒；的步骤包括：控制各所述结构中的逻辑模块接收各所述结构中的内置修复链的状态信息；根据各所述结构中的内置修复链的状态信息，判读各所述结构中的内置修复链是否休眠唤醒。
9、在一实施例中，所述的当各所述结构中的内置修复链休眠唤醒后，控制各所述结构中的逻辑模块将各所述结构中的冗余链的修复信息串入各所述结构中的内置修复链中以修复sram的步骤包括：当各所述结构中的内置修复链休眠唤醒后，控制各所述结构中的逻辑模块停止接收所述控制模块传输的修复信息；控制各所述结构中的逻辑模块接收各所述结构中的冗余链的修复信息并传输至各所述结构中的内置修复链中。
10、此外，为实现上述目的，本申请还提出一种存储介质，所述存储介质为计算机可读存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上文所述的自动修复sram缺陷的方法的步骤。
11、此外，为实现上述目的，本申请还提出一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上文所述的自动修复sram缺陷的方法的步骤。
12、本申请提出的一个或多个技术方案，至少具有以下技术效果：
13、通过搭建与内置修复链同等长度的冗余链备份修复信息，当检测到内置修复链休眠唤醒后，通过逻辑模块将冗余链中的备份信息串入内置修复链中，实现了单独修复丢失信息的内置修复链，从而解决了芯片中部分模块需要单独修复sram的技术问题，相比于现有技术修复时间短，集成占空小。
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1.一种自动修复SRAM缺陷的结构，其特征在于，所述的自动修复SRAM缺陷的结构包括：冗余链、内置修复链以及逻辑模块；
2.如权利要求1所述的自动修复SRAM缺陷的结构，其特征在于，所述的内置修复链包括：多个内置修复寄存器；
3.如权利要求2所述的自动修复SRAM缺陷的结构，其特征在于，所述的冗余链包括：多个D触发器；
4.如权利要求2所述的自动修复SRAM缺陷的结构，其特征在于，所述的逻辑模块包括：检测模块和选择模块；
5.一种自动修复SRAM缺陷的系统，其特征在于，所述自动修复SRAM缺陷系统包括：若干个如权利要求1至4所述的自动修复SRAM缺陷的结构、控制模块以及存储模块；
6.一种自动修复SRAM缺陷的方法，其特征在于，应用如权利要求5所述的自动修复SRAM缺陷的系统，所述方法包括：
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的检测各所述结构中的内置修复链是否休眠唤醒的步骤包括：
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的当各所述结构中的内置修复链休眠唤醒后，控制各所述结构中的逻辑模
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质为计算机可读存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求6至8中任一项所述的自动修复SRAM缺陷的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求6至8中任一项所述的自动修复SRAM缺陷的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种自动修复sram缺陷的结构，其特征在于，所述的自动修复sram缺陷的结构包括：冗余链、内置修复链以及逻辑模块；
2.如权利要求1所述的自动修复sram缺陷的结构，其特征在于，所述的内置修复链包括：多个内置修复寄存器；
3.如权利要求2所述的自动修复sram缺陷的结构，其特征在于，所述的冗余链包括：多个d触发器；
4.如权利要求2所述的自动修复sram缺陷的结构，其特征在于，所述的逻辑模块包括：检测模块和选择模块；
5.一种自动修复sram缺陷的系统，其特征在于，所述自动修复sram缺陷系统包括：若干个如权利要求1至4所述的自动修复sram缺陷的结构、控制模块以及存储模块；
6.一种自动修复sram缺陷的方法，其特征在于，应用如权利要求5所述的自动修复sram缺...
【专利技术属性】
技术研发人员：邢云皓，陈侃，于慧，
申请(专利权)人：广东鸿钧微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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