【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路设计及制造，特别是涉及一种存储器及其制备方法、版图结构。
技术介绍
1、随着半导体技术的快速发展，市场对集成电路的集成度、性能及可靠性的要求越来越高。
2、在三维非易失性存储器等半导体存储装置中，为了提高数据读写控制的灵活性，利用隔离结构将存储单元阵列隔离成作为数据读写单位的多个读写单元区域。
3、然而，在制备不同读写单元区域之间的隔离结构期间，很容易造成存储单元损伤或损坏，导致存储器的存储密度、性能及可靠性降低。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的技术问题，提供一种存储器及其制备方法、版图结构，至少能够有效避免出现因制备狭缝图形而导致目标图形损伤或损坏的情况。
2、根据本公开的各种实施例，本公开第一方面提供了一种版图结构，包括多个目标图形及狭缝图形，多个目标图形沿第一方向间隔排列成行以及沿与第一方向相交的第二方向间隔排列成列；狭缝图形位于多个目标图形之间，且至少一狭缝图形沿第二方向延伸；其中，狭缝图形至少位于沿第一方向分布的两个目标图形之间的区域内，且狭缝图形在第一方向上的长度不小于目标图形在第一方向上的尺寸。
3、上述实施例中的版图结构，通过设置沿第二方向延伸的狭缝图形位于多个目标图形之间，并设置狭缝图形在第一方向上的长度不小于目标图形在第一方向上的尺寸，使得狭缝图形位于沿第一方向分布的两个目标图形之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的目标图形不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致
4、在一些实施例中，狭缝图形在第一方向的长度不小于目标图形在第一方向上的尺寸的两倍，以便于根据目标图形在第一方向上的尺寸的两倍，来设置狭缝图形在第一方向上的尺寸，保证狭缝图形位于沿第一方向分布的两个目标图形之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的目标图形不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致的目标图形损伤或损毁事件。
5、在一些实施例中，至少两条沿第一方向的长度不同的狭缝图形沿第一方向间隔排布，以便于根据目标图形阵列中目标图形的实际排布来设置不同狭缝图形的尺寸，在保证制备目标图形的形貌及质量的同时，尽量减少因制备狭缝图形而导致的目标图形去除数量。
6、在一些实施例中，至少一狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合，实现根据目标图形的分布来设置狭缝图形的弯曲形貌或弯曲程度，保证狭缝图形位于沿第一方向分布的两个目标图形之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的目标图形不接触。
7、在一些实施例中，狭缝图形不接触目标图形，完全避免因制备狭缝图形而导致的目标图形损伤事件。
8、在一些实施例中，狭缝图形与至少一目标图形重叠。
9、根据本公开的一些实施例，本公开的第二方面提供了一种存储器，包括衬底、叠层结构、多个图形柱及狭缝图形；叠层结构位于衬底上；多个图形柱沿第一方向间隔排列成行，以及沿与第一方向相交的第二方向间隔排列成列；多个图形柱沿第三方向贯穿叠层结构，第三方向与第一方向、第二方向均相交；至少一沿第二方向延伸的狭缝图形，至少位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，且沿第三方向延伸至衬底，且狭缝图形沿第一方向的长度不小于图形柱在第一方向上的尺寸。
10、上述实施例中的存储器，通过设置沿第二方向延伸的狭缝图形位于多个图形柱之间，并设置狭缝图形在第一方向上的长度不小于图形柱在第一方向上的尺寸，使得狭缝图形位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的图形柱不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致的图形柱损伤或损毁事件，有利于提高单位面积内图形柱的分布密度，保证制备图形柱的形貌及质量。
11、在一些实施例中，狭缝图形的沿第一方向的尺寸，在沿第三方向背离衬底的方向上逐渐增大，有效避免在刻蚀形成狭缝图形的过程中损伤相邻的图形柱。
12、在一些实施例中，狭缝图形在第一方向上的长度，不小于图形柱在第一方向上的尺寸的两倍，以便于根据图形柱在第一方向上的尺寸的两倍，来设置狭缝图形在第一方向上的尺寸，保证狭缝图形位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的图形柱不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致的图形柱损伤或损毁事件。
13、在一些实施例中，至少两条沿第一方向的长度不同的狭缝图形沿第一方向间隔排布，以便于根据图形柱阵列中图形柱的实际排布来设置不同狭缝图形的尺寸，在保证制备图形柱的形貌及质量的同时，尽量减少因制备狭缝图形而导致的图形柱去除数量。
14、在一些实施例中，至少一狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合，实现根据图形柱的分布来设置狭缝图形的弯曲形貌或弯曲程度，保证狭缝图形位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的图形柱不接触。
15、在一些实施例中，狭缝图形不接触图形柱，完全避免因制备狭缝图形而导致的图形柱损伤事件。
16、在一些实施例中，狭缝图形接触部分的至少另一图形柱，实现根据图形柱的实际分布来设置狭缝图形，以降低制备狭缝图形的工艺复杂度及成本。
17、根据本公开的一些实施例，本公开的第三方面提供了一种存储器制备方法，包括：
18、提供前层，前层包括沿第一方向间隔排列成行，以及沿与第一方向相交的第二方向间隔排列成列的多个图形柱；
19、于前层上形成掩膜层，掩膜层包括至少一沿第二方向延伸的狭缝开口，狭缝开口至少位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，且两个图形柱沿第一方向之间还存在至少一个图形柱，狭缝开口完全暴露至少一图形柱；
20、基于掩膜层对前层进行蚀刻，在前层上形成狭缝；以及
21、形成绝缘材料填充狭缝以形成狭缝图形。
22、上述实施例中的存储器制备方法，通过在多个图形柱之间制备沿第二方向延伸的狭缝图形，并设置狭缝图形在第一方向上的长度不小于图形柱在第一方向上的尺寸，使得狭缝图形位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的图形柱不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致的图形柱损伤或损毁事件，有利于提高单位面积内图形柱的分布密度，保证制备图形柱的形貌及质量。
23、在一些实施例中，狭缝图形沿第一方向的长度不小于图形柱的沿第一方向的尺寸，使得狭缝图形位于沿第一方向分布的两个图形柱之间的区域内，尽量保证狭缝图形与其沿第一方向相邻的图形柱不接触，有效避免出现因制备狭缝图形而导致的图形柱损伤或损毁事件，有利于提高单位面积内图形柱的分布密度，保证制备图形柱的形貌及质量。
24、在一些实施例中，图形柱在第一方向上具有一尺寸，狭缝图形沿第一方向的长度不小于图形柱在第一方向上的尺寸的两倍，以便于根据图形柱在第一方向上的尺寸的两倍，来设置狭缝图形在第一方向上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形在所述第一方向的长度不小于所述尺寸的两倍。
3.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，至少两条沿所述第一方向的所述长度不同的狭缝图形沿所述第一方向间隔排布。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，至少一所述狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形不接触所述目标图形。
6.根据权利要求1-4任一项所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形与至少一所述目标图形重叠。
7.一种存储器，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形的沿所述第一方向的尺寸，在沿所述第三方向背离所述衬底的方向上逐渐增大。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形在所述第一方向上的长度不小于所述尺寸的两倍。
10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，至少两条沿所述第一方向的所述长度不同
11.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，至少一所述狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合。
12.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形不接触所述图形柱。
13.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形接触部分的所述至少另一图形柱。
14.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，所述狭缝图形沿所述第一方向的长度不小于所述图形柱的沿所述第一方向的尺寸。
16.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，所述图形柱在所述第一方向上具有一尺寸，所述狭缝图形沿所述第一方向的长度不小于所述图形柱的所述尺寸的两倍。
17.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，至少两条沿所述第一方向的长度不同的狭缝图形沿所述第一方向间隔排布。
18.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，至少一所述狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合。
19.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，所述狭缝图形不接触所述图形柱。
20.根据权利要求14所述的存储器制备方法，其特征在于，所述狭缝暴露部分的所述至少另一图形柱。
...【技术特征摘要】
1.一种版图结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形在所述第一方向的长度不小于所述尺寸的两倍。
3.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，至少两条沿所述第一方向的所述长度不同的狭缝图形沿所述第一方向间隔排布。
4.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，至少一所述狭缝图形包括波浪状、折线状或其组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形不接触所述目标图形。
6.根据权利要求1-4任一项所述的版图结构，其特征在于，所述狭缝图形与至少一所述目标图形重叠。
7.一种存储器，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形的沿所述第一方向的尺寸，在沿所述第三方向背离所述衬底的方向上逐渐增大。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述狭缝图形在所述第一方向上的长度不小于所述尺寸的两倍。
10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，至少两条沿所述第一方向的所述长度不同的狭缝图形沿所述第一方向间隔排布。
11.根据权利要求8所述的存储器，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘利晨，夏忠平，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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