【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种掩膜版及掩膜版的制备方法。
技术介绍
1、重布线层(re-distribution layer，rdl)是半导体封装技术中的关键组成部分，它通过在芯片与封装基板之间提供额外的互连层来增加互连密度，实现更复杂的布线和更精细的电路设计。rdl不仅有助于缩小封装尺寸，提高集成度，还能改善电气性能，降低信号传输延迟。
2、然而，在多层rdl封装结构的设计中，前层钝化层(如聚酰亚胺，pi)在制造过程中易受药液温度等因素的影响，导致变形和裂纹等问题。随着rdl层数的增加，这种影响会更加显著，并且对封装的可靠性构成威胁。同时，为了提高封装的可靠性和保护内部电路，常采用钝化层覆盖结构，但是这种设计在高密度排布时的情况下，可能会降低封装基板的排布效率。
技术实现思路
1、为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种掩膜版，所述掩膜版包括：
2、玻璃基板；
3、掩膜层，位于在所述玻璃基板上，所述掩膜层在所述玻璃基板上形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括由掩膜本体围合形成的掩膜开口以及位于所述掩膜开口内的掩膜单元；
4、半透膜层，位于所述玻璃基板设置所述掩膜层的一侧，所述半透膜层位于所述掩膜开口内，所述半透膜层用于调节所述掩膜开口处的光透过能量。
5、在一种可能的实现方式中，所述半透膜层包括第一半透膜层，所述第一半透膜层包括半透膜单元；
6、所述半透膜单元位于所述掩膜单元远
7、所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影位于所述半透膜单元在所述玻璃基板的正投影内。
8、在一种可能的实现方式中，所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状与所述半透膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状相同；
9、所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状与所述半透膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状包括圆形。
10、在一种可能的实现方式中，在所述掩膜开口中，所述掩膜单元的数量为多个；
11、至少部分所述掩膜单元远离所述玻璃基板的一侧设置有所述半透膜单元。
12、在一种可能的实现方式中，所述半透膜层还包括第二半透膜层，所述第二半透膜层位于所述掩膜单元远离所述玻璃基板的一侧，且所述第二半透膜层位于所述掩膜开口内；
13、所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影位于所述第二半透膜层在所述玻璃基板上的正投影内；
14、所述半透膜单元在所述玻璃基板上的正投影也位于所述第二半透膜层在所述玻璃基板上的正投影内。
15、在一种可能的实现方式中，所述第二半透膜层在所述玻璃基板上的正投影形状与所述掩膜开口在所述玻璃基板上的正投影形状相同；
16、所述第二半透膜层在所述玻璃基板上的正投影形状与所述掩膜开口在所述玻璃基板上的正投影形状为矩形；
17、所述第二半透膜层与所述掩膜开口对应的边相互平行。
18、在一种可能的实现方式中，所述第二半透膜层与所述掩膜开口之间具有间隙，所述第二半透膜层与所述掩膜开口对应的边之间的间距相等。
19、在一种可能的实现方式中，所述第一半透膜层的透光率为0.05～0.15，所述第二半透膜层的透光率为0.3～0.5。
20、在一种可能的实现方式中，其特征在于，所述掩膜层的材料为吸光材料；
21、所述掩膜层的材料为黑色材料；
22、所述掩膜层的材料包括金属铬。
23、本申请的另一目的在于提供一种掩膜版的制备方法，所述方法应用于多个本申请提供的所述掩膜版中，所述方法包括：
24、提供一玻璃基板；
25、在所述玻璃基板的一侧制作一掩膜材料层，并对所述掩膜材料层进行图案化处理得到掩膜层，所述掩膜层在所述玻璃基板上形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括由掩膜本体围合形成的掩膜开口以及位于所述掩膜开口内的掩膜单元；
26、在所述玻璃基板制作所述掩膜材料层的一侧制作半透膜材料层，对所述半透膜材料层进行图案化处理得到半透膜层，所述半透膜层位于所述掩膜开口内，所述半透膜层用于调节所述掩膜开口处的光透过能量。
27、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的一种掩膜版及掩膜版的制备方法。通过上述掩膜版的结构，可以调整不同区域的曝光能量，不仅能够有效提升多层重布线层(rdl)的封装边缘能量，进而改善前层钝化层在封装边缘出现变形或者裂纹等情况，而且在一定程度上提升封装基板的排布效率，增强了封装的可靠性和耐用性。
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1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜层包括第一半透膜层，所述第一半透膜层包括半透膜单元；
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状与所述半透膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状相同；
4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，在所述掩膜开口中，所述掩膜单元的数量为多个；
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜层还包括第二半透膜层，所述第二半透膜层位于所述掩膜单元远离所述玻璃基板的一侧，且所述第二半透膜层位于所述掩膜开口内；
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第二半透膜层在所述玻璃基板上的正投影形状与所述掩膜开口在所述玻璃基板上的正投影形状相同；
7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第二半透膜层与所述掩膜开口之间具有间隙，所述第二半透膜层与所述掩膜开口对应的边之间的间距相等。
8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一半透膜层的透光率为0.05～0.15，
9.如权利要求1-8中任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜层的材料为吸光材料；
10.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜层包括第一半透膜层，所述第一半透膜层包括半透膜单元；
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状与所述半透膜单元在所述玻璃基板上的正投影形状相同；
4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，在所述掩膜开口中，所述掩膜单元的数量为多个；
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜层还包括第二半透膜层，所述第二半透膜层位于所述掩膜单元远离所述玻璃基板的一侧，且所述第二半透膜层位于所述掩膜开口内；
【专利技术属性】
技术研发人员：顾明亮，叶超，江俊波，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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