【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种碲镉汞芯片及其切割方法。
技术介绍
1、碲镉汞(hgcdte，或称为mct)是一种常用于红外探测器和成像设备的半导体材料，具有良好的光电响应，特别是在红外波段。其切割技术是制造高性能红外探测器的关键步骤之一。
2、其中，中国专利申请202310253513.2中公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，所述方法为：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层，得到碲镉汞红外探测器芯片。
3、该案通过在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
4、中国专利申请202311315836.6中公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片的制备方法，其制备方法为：将在基片上依次形成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层至少覆盖所述基片上的芯片区域；对所述基片进行切割或减薄，再分次去除所述第二保护层、所述第一保护层。
5、该方案中通过在基片上形成两层保护层，并在减薄或划片工艺后，分次对保护层进行去除，大量的碎屑会随第二保护层一并去除，减少芯片损伤。
6、本方案需要解决的问题：如何提出一种一种碲镉汞芯片及其切割方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提出一种碲镉汞芯片切割方法，通过二次切割工艺，降低了缺陷瞬间受力过
2、为实现上述目的，本申请公开了一种碲镉汞芯片及其切割方法，其包含以下步骤：
3、步骤1：将碲镉汞芯片固定在划片台上，再使用划片刀进行一次切割，得到一次切割芯片；
4、步骤2：将一次切割芯片使用划片刀进行二次切割，得到切割好的碲镉汞芯片；
5、其中，碲镉汞芯片厚度为1mm，一次切割深度为0.50～0.65mm，二次切割深度为0.50～0.35mm。
6、进一步优选地，一次切割深度为0.56～0.60mm，二次切割深度为0.44～0.40mm。
7、优选地，步骤1的碲镉汞芯片表面还有一层光刻胶用于保护芯片，且光刻胶厚度为5～8μm。
8、优选地，步骤1及步骤2中的划片刀的切割速度为0.5～1mm/s，切割角度为90℃。
9、优选地，步骤1中固定方法为：将碲镉汞芯片粘结至基板，再将基板粘结至划片台上，基板的平整度低于3μm；
10、所述二次切割时划片刀需深入基板20～30μm。
11、优选地，粘结剂为石蜡、水溶性胶水中的至少一种。
12、优选地，基板材质选自硅片、石英片、氮化硅中的至少一种。
13、此外，还公开一种碲镉汞芯片，通过上述碲镉汞芯片切割方法制得。
14、本专利技术的有益效果是：
15、本专利技术提供了一种碲镉汞芯片切割方法，经过多次实验发现碲镉汞芯片内部本身存在一定的缺陷(如硬质杂质或生长过大的晶粒)，若采用一次切割直接切割芯片时会因为缺陷瞬间受力过大出现崩碎导致芯片出现碎片或裂片的情况；本专利技术通过二次切割工艺，有效降低了缺陷瞬间受力过大出现崩碎导致芯片出现碎片或裂片的几率，得到在金相显微镜明场下100倍观察芯片边缘四周崩边直径小于10μm的芯片。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碲镉汞芯片的切割方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述一次切割深度为0.56～0.60mm，二次切割深度为0.44～0.40mm。
3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1的碲镉汞芯片表面还有一层光刻胶用于保护芯片，且光刻胶厚度为5～8μm。
4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1及步骤2中的划片刀的切割速度为0.5～1mm/s，切割角度为90℃。
5.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1中固定方法为：将碲镉汞芯片粘结至基板，再将基板粘结至划片台上，所述基板的平整度低于3μm；
6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述粘结剂为石蜡、水溶性胶水中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述基板材质选自硅片、石英片、氮化硅中的至少一种。
8.一种碲镉汞芯片，其特征在于，通过权利要求1-7任一所述的碲镉汞芯片切割方法制得。
【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞芯片的切割方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述一次切割深度为0.56～0.60mm，二次切割深度为0.44～0.40mm。
3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1的碲镉汞芯片表面还有一层光刻胶用于保护芯片，且光刻胶厚度为5～8μm。
4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述步骤1及步骤2中的划片刀的切割速度为0.5～1mm/s，切割角度为90℃...
【专利技术属性】
技术研发人员：王波，凌龙，王从学，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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