【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及还原炉控制，尤其涉及一种还原炉停炉方法及其控制系统和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、近年来光伏发电技术在发电总量上占比越来越大，光伏行业发展迅猛，同时造成多晶硅此类主要材料供不应求，多晶硅产能日益扩大，通过改进工艺实现降本增效是多晶硅生产中最重要的攻关课题。
2、目前，多晶硅生产普遍使用“改良西门子法”，具体是将高纯度的气相三氯氢硅与高纯度的氢气按照规定比例混合进入还原炉，混合气在还原炉内的高温硅芯表面发生化学气相沉积反应，生成的晶体硅沉积于硅芯表面使得硅棒直径不断变大，直至达到规定的直径，再停炉取出硅棒。由于该工艺能耗较大，工艺流程复杂，故多晶硅行业已把降低多晶硅还原炉系统的能耗作为降低生产成本的主要方向。
3、多晶硅还原炉系统运行过程包括启炉、运行和停炉，其中，传统的停炉过程较为繁琐，涉及分段下降电流、退三氯氢硅与氢气以及空烧等步骤，耗时长达3～4h，三氯氢硅在停炉步骤开始的10～20min退完，退完三氯氢硅后还原炉停止沉积反应，造成较多的电量无意义消耗。因此，如何缩短停炉时间，是还原炉降本增效的关键所在。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种还原炉停炉方法及其控制系统和计算机可读存储介质，本专利技术提供的方法能够有效缩短停炉时间，实现还原炉降本增效。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种还原炉停炉方法，包括以下步骤：
4、以开始停炉的时间为基
5、以所述开始停炉的时间为基准，将进入所述还原炉的氢气经第二时间均匀降至第二流量；所述第二时间≤15min，所述第二流量为400～800nm3/h；
6、以所述开始停炉的时间为基准，将所述还原炉的电流经第三时间均匀降至第二电流，之后在所述第二电流条件下将还原炉空烧10～20min；所述第三时间≤15min，所述第二电流为1250～1600a；
7、以所述还原炉空烧完成的时间为基准，将所述还原炉经第四时间从第二电流均匀降至第三电流，之后切断所述还原炉的电源；所述第四时间为10～20min，所述第三电流为300～700a；
8、以切断还原炉电源的时间为基准，将进入所述还原炉的氢气在第二流量条件下对还原炉进行吹扫。
9、优选地，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的三氯氢硅的初始流量≤1200nm3/h。
10、优选地，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的氢气的初始流量为1200～2000nm3/h。
11、优选地，以所述开始停炉的时间为基准，所述还原炉的初始电流为1800～2400a。
12、优选地，将所述还原炉的电流经第三时间均匀降至第二电流的过程中，所述还原炉内硅棒的温度为950～1050℃，所述硅棒的直径为140～190mm。
13、优选地，以所述硅棒的直径记为d，所述第二电流记为i，所述d与i满足如下关系：
14、当140mm≤d<150mm时，1250a≤i<1300a；
15、当150mm≤d<160mm时，1300a≤i<1400a；
16、当160mm≤d<170mm时，1400a≤i<1500a；
17、当170mm≤d<190mm时，1500a≤i<1600a。
18、优选地，所述吹扫的时间为3～5h。
19、本专利技术提供了一种还原炉停炉控制系统，包括储存器、处理器以及存储在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述技术方案所述还原炉停炉方法。
20、本专利技术提供了一种计算机可读存储介质，储存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述技术方案所述还原炉停炉方法。
21、本专利技术提供了一种还原炉停炉方法，以开始停炉的时间为基准，将进入还原炉的三氯氢硅在5min内均匀降至流量为0nm3/h，同时将进入所述还原炉的氢气在15min内均匀降至400～800nm3/h，同时将所述还原炉的电流在15min内均匀降至1250～1600a，之后将还原炉空烧10～20min，空烧完成后将所述还原炉的电流在15min内均匀降至300～700a，之后切断所述还原炉的电源，将进入所述还原炉的氢气在400～800nm3/h条件下对还原炉进行吹扫。本专利技术中在降低三氯氢硅流量的同时降低氢气流量与电流值，且降低氢气流量相较于三氯氢硅流量更为缓慢，有利于避免还原产品(即硅棒)出现异常；本专利技术在空烧时控制还原炉的电流为1250～1600a，使硅棒维持较高温度，有利于减少空烧时间。实施例的结果显示，本专利技术提供的方法能够有效降低停炉时间，由还原炉停炉普遍使用的3～4h的停炉时间缩短至45min。
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1.一种还原炉停炉方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的三氯氢硅的初始流量≤1200Nm3/h。
3.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的氢气的初始流量为1200～2000Nm3/h。
4.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，所述还原炉的初始电流为1800～2400A。
5.根据权利要求1～4任一项所述的还原炉停炉方法，其特征在于，将所述还原炉的电流经第三时间均匀降至第二电流的过程中，所述还原炉内硅棒的温度为950～1050℃，所述硅棒的直径为140～190mm。
6.根据权利要求5所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述硅棒的直径记为d，所述第二电流记为I，所述d与I满足如下关系：
7.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，所述吹扫的时间为3～5h。
8.一种还原炉停炉控制系统，其特征在于，包括储存器、处理器以及
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，储存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1～7任一项所述还原炉停炉方法。
...【技术特征摘要】
1.一种还原炉停炉方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的三氯氢硅的初始流量≤1200nm3/h。
3.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，进入所述还原炉的氢气的初始流量为1200～2000nm3/h。
4.根据权利要求1所述的还原炉停炉方法，其特征在于，以所述开始停炉的时间为基准，所述还原炉的初始电流为1800～2400a。
5.根据权利要求1～4任一项所述的还原炉停炉方法，其特征在于，将所述还原炉的电流经第三时间均匀降至第二电流的过程中，所述还原炉内硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚厚，罗烨栋，
申请(专利权)人：新疆中部合盛硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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