【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、半导体器件主要用于与利用半导体的导电特性的电子电路类似的装置的部件。半导体可分为记忆半导体和非记忆半导体。记忆半导体可分为动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)等易失性存储器和掩膜只读存储器(mask rom)、可擦除可编程只读存储器(ep rom)、带电可擦可编程只读存储器(eep rom)及闪存等非易失性存储器。
2、图1示出半导体器件的结构。
3、参照图1，为了制造半导体器件1，首先，在基板100上可交替且反复沉积绝缘层110a至110e和栅极层112a至112e来形成薄膜结构体ts。
4、然后，可形成通过贯通薄膜结构体ts来露出基板100的沟槽tr。
5、当形成沟槽tr时，在沟槽tr内部可形成半导体图案120、130、140、150。更具体地，在沟槽tr内部可分别形成覆盖沟槽tr的至少一部分的粘连层120及配置在粘连层120上的电荷存储层130。并且，可在电荷存储层130上形成隧道层140。在形成隧道层140后，可通过形成沟道层150来覆盖基板100露出的部分。
6、确定图1所示的半导体器件1的电特性的因素之一为电荷存储层130的共形性(conformality)。电荷存储层130的共形性表示在图1中向z轴方向测定的电荷存储层130的厚度的均匀性。例如，电荷存储层130的共形性可以为在半导体器件1的上部区域(例如，栅极层112e周边区域)测定的电荷存储层130的厚度d1与在下
7、然而，随着具有如图1所示的结构的半导体器件1的单元(cell)层叠数量，即，薄膜结构体ts中包括的绝缘层110a至110e和栅极层112a至112e数量的增加，半导体器件1的纵横比(aspect ratio)将会增加。随着半导体器件1的纵横比增加，电荷存储层130沿着z轴方向的长度也会变长，从而在半导体器件1的制造过程中存在电荷存储层130的共形性降低的问题。
8、当电荷存储层130的共形性降低时，可降低半导体器件1的电特性。例如，当电荷存储层130的共形性降低时，存在半导体器件1中包括的单元的阈值电压(thresholdvoltage，vt)分布增加的问题。并且，当电荷存储层130的共形性降低时，存在半导体器件1中包括的各单元间的阈值电压间偏差或半导体器件1的上部区域的单元的阈值电压与下部区域的单元的阈值电压间的偏差增加的问题。
技术实现思路
1、技术问题
2、本说明书的目的在于，在半导体器件的制造过程中提高电荷存储层的共形性，从而提升半导体器件的电特性。
3、本说明书的目的并不局限于上述目的，未提及的本说明书的其他目的和优点通过以下描述的本说明书的实施例而得到更清楚的理解。并且，本说明书的目的和优点可通过专利技术要求保护范围中记载的结构要素和其组合来实现。
4、技术方案
5、本专利技术一实施例的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成薄膜结构体；在上述薄膜结构体形成沟槽；形成覆盖上述沟槽的至少一部分的粘连层；在上述粘连层上形成电荷存储层；将碳掺杂在上述电荷存储层；在上述电荷存储层上形成隧道层；以及形成覆盖上述隧道层和上述基板的沟道层。
6、本专利技术一实施例的半导体器件，可包括：基板；薄膜结构体，形成在上述基板上；粘连层，覆盖形成在上述薄膜结构体的沟槽的至少一部分；电荷存储层，形成在上述粘连层上；隧道层，形成在上述电荷存储层上；以及沟道层，覆盖上述隧道层和上述基板，而且，将碳擦杂在上述电荷存储层。
7、专利技术的效果
8、在半导体器件的制造过程中，本专利技术实施例可提高电荷存储层的共形性。因此，本专利技术实施例可改善半导体器件的电特性，例如，半导体器件中包括的单元的阈值电压分布、单元间的阈值电压偏差及上部区域的单元与下部区域的单元间的阈值电压偏差等特性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将碳掺杂在上述电荷存储层的步骤包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述预设工序压力在1大气压至100大气压范围内确定。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，向上述腔室内提供氛围气体，上述氛围气体是H2、D2及N2中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述腔室内上述热处理的工序温度被确定在400℃至600℃范围内。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述碳化合物包括CH4、C2H4、C2H6、C3H7、C3H8、iC4H10、nC4H10、nC5H12、C6H6、C6H12、C7H8、C8H18、C10H22及C12H26中的至少一种。
7.一种半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，当形成上述电荷存储层时，向准备有上述半导体器件的腔室内
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，上述预设工序压力在1大气压至100大气压范围内确定。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，向上述腔室内提供氛围气体，上述氛围气体是H2、D2及N2中的一种。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，上述腔室内上述热处理的工序温度被确定在400℃至600℃范围内。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，上述碳化合物包括CH4、C2H4、C2H6、C3H7、C3H8、iC4H10、nC4H10、nC5H12、C6H6、C6H12、C7H8、C8H18、C10H22及C12H26中的至少一种。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将碳掺杂在上述电荷存储层的步骤包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述预设工序压力在1大气压至100大气压范围内确定。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，向上述腔室内提供氛围气体，上述氛围气体是h2、d2及n2中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述腔室内上述热处理的工序温度被确定在400℃至600℃范围内。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述碳化合物包括ch4、c2h4、c2h6、c3h7、c3h8、ic4h10、nc4h10、nc5h12、c6h6、c6h12、c7h8、c8h18、c10h22及c12h26中的至少一种。
7.一种半...
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