【技术实现步骤摘要】
本专利技术提出了一种电子元器件高温反偏试验系统，涉及功率器件可靠性领域。
技术介绍
1、电子元器件高温反偏试验系统是一种用于评估电子元器件在高温条件下的可靠性和稳定性的设备。这种系统通常用于模拟电子元器件在实际应用中可能遇到的极端温度条件，以预测其在长期使用中的性能变化。
2、然而传统的高温反偏测试一般将mos的g极和s极短路进行试验，针对第三代半导体工艺的器件老化时，不能完全将mos管的d、s极之间进行关断，导致老化试验不能实现精确控制。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种电子元器件高温反偏试验系统，通过在控制检测板上增加vgb栅压控制模块，调整mos管g、s之间电压控制d、s级之间的导通，实现对第三代半导体器件老化时mos管的d、s极之间的完全关断。
2、本专利技术提出的一种电子元器件高温反偏试验系统，所述系统包括：
3、控制计算机，所述控制计算机通过千兆网卡，分别与主控单片机、控制检测板和高温试验箱进行通讯；
4、高温试验箱，用于接收所述控制计算机的通讯参数信号并提供被试器件的温度环境；
5、超温控制器，所述超温控制器的控制输出端连接所述高温试验箱的加热电源线路；
6、主控单片机，所述主控单片机将控制计算机的通讯参数信号转发到各控制检测板并控制各一级老化电源输出和监测所述高温试验箱的温度；
7、控制检测板，所述控制检测板接收所述主控单片机发送的各种老化参数后执行各种相应动作产生器件老化所需
8、老化区，所述老化区用于接收所述控制检测板的驱动信号，所述老化区可同时对16种不同元器件进行老化筛选，每个老化区80工位；
9、老化电源，用于提供老化试验所需的电环境；
10、辅助电源，所述辅助电源用于提供系统多组直流电压，供控制检测板和主控单片机工作使用。
11、进一步的，所述控制计算机以太网口设定为192.168.0.xxx，所述控制计算机上有器件库，所述器件库用于获取试验器件型号参数，根据所述试验器件型号参数生成试验类型、试验条件、数据监测和试验安全限制条件的数据，所述控制计算机根据数据生成控制信号。
12、进一步的，所述高温试验箱的可试验温度范围为rt+20℃～+150℃，当温度范围小于或等于100摄氏度时，温度波动度为0.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤100℃时，温度偏差为±1.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤200℃时，温度偏差为±2.0℃，所述高温试验箱的温度范围≤150℃时，温度均匀度为3℃，所述高温试验箱的温度从rt升至150℃的时间≤40min。
13、进一步的，所述超温控制器监测电子元器件的实际温度指示值与试验箱的设置值之间的温度偏差在125℃情况下是否小于等于3℃，若超过3℃时应自动切断试验箱加热电源。
14、进一步的，所述控制检测板由控制底板、主控模块、电源模块、采样模块和adc模块组成；
15、其中，所述主控模块负责与上位机软件的通讯以及对控制检测板中其他模块的控制；所述电源模块负责产生二级vrb试验电压和vgb试验电压；所述采样模块负责对每个试验工位的漏电流进行信号调理和放大；所述adc模块负责将放大后的漏电流信号转换成数字信号以供主控模块进行数据处理。
16、进一步的，所述电源模块为每个老化区配备独立的vgb电源模块，所述vgb输出设置范围为，-2vdc～-25vdc、0v和2vdc～25vdc；
17、所述电源模块还为每个老化区增加了二级vrb试验电源回路；
18、若设置vrb＜90v时，所述电源模块将通过内置vrb试验电源为器件提供试验电压；
19、若设置vrb≥90v时，所述电源模块内置vrb试验电源自动被旁路，由所述老化电源直接为器件提供试验电压。
20、进一步的，所述老化区上有老化板，所述老化板的老化插槽各自分别对应一块控制检测板，各区独立地产生老化信号和老化电压,通过通讯电缆与所述控制计算机实现通讯。
21、进一步的，所述老化板通过一个总线接口及隔热的试验腔后壁连接控制检测板，所述老化板根据试验器件的类型、封装形式和老化状态不同分别设计，在每个老化座位置的器件vcc端加有一个跳线区，各个跳线端排列顺序均完全与老化座引脚顺序成对应关系，通过变换跳线顺序确定老化器件相应管脚是输入或输出。
22、进一步的，所述控制检测板与所述老化区的16块老化板一一对应。
23、本专利技术有益效果：高效率，系统能够同时对多种元器件进行老化试验，大大提高了测试效率；独立的控制和监测功能确保了测试数据的准确性和可靠性；通过精确的温度和电源控制，保证了试验过程的稳定性；系统设计允许对不同的元器件进行个性化的测试，满足多样化的测试需求；集成的数据采集、处理和存储功能，便于后续的数据分析和管理；该技术方案通过集成和自动化的设计，提高了老化试验的效率和准确性，同时也确保了试验过程的稳定性和安全性，这对于电子元器件的质量控制和寿命预测具有重要意义。
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1.一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述控制计算机以太网口设定为192.168.0.XXX，所述控制计算机上有器件库，所述器件库用于获取试验器件型号参数，根据所述试验器件型号参数生成试验类型、试验条件、数据监测和试验安全限制条件的数据，所述控制计算机根据数据生成控制信号。
3.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述高温试验箱的可试验温度范围为RT+20℃～+150℃，当温度范围小于或等于100摄氏度时，温度波动度为0.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤100℃时，温度偏差为±1.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤200℃时，温度偏差为±2.0℃，所述高温试验箱的温度范围≤150℃时，温度均匀度为3℃，所述高温试验箱的温度从RT升至150℃的时间≤40min。
4.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述超温控制器监测电子元器件的实际温度指示值与试验箱的设置值之间的温度偏差在125℃情况下是否小于等于3℃
5.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述控制检测板由控制底板、主控模块、电源模块、采样模块和ADC模块组成；
6.根据权利要求5所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述电源模块为每个老化区配备独立的VGB电源模块，所述VGB输出设置范围为，-2VDC～-25VDC、0V和2VDC～25VDC；
7.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述老化区上有老化板，所述老化板的老化插槽各自分别对应一块控制检测板，各区独立地产生老化信号和老化电压,通过通讯电缆与所述控制计算机实现通讯。
8.根据权利要求7所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述老化板通过一个总线接口及隔热的试验腔后壁连接控制检测板，所述老化板根据试验器件的类型、封装形式和老化状态不同分别设计，在每个老化座位置的器件VCC端加有一个跳线区，各个跳线端排列顺序均完全与老化座引脚顺序成对应关系，通过变换跳线顺序确定老化器件相应管脚是输入或输出。
9.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述控制检测板与所述老化区的16块老化板一一对应。
...【技术特征摘要】
1.一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述控制计算机以太网口设定为192.168.0.xxx，所述控制计算机上有器件库，所述器件库用于获取试验器件型号参数，根据所述试验器件型号参数生成试验类型、试验条件、数据监测和试验安全限制条件的数据，所述控制计算机根据数据生成控制信号。
3.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述高温试验箱的可试验温度范围为rt+20℃～+150℃，当温度范围小于或等于100摄氏度时，温度波动度为0.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤100℃时，温度偏差为±1.5℃，所述高温试验箱的温度范围≤200℃时，温度偏差为±2.0℃，所述高温试验箱的温度范围≤150℃时，温度均匀度为3℃，所述高温试验箱的温度从rt升至150℃的时间≤40min。
4.根据权利要求1所述一种电子元器件高温反偏试验系统，其特征在于，所述超温控制器监测电子元器件的实际温度指示值与试验箱的设置值之间的温度偏差在125℃情况下是否小于等于3℃，若超过3℃时应自动切断试验箱加热电源。
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【专利技术属性】
技术研发人员：卢健磊，鲁熠骏，任靖博，钱晓东，
申请(专利权)人：杭州微芯测控电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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