【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体的，具体涉及一种带有标识的芯片及晶圆上芯片位置的标识方法。
技术介绍
1、在集成电路中，为追踪在后续使用过程中，晶圆上不同位置芯片的特性，或者根据失效芯片，反推在晶圆上的位置，通常在每颗芯片上做标识，来表征芯片在晶圆上的位置。
2、制作工艺中，晶圆会被区分为网格状的若干个曝光区域(shot)，每个shot中包含多个芯片(die)，例如矩阵式芯片组。通常将shot作为生产中的基本单位，比较典型的就是基本的曝光单位(photograph)以进行光刻工艺中的曝光操作等。有很多种情况需要确定某一芯片组具体位置或某几个芯片组的位置，如根据测试结果找出某一芯片测试值所在的shot的位置等，因此需要为每个芯片标注上shot id(曝光区域的身份标识)，由此使得每一个芯片在晶圆上切割下来后仍能被识别出其原先在晶圆的哪个曝光区域。现有技术在芯片上采用横、纵坐标的数字/字母字体标识shot id，再加上字体间距，这需要比较大的面积来实现，影响了芯片面积和产出数量。
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术存在的不足，提供一种带有标识的芯片及芯片位置的标识方法。
2、为了实现以上目的，本专利技术的技术方案为：
3、一种带有标识的芯片，所述芯片表面具有shot id图案，所述shot id图案用于指示芯片在晶圆上的位置；所述shot id图案包括若干图形单元，所述shot id图案规划有第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有若干点位，以空白点位或图形
4、其中shot指曝光区域，shot id指曝光区域的身份标识。
5、可选的，所述shot id图案还规划有一指示行，所述指示行按照阵列形式具有若干点位，至少一点位填充所述图形单元用于定位。
6、可选的，所述指示行位于所述第一行相对第二行的一侧，或所述第二行相对第一行的一侧；所述指示行的至少两个间隔设置的点位填充所述图形单元，其中一图形单元填充于首列点位。
7、可选的，所述象限点位位于所述shot id图案的第一行和第二行的首列或末列。
8、可选的，所述图形单元通过图形化金属沉积工艺形成金属图案于所述芯片的表面。
9、可选的，所述图形单元的特征尺寸为3～8μm。
10、可选的，填充相邻点位的所述图形单元相接设置。
11、可选的，图形单元采用规则的图形，包括但不限于圆形和多边形等，其中多边形优选为正方形。这里所述的特征尺寸，对于正方形来说，是指其边长；对于圆形来说是指其直径；对于其他多边形，是指其外接圆的直径。
12、一种晶圆，其包括若干上述的带有标识的芯片；所述晶圆定义有网格二维坐标系，坐标原点与所述晶圆的圆心重合，每一网格对应一shot单元，每一shot单元内包括若干所述带有标识的芯片；同一shot单元内的芯片具有相同的shot id图案。
13、一种晶圆上芯片位置的标识方法，包括：
14、于晶圆上定义出格网二维坐标系，使格网二维坐标系的原点与所述晶圆的圆点重合以规划四个象限，每一网格对应一shot单元，每一shot单元具有第一方向和第二方向的坐标；所述晶圆具有复数个芯片，每一shot单元包括若干芯片；
15、于各芯片的表面形成shot id图案，所述shot id图案包括若干图形单元，所述shot id图案规划有第一行和第二行，每一行按阵列形式具有若干点位，将芯片所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标数字转换成二进制编码，并通过图形单元于第一行和第二行的点位中的排布来表示，其中空白点位或图形单元填充点位之一表示“0”，另一表示“1”；所述shot id图案的第一行和第二行还分别包括象限点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示“－”，另一表示“+”或“0”。
16、一种带有标识的芯片，所述芯片表面具有shot id图案，所述shot id图案用于指示芯片在晶圆上的位置；所述shot id图案包括若干图形单元，所述shot id图案规划有指示行、第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有4个点位；第一行和第二行的首列点位为象限点位，其中象限点位空白表示“－”，象限点位填充图形单元表示“+”或“0”；第一行和第二行的其他3列点位为数字点位，空白表示0，填充图形单元表示1，通过数字点位图形单元的排布形成二进制编码；第一行和第二行的二进制编码转换为十进制数字分别表示芯片在晶圆上所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标数字，象限点位表示坐标数字的+/－；指示行的首列点位和第三列点位填充图形单元。
17、可选的，所述图形单元的形状为圆形或多边形；所述形状为多边形时，填充相邻点位的多边形具有共用的边。
18、可选的，所述图形单元采用金属材料形成，金属厚度为0.2-2μm。
19、本专利技术的有益效果为：
20、采用shot id图案，将shot单元的坐标转换成二进制编码并通过图形单元在芯片表面的排列来表示，可以通过较小的shot id图案面积标识芯片在晶圆中所属的shot单元及其位置，有益于芯片的小型化和产出数量；并通过象限点位快速定位其位于晶圆中的位置，以便于后续追踪；并且可扩展性强，可以通过增加很小的面积实现更多的表征数，对于大尺寸规模化生产具有重要的意义。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带有标识的芯片，其特征在于：所述芯片表面具有shot ID图案，所述shot ID图案用于指示芯片在晶圆上的位置；所述shot ID图案包括若干图形单元，所述shot ID图案规划有第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有若干点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示二进制编码的“0”，另一表示二进制编码的“1”；第一行和第二行的二进制编码转换为十进制数字分别表示芯片在晶圆上所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标；其中晶圆以圆心为坐标原点，所述shot ID图案的第一行和第二行还分别包括象限点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示“－”，另一表示“+”或“0”。
2.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述shot ID图案还规划有一指示行，所述指示行按照阵列形式具有若干点位，至少一点位填充所述图形单元用于定位。
3.根据权利要求2所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述指示行位于所述第一行相对第二行的一侧，或所述第二行相对第一行的一侧；所述指示行的至少两个间隔设置的点位填充所述图形单元，其中一图形单元填充于首列点位。
4
5.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元通过图形化金属沉积工艺形成金属图案于所述芯片的表面。
6.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元的特征尺寸为3～8μm。
7.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：填充相邻点位的所述图形单元相接设置。
8.一种晶圆，其特征在于：包括若干如权利要求1～7任一项所述的带有标识的芯片；所述晶圆定义有网格二维坐标系，坐标原点与所述晶圆的圆心重合，每一网格对应一shot单元，每一shot单元内包括若干所述带有标识的芯片；同一shot单元内的芯片具有相同的shot ID图案。
9.一种晶圆上芯片位置的标识方法，其特征在于，包括：
10.一种带有标识的芯片，其特征在于：所述芯片表面具有shot ID图案，所述shot ID图案用于指示芯片在晶圆上的位置；所述shot ID图案包括若干图形单元，所述shot ID图案规划有指示行、第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有4个点位；第一行和第二行的首列点位为象限点位，其中象限点位空白表示“－”，象限点位填充图形单元表示“+”或“0”；第一行和第二行的其他3列点位为数字点位，空白表示0，填充图形单元表示1，通过数字点位图形单元的排布形成二进制编码；第一行和第二行的二进制编码转换为十进制数字分别表示芯片在晶圆上所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标数字，象限点位表示坐标数字的+/－；指示行的首列点位和第三列点位填充图形单元。
11.根据权利要求10所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元的形状为圆形或多边形；所述形状为多边形时，填充相邻点位的多边形具有共用的边。
12.根据权利要求10所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元采用金属材料形成，金属厚度为0.2-2μm。
...【技术特征摘要】
1.一种带有标识的芯片，其特征在于：所述芯片表面具有shot id图案，所述shot id图案用于指示芯片在晶圆上的位置；所述shot id图案包括若干图形单元，所述shot id图案规划有第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有若干点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示二进制编码的“0”，另一表示二进制编码的“1”；第一行和第二行的二进制编码转换为十进制数字分别表示芯片在晶圆上所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标；其中晶圆以圆心为坐标原点，所述shot id图案的第一行和第二行还分别包括象限点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示“－”，另一表示“+”或“0”。
2.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述shot id图案还规划有一指示行，所述指示行按照阵列形式具有若干点位，至少一点位填充所述图形单元用于定位。
3.根据权利要求2所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述指示行位于所述第一行相对第二行的一侧，或所述第二行相对第一行的一侧；所述指示行的至少两个间隔设置的点位填充所述图形单元，其中一图形单元填充于首列点位。
4.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述象限点位位于所述shotid图案的第一行和第二行的首列或末列。
5.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元通过图形化金属沉积工艺形成金属图案于所述芯片的表面。
6.根据权利要求1所述的带有标识的芯片，其特征在于：所述图形单元的特征尺寸为3～8μm。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：何先良，郑坤，张琼莲，巫华夏，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。