【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及沉积设备，尤其涉及一种延长ald设备中混气盒寿命的装置、方法及系统。
技术介绍
1、等离子体增强化学气相沉积技术(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)是制备介质膜的常用方法，其被广泛应用于制备n型topcon电池的氧化铝薄膜。
2、采用pecvd法时，需要将n型topcon电池依次通过原子层沉积(atomic layerdeposition，ald)设备的上料腔室、加热腔室、工艺腔室、冷却腔室以及下料腔室。
3、然而，现阶段进行pecvd法时，可能会使得工艺腔室将气体倒灌到可控抽真空混合器(controlled evacuate mixer，cem)，也即混气盒中，将会给三甲基铝tma操作带来的安全隐患，导致混气盒寿命低，设备故障时间长，开机率低等一系列问题。
4、具体的，在工艺腔室维护时，需要对工艺腔室进行充压缩空气，使工艺腔室变为常压，才能打开腔体大盖进行维护。但是当混气盒后端的手动阀有内漏时，压缩干燥空气(compressed dry air，cda)会进入混气盒，氧气或者水会跟残留的tma反应，生成粉末状物质，造成堵塞，损坏混气盒，如果不能及时停止ald设备并清理维修，会产生爆炸性分解反应，并生成甲烷，有时还能发生火灾。
5、因此，现阶段急需一种技术手段，以解决三甲基铝tma操作时容易造成混气盒损坏，并且存在的安全隐患的问题。
技术实现思路
1、本专利技术
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种延长ald设备中混气盒寿命的装置，包括：进气管路和分流管路；进气管路包括第一流量计、混气盒和第一阀门；
3、分流管路的第一端与第一流量计的第一端连接，分流管路的第二端与第一阀门的第一端连接；分流管路用于保证第一阀门的第一端的压力大于外界压力；
4、第一流量计的第二端通过混气盒与第一阀门的第一端连接。
5、在一种可能的实现方式中，分流管路包括第二流量计和第二阀门；
6、第二流量计的第一端与第一流量计的第一端连接，第二流量计的第二端与第二阀门的第一端连接，第二阀门的第二端与第一阀门的第一端连接。
7、在一种可能的实现方式中，进气管路还包括第三阀门；
8、第三阀门的第一端与分流管路的第一端连接，第三阀门的第二端与混气盒的第一端连接。
9、在一种可能的实现方式中，进气管路还包括过滤器；
10、过滤器与分流管路的第一端连接，用于对供给到该装置的特种气体进行过滤。
11、在一种可能的实现方式中，该装置还包括工艺腔室；
12、工艺腔室与第一阀门的第二端连接。
13、在一种可能的实现方式中，该装置还包括射频电源；
14、射频电源与工艺腔室连接。
15、第二方面，本专利技术实施例提供了一种延长ald设备中混气盒寿命的方法，应用于如第一方面提供的延长ald设备中混气盒寿命装置，该方法包括：
16、在对工艺腔室进行维护前，通过分流管路，将管路内残留的气体吹出，在管路内不存在残留气体后，关闭进气管路中的第一阀门，并在第一阀门的第一端的压力大于外界压力时，对工艺腔室进行维护。
17、在一种可能的实现方式中，在对工艺腔室进行维护前，通过分流管路，将管路内残留的气体吹出，并在管路内不存在残留气体后，关闭进气管路中的第一阀门，并在第一阀门的第一端的压力大于外界压力时，对工艺腔室进行维护，包括：
18、在对工艺腔室进行维护前，停止向装置中通入特种气体和三甲基铝，并将第一流量计置零，同时关闭第三阀门；
19、向装置通入特种气体，将第二流量计设置到预设流量值，并使第一阀门和分流管路中的第二阀门在第一预设时间内保持开启状态；
20、在到达第一预设时间后，关闭第一阀门，同时使分流管路中的第二流量计和第二阀门在第二预设时间内保持开启状态；
21、在到达第二预设时间后，关闭分流管路中的第二流量计和第二阀门；
22、向工艺腔室内通入压缩干燥空气，当工艺腔室内的压力等于外界压力时，对工艺腔室进行维护。
23、在一种可能的实现方式中，该方法还包括：
24、在第一阀门漏气时，通过分流管路，将管路内残留的气体吹出，在管路内不存在残留气体后，关闭进气管路中的第一阀门，并在第一阀门的第一端的压力大于外界压力时，对工艺腔室进行维护。
25、第三方面，本专利技术实施例提供了一种延长ald设备中混气盒寿命的系统，包括如第一方面所提供的延长ald设备中混气盒寿命的装置、上料腔室、加热腔室、冷却腔室和下料腔室。
26、本专利技术实施例提供一种延长ald设备中混气盒寿命的装置、方法及系统，相比于传统的ald设备，本专利技术实施例在原有的进气管道上增加了一路特种气体分流管路，可使特种气体分流，以控制混气盒进气端和出气端的特种气体流量，在进行维护前，可以通过分流管路，将ald设备管路内残留的气体吹出后，及时关闭第一阀门。这样不仅能够尽量较少混气盒内的气体残留，还能够保证第一阀门前端，也即与混气盒连接的一端压力大于外界压力，即使第一阀门漏气，也可以防止在进行维护时，工艺腔室内的气压与混气盒内的存在压强差，导致工艺腔室压缩空气中的水或者氧气与混气盒内残存的三甲基铝反应。基于本实施例所提供的装置不仅能够延长混气盒的使用寿命，并且还能够避免造成安全隐患。
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1.一种延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，包括：进气管路和分流管路；所述进气管路包括第一流量计、混气盒和第一阀门；
2.根据权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述分流管路包括第二流量计和第二阀门；
3.根据权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述进气管路还包括第三阀门；
4.根据权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述进气管路还包括过滤器；
5.根据权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述装置还包括工艺腔室；
6.根据权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述装置还包括射频电源；
7.一种延长ALD设备中混气盒寿命的方法，其特征在于，应用于如权利要求1所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的延长ALD设备中混气盒寿命的方法，其特征在于，所述在对工艺腔室进行维护前，通过分流管路，将管路内残留的气体吹出，并在管路内不存在残
9.根据权利要求7所述的延长ALD设备中混气盒寿命的方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.一种用于延长晶硅电池氧化铝设备中混气盒寿命的系统，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的延长ALD设备中混气盒寿命的装置、上料腔室、加热腔室、冷却腔室和下料腔室。
...【技术特征摘要】
1.一种延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，包括：进气管路和分流管路；所述进气管路包括第一流量计、混气盒和第一阀门；
2.根据权利要求1所述的延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述分流管路包括第二流量计和第二阀门；
3.根据权利要求1所述的延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述进气管路还包括第三阀门；
4.根据权利要求1所述的延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述进气管路还包括过滤器；
5.根据权利要求1所述的延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述装置还包括工艺腔室；
6.根据权利要求1所述的延长ald设备中混气盒寿命的装置，其特征在于，所述装置还包括射频电源；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：李雪涛，魏双双，李志彬，张东升，王静，何广川，张树骞，
申请(专利权)人：英利能源发展保定有限公司，
类型：发明
国别省市：
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