【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种键合结构及其制备方法。
技术介绍
1、如图1中所示，目前获得具有真空度空腔的方法一般为：在两个键合片100中的其中一者形成空腔后与另一者键合，以形成具有真空度的空腔。
2、然而对于一些特殊产品，例如惯性测试单元(imu)，需要在键合后，在不同空腔内形成不同的真空度，然而，通常键合机台一次键合只有一个真空度，键合后的空腔也只有一个真空度，实现不同空腔具有不同真空度存在难度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种键合结构及其制备方法，以解决现有技术中存在的一个或多个问题。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种键合结构的制备方法，包括：
3、提供第一键合片和第二键合片，所述第一键合片和所述第二键合片分别具有第一区域和第二区域；
4、在所述第一键合片的所述第一区域和所述第二区域分别形成第一键合结构和第二键合结构，在所述第二键合片的所述第一区域和所述第二区域分别形成第三键合结构和第四键合结构，所述第一键合结构与所述第三键合结构厚度之和为第一厚度，所述第二键合结构与所述第四键合结构厚度之和为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
5、在所述第一键合片和/或所述第二键合片的所述第一区域及所述第二区域分别形成第一空腔和第二空腔；
6、执行第一键合工艺，以使得所述第一键合片和所述第二键合片通过所述第一键合结构及所述第三键合结构彼此键合，进而封闭所述第一空腔且使得所述第一空腔具有
7、执行第二次键合工艺，以使得所述第一键合片和所述第二键合片通过所述第二键合结构及所述第四键合结构彼此键合，进而封闭所述第二空腔且使得所述第二空腔具有与所述第一真空度不同的第二真空度。
8、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合结构、所述第二键合结构、所述第三键合结构及所述第四键合结构采用如下设计中的一种：
9、a、包括键合墙和沉积在键合墙表面的键合金属；
10、b、包括键合金属。
11、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，通过对所述键合墙的高度和/或所述键合金属的厚度采取不同的设计，以实现所述第一厚度和所述第二厚度的不同。
12、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述键合墙通过刻蚀相应的所述第一键合片或所述第二键合片得到。
13、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合结构的厚度大于所述第二键合结构的厚度，所述第三键合结构的厚度等于所述第四键合结构的厚度。
14、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合结构包括第一键合墙和沉积在所述第一键合墙表面的键合金属，所述第二键合结构包括第二键合墙和沉积在所述第二键合墙表面的键合金属。
15、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合墙的厚度大于所述第二键合墙的厚度，所述第一键合墙表面沉积的键合金属的厚度等于所述第二键合墙表面沉积的键合金属的厚度，或者；
16、所述第一键合墙的厚度等于所述第二键合墙的厚度，所述第一键合墙表面沉积的键合金属的厚度大于所述第二键合墙表面沉积的键合金属的厚度。
17、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合结构和所述第二键合结构均为沉积于所述第一键合片表面的键合金属。
18、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第三键合结构和所述第四键合结构均为沉积于所述第二键合片表面的键合金属。
19、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一空腔和所述第二空腔形成于所述第一键合片。
20、可选的，在所述的键合结构的制备方法中，所述第一键合工艺和第二键合工艺于同一键合程序中分步骤执行，或者，所述第一键合工艺和所述第二键合工艺于不同键合程序中分别执行。
21、本专利技术还提供一种键合结构，所述键合结构利用如前任一项所述的制备方法制备得到。
22、综上所述，本专利技术提供的所述键合结构及其制备方法，在两个键合片的第一区域和第二区域形成不同厚度的键合结构，如此，当两个键合片上下叠放于键合位时，两个键合片于第一区域的键合结构能够彼此接触，而于第二区域的键合结构之间具有间距，先对彼此接触的键合结构进行熔融以先对第一空腔进行封闭，再通过继续施加压力使得彼此之间具有间距的键合结构相互接触后熔融以对第二空腔进行封闭，由于所述第一空腔和所述第二空腔在不同的真空下分别封闭，因此具有不同的真空度。由此，本专利技术提供的制备方法，通过控制不同厚度键合结构互熔先后顺序，配合键合过程中控制真空度，使得第一空腔及第二空腔封闭后具有不同真空度。
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1.一种键合结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构、所述第二键合结构、所述第三键合结构及所述第四键合结构采用如下设计中的一种：
3.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，通过对所述键合墙的高度和/或所述键合金属的厚度采取不同的设计，以实现所述第一厚度和所述第二厚度的不同。
4.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述键合墙通过刻蚀相应的所述第一键合片或所述第二键合片得到。
5.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构的厚度大于所述第二键合结构的厚度，所述第三键合结构的厚度等于所述第四键合结构的厚度。
6.如权利要求5所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构包括第一键合墙和沉积在所述第一键合墙表面的键合金属，所述第二键合结构包括第二键合墙和沉积在所述第二键合墙表面的键合金属。
7.如权利要求6所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合墙的厚度大于所述第二键合墙的厚度，所述
8.如权利要求5所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构和所述第二键合结构均为沉积于所述第一键合片表面的键合金属。
9.如权利要求5所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第三键合结构和所述第四键合结构均为沉积于所述第二键合片表面的键合金属。
10.如权利要求5所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一空腔和所述第二空腔形成于所述第一键合片。
11.如权利要求1所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合工艺和第二键合工艺于同一键合程序中分步骤执行，或者，所述第一键合工艺和所述第二键合工艺于不同键合程序中分别执行。
12.一种键合结构，其特征在于，所述键合结构利用如权利要求1～11任一项所述的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种键合结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构、所述第二键合结构、所述第三键合结构及所述第四键合结构采用如下设计中的一种：
3.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，通过对所述键合墙的高度和/或所述键合金属的厚度采取不同的设计，以实现所述第一厚度和所述第二厚度的不同。
4.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述键合墙通过刻蚀相应的所述第一键合片或所述第二键合片得到。
5.如权利要求2所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构的厚度大于所述第二键合结构的厚度，所述第三键合结构的厚度等于所述第四键合结构的厚度。
6.如权利要求5所述的键合结构的制备方法，其特征在于，所述第一键合结构包括第一键合墙和沉积在所述第一键合墙表面的键合金属，所述第二键合结构包括第二键合墙和沉积在所述第二键合墙表面的键合金属。
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐希锐，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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