【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路设计领域，更具体地，涉及电压比较器。
技术介绍
1、随着科技的进步和集成电路设计的发展，芯片已经得到广泛的应用并已经涉及到日常生活的方方面面。电压比较器作为一个连接数字信号和模拟信号的桥梁，是集成电路设计(比如振荡器、adc、dac等)中应用最多的功能模块之一。电压比较器能够比较正负输入两端的电压信号，其功耗、速度、精度、延迟时间等是电压比较器的主要参数指标。电压比较器分为静态和动态比较器。一般地，动态比较器需要高频时钟，具有速度高的有点，但是其噪声较大；静态比较器想要实现较高速度会使用较大的工作电流，因此功耗较大。
技术实现思路
1、在一方面中，根据本申请的实施例提供了一种电压比较器，包括：顺次电联接的偏置电路、第一反馈环路、输入级、第二反馈环路和输出级，其中，偏置电路提供稳定的直流偏置电压或电流；述第一反馈环路保持输入级的差分电压信号的平衡态；输入级接收差分电压信号，采用nmos管差分对来对差分电压信号进行共源放大并抑制共模噪声，并采用两个栅漏短接的pmos管作为负载来提供差分输出信号；第二反馈环路利用电容耦合输出级的输出信号的变化而引入正反馈以提高输出级对差分输出信号的比较速度；以及输出级采用电流镜结构将输入级的差分输出信号转换为单端输出信号。
2、根据本申请的实施例提供的电压比较器，能够在较低的功耗下实现较低的延迟时间。
【技术保护点】
1.一种电压比较器，包括：
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其中，
3.根据权利要求2所述的电压比较器，其中，
4.根据权利要求3所述的电压比较器，其中，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述偏置电路包括：偏置电流源、第一NMOS管和第一电容，其中，
6.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述第一反馈环路包括：第一电阻、第二电容和第二NMOS管，其中，
7.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述输入级包括：第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中，
8.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述第二反馈环路包括：第二电阻、第三电容、第四电容和第六NMOS管，其中，
9.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述输出级包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管，其中，
10.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中所述
...【技术特征摘要】
1.一种电压比较器，包括：
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其中，
3.根据权利要求2所述的电压比较器，其中，
4.根据权利要求3所述的电压比较器，其中，
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述偏置电路包括：偏置电流源、第一nmos管和第一电容，其中，
6.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述第一反馈环路包括：第一电阻、第二电容和第二nmos管，其中，
7.根据权利要求1-4中任一项所述的电压比较器，其中，所述输入级包括：第三nmos管、第四nmos管、第五...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶亮，
申请(专利权)人：广州昂宝电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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