System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用技术_技高网

氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用技术

技术编号:43468409 阅读:12 留言:0更新日期:2024-11-27 13:05
本发明专利技术公开了一种氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用,属于氧化铝陶瓷基片领域。所述氧化铝陶瓷基片,以质量百分比计,包括:氧化铝粉40%~60%,所述氧化铝粉的粒径D50为500nm‑1000nm,溶剂30%~45%,分散剂1%~3%,增塑剂5%~10%,粘结剂2%~5%。本发明专利技术提供的氧化铝陶瓷基片外观无缺陷且具备优异的电学性能和力学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氧化铝陶瓷基片领域,具体涉及一种氧化铝陶瓷基片及其制备方法及应用


技术介绍

1、陶瓷基片具有体积小、重量轻、耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介电损耗低、热导率大、化学稳定性好、热膨胀系数与元件相近等优点,在许多行业中发挥着重要作用氧化铝陶瓷基片是陶瓷基片的一种,氧化铝陶瓷通过氧化铝纯度进行分类,氧化铝纯度为>99%被称为刚玉瓷,氧化铝纯度为99%、95%和90%左右被称为99瓷、95瓷和90瓷,纯度越高的陶瓷片其介电常数越高,介质损耗越低,其基片的光洁度越好。氧化铝陶瓷基片作为一种基片材料广泛应用于射频微波电子行业,其介电常数高可使电路小型化,其热稳定性好,温漂小,基片强度及化学稳定性高,性能优于其他大部分氧化物材料,可应用于各类厚膜电路、薄膜电路、混合电路、微波组件模块等。

2、然而,目前高纯度的氧化铝陶瓷基片外观缺陷多、介电性能及力学性能较差。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足,本专利技术提出一种氧化铝陶瓷基片及其制备方法,旨在解决目前高纯度的氧化铝陶瓷基片外观缺陷多、介电性能及力学性能较差的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术提出一种氧化铝陶瓷基片,以质量百分比计,包括:氧化铝粉40%~60%,所述氧化铝粉的粒径d50为500nm-1000nm,溶剂30%~45%,分散剂1%~3%,增塑剂5%~10%,粘结剂2%~5%。

3、可选地,所述氧化铝粉的微观形貌为球形。

4、可选地,所述氧化铝粉的粒径分布的span值为1-1.2。

5、可选地,所述球氧化铝粉的粉体纯度为不低于99%。

6、可选地,所述溶剂包括酯和醇的混合物,所述酯为乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种,所述醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种;和/或,所述增塑剂包括邻苯二甲酸二辛酯和/或聚乙二醇;和/或,所述粘结剂包括聚乙烯醇缩丁醛;和/或,所述分散剂包括三油酸甘油酯。

7、为实现上述目的,本专利技术提出一种上述氧化铝陶瓷基片的制备方法,包括以下步骤:

8、将球形氧化铝粉加至溶剂中,再加入分散剂第一次球磨混合,得到中间产物,向所述中间产物中加入增塑剂和粘结剂第二次球磨混合,得到浆料;

9、将所述浆料流延成型,得到生瓷带;

10、将所述生瓷带叠层等静压然后烧结,得到氧化铝陶瓷基片。

11、可选地,所述生瓷带的厚度为30um-60um。

12、可选地,所述叠层等静压的温度为50℃-80℃,压力为50mpa-100mpa,保压时间为5min-20min。

13、可选地,所述烧结包括第一段烧结和第二段烧结,其中,所述第一段烧结温度为由室温升至400℃~1000℃,所述升温的速率为0.1℃/min~0.5℃/min;所述第二段烧结温度为由室温升至1450℃~1600℃,所述升温的速率为1℃/min~1.5℃/min。

14、为了实现上述目的,本专利技术还提出一种氧化铝陶瓷基片的应用,所述氧化铝陶瓷基片应用于电子元器件领域、光电领域或新能源领域。

15、本专利技术的有益效果:本专利技术针对氧化铝陶瓷基片的氧化铝粉体进行调控,采用球形氧化铝粉代替片状氧化铝粉,避免纳米粉易团聚烧结后产品内部或表面存在晶粒尺寸偏大、晶粒长径比太大情况,进而避免氧化铝陶瓷基片产生灰点、白斑等外观不良,有利于后加工或后处理,并且能够得到介电性能及力学性能提升的氧化铝陶瓷基片产品。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化铝陶瓷基片,其特征在于,以质量百分比计,包括:

2.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的微观形貌为球形。

3.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的粒径分布的Span值为1-1.2。

4.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的粉体纯度为不低于99%。

5.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述溶剂包括酯和醇的混合物,所述酯为乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种,所述醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种;

6.一种如权利要求1~5中任意一项所述的氧化铝陶瓷基片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

7.如权利要求6所述的氧化铝陶瓷基片的制备方法,其特征在于,所述生瓷带的厚度为30um-60um。

8.如权利要求6所述的氧化铝陶瓷基片的制备方法,其特征在于,所述叠层等静压的温度为50℃-80℃,压力为50MPa-100MPa,保压时间为5min-20min。

9.如权利要求6所述的氧化铝陶瓷基片的制备方法,其特征在于,所述烧结包括第一段烧结和第二段烧结,

10.一种如权利要求1~5中任意一项所述的氧化铝陶瓷基片的应用,其特征在于,所述氧化铝陶瓷基片应用于电子元器件领域、光电领域或新能源领域。

...

【技术特征摘要】

1.一种氧化铝陶瓷基片,其特征在于,以质量百分比计,包括:

2.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的微观形貌为球形。

3.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的粒径分布的span值为1-1.2。

4.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述氧化铝粉的粉体纯度为不低于99%。

5.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基片,其特征在于,所述溶剂包括酯和醇的混合物,所述酯为乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一种,所述醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇中的至少一种;

6.一种如权利要求1~5...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡传灯邢增凯李珊珊
申请(专利权)人:广东环波新材料有限责任公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1