System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体集成电路以及电子设备制造技术_技高网

半导体集成电路以及电子设备制造技术

技术编号:43461658 阅读:4 留言:0更新日期:2024-11-27 12:59
提供一种半导体集成电路,其兼具多沟道的电压降低检测功能和特定沟道的电压上升检测功能。半导体集成电路具有:多个端子,其包含第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子;第一检测电路,其在检测到所述第一输入端子的电压降低时,使第一信号有效;第二检测电路,其在检测到所述第一输入端子的过电压时,使第二信号有效;第三检测电路,其在检测到所述第二输入端子的电压降低时,使第三信号有效;第一输出电路,其监视所述第一信号和所述第二信号,在所述第一信号或所述第二信号有效时,从所述第一输出端子输出第一复位信号;第二输出电路,其监视所述第三信号,在所述第三信号有效时,从所述第二输出端子输出第二复位信号。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体集成电路以及电子设备


技术介绍

1、已知有一种复位用半导体集成电路,其具有电压检测电路,并在监视对象的电源电压低于规定电平时输出复位信号(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献1:日本特开2022-129021号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、然而,在现有技术中,在监视对象电压为2沟道以上的情况下,有时需要与监视对象电压同数量的半导体集成电路。另外,根据监视对象电压的不同,除了电压降低的检测之外,有时还要求检测过电压等电压上升并输出复位信号。

3、本公开提供一种兼具多沟道的电压降低检测功能和特定沟道的电压上升检测功能的半导体集成电路、以及具有该半导体集成电路的电子设备。

4、用于解决课题的手段

5、本公开的一方式的半导体集成电路具有:

6、多个端子,其包含第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子以及第二输出端子;

7、第一检测电路,其在检测到所述第一输入端子的电压降低时,使第一信号有效;

8、第二检测电路,其在检测到所述第一输入端子的过电压时,使第二信号有效;

9、第三检测电路,其在检测到所述第二输入端子的电压降低时,使第三信号有效;

10、第一输出电路,其监视所述第一信号和所述第二信号,在所述第一信号或所述第二信号有效时,从所述第一输出端子输出第一复位信号;以及

11、第二输出电路,其监视所述第三信号,在所述第三信号有效时,从所述第二输出端子输出第二复位信号。

12、本公开的另一方式的半导体集成电路具有:

13、多个端子,其包含第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子以及第二输出端子;

14、第一检测电路,其与所述第一输入端子连接;

15、第二检测电路,其与所述第一输入端子连接;

16、第三检测电路,其与所述第二输入端子连接;

17、第一输出电路,其在由所述第一检测电路检测到所述第一输入端子的电压比第一阈值低时、或者由所述第二检测电路检测到所述第一输入端子的电压比高于所述第一阈值的第二阈值高时,从所述第一输出端子输出第一复位信号;以及

18、第二输出电路,其在由所述第三检测电路检测到所述第二输入端子的电压比第三阈值低时,从所述第二输出端子输出第二复位信号。

19、专利技术效果

20、本公开能够提供兼具多沟道的电压降低检测功能和特定沟道的电压上升检测功能的半导体集成电路、以及具有该半导体集成电路的电子设备。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体集成电路,其特征在于,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于,

7.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于,

8.一种半导体集成电路,其特征在于,具有:

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路,其特征在于,

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体集成电路,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路,其特征在于,

12.根据权利要求11所述的半导体集成电路,其特征在于,

13.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体集成电路,其特征在于,

14.一种电子设备,其特征在于,具有:

15.根据权利要求14所述的电子设备,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种半导体集成电路,其特征在于,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于,

7.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于,

8.一种半导体集成电路,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:平井胜
申请(专利权)人:三美电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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