【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及集成电路存储器件和其中的行译码器。
技术介绍
1、存储器件的存储容量不断增加。随着存储器件的存储容量增加，选择存储器单元的相邻字线之间的间距(pitch)(单元间距)通常减小。随着相邻字线之间的间距减小，包括在字线驱动电路中的晶体管的尺寸也同样减小，以适应更小的间距。不幸的是，当晶体管的尺寸减小到特定水平以下时，诸如当高电压(vpp)施加到字线驱动电路时，字线驱动电路内的晶体管的性能可能劣化。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种被配置为防止其中的晶体管劣化并提高可靠性的行译码器以及包括这种行译码器的存储器件。
2、根据示例实施例，一种行译码器包括第一主字线驱动电路和第二主字线驱动电路，所述第一主字线驱动电路和所述第二主字线驱动电路中的每一者包括多个晶体管并被配置为生成彼此相邻延伸的不同主字线的驱动信号。在所述多个晶体管当中，当在与衬底垂直的方向上观察时，所述第一主字线驱动电路的第一晶体管和所述第二主字线驱动电路的第二晶体管可以设置在不同的行中；所述第一晶体管和所述第二晶体管可以具有相同功能。
3、根据另一示例实施例，一种行译码器包括多个主字线驱动电路，所述多个主字线驱动电路连续设置在与衬底的平面平行的第一方向上，并且被配置为分别生成与不同主字线相关联的驱动信号。所述多个主字线驱动电路中的每一个主字线驱动电路可以包括设置在与所述平面平行并与所述第一方向垂直的第二方向上的多个晶体管。在彼此相邻的第一主字线驱动电路和第
4、根据另外的示例实施例，一种存储器件包括：第一主字线驱动电路，所述第一主字线驱动电路被配置为向第一子字线组提供字线驱动信号；以及第二主字线驱动电路，所述第二主字线驱动电路被配置为向第二子字线组提供字线驱动信号。当在与衬底的平面垂直的方向上观察时，在所述第一主字线驱动电路和所述第二主字线驱动电路中的每一者中执行相同功能的一个或更多个第一晶体管可以设置在不同的行中。所述第一子字线组和所述第二子字线组中的每一者可以包括多个子字线驱动器。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种行译码器，所述行译码器包括：
2.根据权利要求1所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在与所述第一主字线和所述第二主字线延伸的方向垂直的行当中的不同的行中。
3.根据权利要求1所述的行译码器，其中，当所述第一主字线驱动电路和所述第二主字线驱动电路各自以列的结构设置时，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在与所述列垂直的行当中的不同的行中。
4.根据权利要求1所述的行译码器，
5.根据权利要求4所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者是所述场弛豫晶体管。
6.根据权利要求4所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者是所述保持晶体管。
7.根据权利要求6所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，与所述保持晶体管的栅极的主轴的方向垂直的所述保持晶体管的栅极的次轴的长度大于所述PMOS晶体管的次轴的长度。
8.根据权利要求6所述的行译码器，其中，所述保持晶体管的栅极与形成在所述保持晶体管的有源区中的接触之间的第一距离大于
9.根据权利要求6所述的行译码器，所述行译码器还包括：
10.根据权利要求6所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，所述第一晶体管设置在与所述第二主字线驱动电路的所述PMOS晶体管相同的行中。
11.根据权利要求10所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，所述第一晶体管包括弯曲部分。
12.根据权利要求11所述的行译码器，其中，所述弯曲部分被形成为从所述第一晶体管的栅极的主轴的方向向所述PMOS晶体管所设置的方向突出。
13.根据权利要求10所述的行译码器，其中，所述保持晶体管与所述PMOS晶体管共享所述源极端子和所述漏极端子中的至少一者。
14.根据权利要求3所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面平行的方向上观察时，所述第一晶体管的有源区和所述第二晶体管的有源区被设置为彼此至少部分地交叠。
15.根据权利要求3所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在与虚置晶体管相同的行中，所述虚置晶体管包括虚置栅极和虚置有源区。
16.根据权利要求15所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，所述虚置栅极的最外边界包括所述虚置有源区的边界的至少一部分。
17.根据权利要求15所述的行译码器，其中，当在与所述衬底垂直的方向上观察时，所述虚置栅极包括至少部分中空的部分。
18.根据权利要求2所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面平行的方向上观察时，所述第一晶体管和所述第二晶体管不包括栅极接片。
19.一种行译码器，所述行译码器包括：
20.一种存储器件，所述存储器件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种行译码器，所述行译码器包括：
2.根据权利要求1所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在与所述第一主字线和所述第二主字线延伸的方向垂直的行当中的不同的行中。
3.根据权利要求1所述的行译码器，其中，当所述第一主字线驱动电路和所述第二主字线驱动电路各自以列的结构设置时，所述第一晶体管和所述第二晶体管设置在与所述列垂直的行当中的不同的行中。
4.根据权利要求1所述的行译码器，
5.根据权利要求4所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者是所述场弛豫晶体管。
6.根据权利要求4所述的行译码器，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者是所述保持晶体管。
7.根据权利要求6所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，与所述保持晶体管的栅极的主轴的方向垂直的所述保持晶体管的栅极的次轴的长度大于所述pmos晶体管的次轴的长度。
8.根据权利要求6所述的行译码器，其中，所述保持晶体管的栅极与形成在所述保持晶体管的有源区中的接触之间的第一距离大于所述pmos晶体管的栅极与形成在所述pmos晶体管的有源区中的接触之间的第二距离。
9.根据权利要求6所述的行译码器，所述行译码器还包括：
10.根据权利要求6所述的行译码器，其中，当在与所述衬底的平面垂直的方向上观察时，所述第一晶体管设置在与所述第二主字线驱动电路的所述pmos晶体管相同的行中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金暻旻，金玟采，朴修进，元福渊，李范在，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。