【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体硅片，具体地，涉及提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法及硅片。
技术介绍
1、硅片加工过程中，为去除硅片表面的机械损伤层，目前业界采用湿法腐蚀的加工工艺，其中酸腐蚀主要用的药液为高浓度氢氟酸、硝酸和醋酸混合酸溶液。酸腐蚀结束后容易在硅片表面造成污迹或者药残。目前的洗净方式，洗净能力不足，不能完全将硅片表面清洗干净，从而影响硅片的表面洁净度。部分工艺在酸腐蚀结束后，在高温条件下采用高浓度碱溶液对硅片表面进一步碱腐蚀，从而达到提高表面洁净度的效果，但是该方法首先需要使用较多的碱溶液，容易对环境造成污染，并且成本较高，其次碱溶液纯度较差，腐蚀温度高时，溶液中的金属扩散程度大，容易对硅片造成金属污染，再次碱腐蚀的腐蚀特点为各向异性，高浓度溶液容易造成硅片表面粗糙度较大。目前亟需一种环保、成本低、面状态好的洗净方法。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法及硅片。
2、根据本专利技术提供的一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，包括：
3、步骤s1：使用低浓度且浓度满足预设要求的tmah有机溶液去除从酸腐蚀液中取出的硅片表面的酸液以及硅片表面的杂质；
4、步骤s2：使用去离子水冲洗；
5、步骤s3：使用低浓度且浓度满足预设要求的hf溶液清洗，去除硅片表面金属；
6、步骤s4：使用去离子水冲洗；
7、步骤s5：使用低浓度且浓度满足预设要求的碱溶液进行
8、步骤s6：使用低浓度且浓度满足预设要求的表面活性剂溶液进行清洗；
9、步骤s7：使用去离子水冲洗；
10、步骤s8：使用低浓度且浓度满足预设要求的hf溶液进行清洗，去除硅片表面金属；
11、步骤s9：使用去离子水冲洗。
12、优选地，所述步骤s1包括：所述tmah有机溶液浓度为0.5％～1％；处理温度为50～60℃，处理时间8min。
13、优选地，所述使用去离子水冲洗包括：溢流量为20l/min，冲洗时间8min。
14、优选地，所述使用低浓度且浓度满足预设要求的hf溶液进行清洗，去除硅片表面金属，包括：hf溶液浓度为5％～8％；处理温度为常温；处理时间8min。
15、优选地，所述步骤s5包括：所述碱溶液为naoh溶液，浓度为10％～15％，处理温度为30～40℃，处理时间8min。
16、优选地，所述步骤s5包括：在清洗槽的槽底增加转轴，硅片在清洗过程中，转轴不断转动。
17、优选地，所述步骤s6包括：所述表面活性剂溶液浓度为0.1％～0.5％，温度为常温，处理时间8min。
18、根据本专利技术提供的一种硅片，利用上述所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法清洗获得。
19、与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
20、1、本专利技术使用低浓度碱溶液，低加工温度，较短洗净流程的洗净方式，可以实现环保、成本低、金属扩散程度低、表面粗糙度小的硅片加工要求；
21、2、本专利技术提高腐蚀后硅片表面洁净度，提高硅片的外观质量水平以及可靠性。
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1.一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述步骤S1包括：所述TMAH有机溶液浓度为0.5％～1％；处理温度为50～60℃，处理时间8min。
3.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述使用去离子水冲洗包括：溢流量为20L/min，冲洗时间8min。
4.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述使用低浓度且浓度满足预设要求的HF溶液进行清洗，去除硅片表面金属，包括：HF溶液浓度为5％～8％；处理温度为常温；处理时间8min。
5.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述步骤S5包括：所述碱溶液为NaOH溶液，浓度为10％～15％，处理温度为30～40℃，处理时间8min。
6.根据权利要求5所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述步骤S5包括：在清洗槽的槽底增加转轴，硅片在清洗过程中，转轴不断转动。
7.根据权利
8.一种硅片，其特征在于，利用权利要求1至7任一项权利要求所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法清洗获得。
...【技术特征摘要】
1.一种提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述步骤s1包括：所述tmah有机溶液浓度为0.5％～1％；处理温度为50～60℃，处理时间8min。
3.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述使用去离子水冲洗包括：溢流量为20l/min，冲洗时间8min。
4.根据权利要求1所述的提高腐蚀硅片表面洁净度的洗净方法，其特征在于，所述使用低浓度且浓度满足预设要求的hf溶液进行清洗，去除硅片表面金属，包括：hf溶液浓度为5％～8％；处理温度为常温；处理时间8min。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：井硕，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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