【技术实现步骤摘要】
本技术涉及测试，尤其涉及一种半导体器件测试电路。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件的应用越来越广泛，例如氮化镓晶体管等器件得到了广泛应用。为了保证半导体器件应用可靠性，需要对半导体器件进行可靠性测试。一般进行高温栅极偏置(high-temperature gate bias，htgb)测试和高温反向偏压(hightemperature reverse bias，htrb)测试。
2、图1是现有技术中一种氮化镓晶体管测试电路的结构示意图，如图1所示，第一脉冲电源11与第一开关12的第一端连接，阈值测试模块13与第一开关12的第二端连接，第一开关12的第三端与被测氮化镓晶体管10的栅极连接；第二脉冲电源14与第二开关15的第一端连接，第二开关15的第二端与被测氮化镓晶体管10的漏极连接，第二开关15的第三端与被测氮化镓晶体管10的栅极连接，被测氮化镓晶体管10的源极接地。在第一开关12的第一端与第一开关12的第三端连接，且第二开关15的第二端与第二开关15的第三端连接时，第一脉冲电源11为被测氮化镓晶体管10提供电源，便于对被测氮化镓晶体管10进行高温栅极偏置测试。在第二开关15的第一端与第二开关15的第三端连接，且第一开关12的第二端与第一开关12的第三端连接时，第二脉冲电源14为被测氮化镓晶体管10提供电源，便于对被测氮化镓晶体管10进行高温反向偏压测试。
3、但是图1所示的测试电路无法在线监控被测氮化镓晶体管10被施加动态电压后的漏电流，无法实时监测器件的好坏，并且当对多个被测氮化镓晶体管
技术实现思路
1、本技术提供了一种半导体器件测试电路，以解决无法在线监控被测器件被施加动态电压后的漏电流，并且当对多个被测器件进行检测时，需要多个脉冲电源，测试成本高的问题。
2、本技术提供了一种半导体器件测试电路，半导体器件测试电路包括：功率模块、多个电流采样模块、开关模块和处理模块；
3、所述功率模块的控制端与所述处理模块连接，所述功率模块的输入端连接第一电源，所述功率模块的输出端与被测器件的控制端或所述被测器件的第一端连接，所述被测器件的第二端接地；所述功率模块配置为按照所述处理模块输出的调节信号，并根据所述第一电源产生动态电压至所述被测器件；
4、所述电流采样模块与所述被测器件一一对应设置，所述电流采样模块与所述被测器件的控制端或所述被测器件的第一端连接；所述电流采样模块配置为采集对应被测器件的漏电流信息；
5、所述开关模块的使能端与所述处理模块连接，所述开关模块的第一端与所述电流采样模块连接，所述开关模块的第二端与所述处理模块连接；所述开关模块配置为根据所述处理模块的使能信号依次导通所述开关模块的传输通道，以将所述漏电流信息依次传输至所述处理模块。
6、可选地，所述半导体器件测试电路还包括母线电压采样模块；
7、所述母线电压采样模块与所述功率模块的输入端连接，所述母线电压采样模块与所述处理模块连接；所述母线电压采样模块用于采集所述功率模块的母线电压，所述处理模块配置为将所述母线电压与预设电压进行对比，并在所述母线电压与所述预设电压的差值大于预设阈值时，发出提示信息。
8、可选地，所述母线电压采样模块包括第一电阻、第二电阻和运算放大器；
9、所述第一电阻的第一端与所述功率模块的输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地；
10、所述运算放大器与所述第一电阻的第二端连接，所述运算放大器与所述处理模块连接。
11、可选地，所述电流采样模块包括采样电阻和隔离运放器；
12、所述采样电阻的第一端与所述功率模块的输出端连接，所述采样电阻的第二端与所述被测器件的控制端或所述被测器件的第一端连接；
13、所述隔离运放器的第一输入端与所述采样电阻的第一端连接，所述隔离运放器的第二输入端与所述采样电阻的第二端连接，所述隔离运放器的输出端与所述开关模块的第一端连接。
14、可选地，所述电流采样模块还包括第一电容；
15、所述隔离运放器的第一电源端连接第二电源，所述隔离运放器的第一电源端还与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
16、所述隔离运放器的第二电源端接地。
17、可选地，所述功率模块包括第一功率管和第二功率管；
18、所述第一功率管的控制极与所述处理模块连接，所述第一功率管的第一极连接所述第一电源，所述第一功率管的第二极为所述功率模块的输出端；
19、所述第二功率管的控制极与所述处理模块连接，所述第二功率管的第一极与所述第一功率管的第二极连接，所述第二功率管的第二极接地。
20、可选地，所述半导体器件测试电路还包括驱动模块；
21、所述驱动模块与所述处理模块连接，所述驱动模块的第一输出端与所述第一功率管的控制极连接，所述驱动模块的第二输出端与所述第二功率管的控制极连接。
22、可选地，所述半导体器件测试电路还包括终端模块；
23、所述终端模块与所述处理模块通信连接，所述终端模块配置为获取所述漏电流信息。
24、可选地，所述半导体器件测试电路还包括第一模数转换模块和第二模数转换模块；
25、所述第一模数转换模块连接于所述开关模块的第二端与所述处理模块之间，所述第一模数转换模块配置为将所述漏电流信息转换为第一数字信息，并将所述漏电流信息对应的第一数字信息传输至所述处理模块；
26、所述第二模数转换模块连接于所述母线电压采样模块与所述处理模块之间，所述第二模数转换模块配置为将所述母线电压对应的电压值转换为第二数字信息，并将所述第二数字信息传输至所述处理模块。
27、可选地，所述半导体器件测试电路还包括保护模块；
28、所述保护模块连接于所述功率模块的输出端与所述电流采样模块之间。
29、本技术实施例的技术方案，通过功率模块向多个被测器件传输动态电压，电流采样模块可以实时检测对应被测器件的漏电流信息，从而获取多个被测器件的漏电流信息。并且设置开关模块，开关模块包括多个传输通道，处理模块发出的使能信号依次导通开关模块的传输通道，从而使得开关模块依次将多个被测器件的漏电流信息传输至处理模块。如此，实现对多个被测器件进行漏电流信息的采集，实现对多个被测器件的实时检测，从而实时监测被测器件的好坏，且可以减少电源和功率模块的数量，有利于降低成本。
30、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本技术的范围。本技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种半导体器件测试电路，其特征在于，包括：功率模块、多个电流采样模块、开关模块和处理模块；
2.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括母线电压采样模块；
3.根据权利要求2所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述母线电压采样模块包括第一电阻、第二电阻和运算放大器；
4.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述电流采样模块包括采样电阻和隔离运放器；
5.根据权利要求4所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述电流采样模块还包括第一电容；
6.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述功率模块包括第一功率管和第二功率管；
7.根据权利要求6所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括驱动模块；
8.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括终端模块；
9.根据权利要求2所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括第一模数转换模块和第
10.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括保护模块；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件测试电路，其特征在于，包括：功率模块、多个电流采样模块、开关模块和处理模块；
2.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述半导体器件测试电路还包括母线电压采样模块；
3.根据权利要求2所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述母线电压采样模块包括第一电阻、第二电阻和运算放大器；
4.根据权利要求1所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述电流采样模块包括采样电阻和隔离运放器；
5.根据权利要求4所述的半导体器件测试电路，其特征在于，所述电流采样模块还包括第一电容；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：罗契英，胡孟金，张丽回，莫清深，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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