【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善焊盘破损的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品。发光二极管包括：外延层、钝化层和两个焊盘，钝化层位于外延层的表面上，两个焊盘位于钝化层的表面上且通过钝化层的表面的过孔分别与外延层的不同半导体层相连。
2、相关技术中，在制备焊盘时，通常会在一个焊盘的表面制作v型缺口作为标记，以便于技术人员辨认。然而，从外延层的远离焊盘的一侧观察时，则难以观察到焊盘上的标记。因此，会在钝化层上设置标记孔，两个焊盘中的一个会通过标记孔与外延层上对应的半导体层相连。其中，标记孔的形状与钝化层上的其他过孔形状不同，这样技术人员就可以通过观察标记孔所在位置，以确定不同类型的焊盘所在方位。
3、通常会将标记孔设计成与其他过孔形状不同的形状，以便于识别标记孔。然而，在异形的标记孔上方制备出的金属膜层，存在部分区域厚度不一致的问题。若制作的焊盘厚度较薄，则会出现焊盘破损的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善焊盘破损的发光二极管及其制备方法，能改善标记孔上方形成的膜层存在厚度不均的问题。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延层、第一电极和钝化层，所述第一电极包括标记电极块和连接电极块，所述标记电极块和所述连接电极块间隔排布在所述外延层的表面上，所述钝化层位于所述外延层表面上
3、可选地，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离与所述标记电极块的最大宽度的比值大于或者等于0.08。
4、可选地，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离与所述标记电极块的最大宽度的比值小于或者等于0.33。
5、可选地，所述连接电极块在所述外延层的表面上的正投影为第三投影，所述第三投影的面积小于所述第二投影的面积。
6、可选地，所述标记电极块位于所述外延层的周边边缘。
7、可选地，所述标记电极块的厚度为1μm至1.5μm。
8、可选地，所述第一投影的外轮廓包括两个弧线，两个所述弧线对称分布，且两个所述弧线的端点相连围成封闭曲线图形；或者，所述第一投影的形状为多边形或椭圆形。
9、可选地，所述发光二极管还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述外延层和所述标记电极块之间；所述电流阻挡层在所述外延层的表面上的正投影为第四投影，所述第二投影位于所述第四投影内，所述第四投影的形状与所述第二投影的形状相同，且所述第四投影的几何中心与所述第二投影的几何中心重合。
10、可选地，所述发光二极管还包括：绝缘层、第二电极和焊盘；所述第二电极位于所述钝化层的远离所述外延层的表面上，且所述第二电极通过所述标记孔与所述标记电极块电连接，所述第二电极通过所述连接孔与所述连接电极块电连接；所述绝缘层位于所述钝化层的远离所述外延层的表面上，所述绝缘层具有通孔，所述焊盘位于所述绝缘层的远离所述外延层的表面上，且通过所述通孔与所述第二电极电连接。
11、本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：制作外延层；在所述外延层的表面上形成第一电极，所述第一电极包括标记电极块和连接电极块，所述标记电极块和所述连接电极块间隔排布在所述外延层的表面上；在所述外延层表面上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极，所述钝化层具有露出标记电极块的标记孔和露出连接电极块的连接孔，所述标记孔的形状与所述连接孔的形状不同；所述标记孔在所述外延层的表面上的正投影为第一投影，所述标记电极块在所述外延层的表面上的正投影为第二投影，所述第一投影位于所述第二投影内，所述第一投影的形状与所述第二投影的形状相同，且所述第一投影的几何中心与所述第二投影的几何中心重合。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管包括外延层、第一电极和钝化层，第一电极包括间隔排布在外延层上的标记电极块和连接电极块，钝化层则位于外延层的表面上，且覆盖标记电极块和连接电极块。钝化层在对应标记电极块的位置设有标记孔，在对应连接电极块的位置设有连接孔，且标记孔和连接孔的形状不同，这样就可以通过标记孔所在位置快速从外延层的远离第一电极的表面确定出不同类型的焊盘所在方位。
14、同时，标记孔的第一投影在标记电极块的第二投影内，第一投影和第二投影的形状相同，且第一投影和第二投影的几何中心重合，这就使得标记孔设置在标记电极块的中央区域。在钝化层上刻蚀标记孔的过程中，钝化层上至标记孔的几何中心的距离相同的点，到标记电极块的周边边缘的距离也相同。因此，刻蚀钝化层后，钝化层上至标记孔的几何中心的距离相同的区域的形貌也是相同的。这样就使得钝化层的表面上不容易出现部分区域厚度差异过大的情况，改善焊盘轻易出现破损的问题。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、第一电极(40)和钝化层(30)，所述第一电极(40)包括标记电极块(41)和连接电极块(42)，所述标记电极块(41)和所述连接电极块(42)间隔排布在所述外延层(20)的表面上，所述钝化层(30)位于所述外延层(20)表面上，且覆盖所述第一电极(40)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离(L1)与所述标记电极块(41)的最大宽度(L2)的比值大于或者等于0.08。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离(L1)与所述标记电极块(41)的最大宽度(L2)的比值小于或者等于0.33。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述连接电极块(42)在所述外延层(20)的表面上的正投影为第三投影，所述第三投影的面积小于所述第二投影的面积。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述标记电极块(41)位于所述外延层(20)的周边边缘。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述标记电极块(41)的厚度为1μm至1.5μm。
7.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一投影的外轮廓包括两个弧线，两个所述弧线对称分布，且两个所述弧线的端点相连围成封闭曲线图形；或者，
8.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括电流阻挡层(52)，所述电流阻挡层(52)位于所述外延层(20)和所述标记电极块(41)之间；
9.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：绝缘层(60)、第二电极(70)和焊盘(80)；
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、第一电极(40)和钝化层(30)，所述第一电极(40)包括标记电极块(41)和连接电极块(42)，所述标记电极块(41)和所述连接电极块(42)间隔排布在所述外延层(20)的表面上，所述钝化层(30)位于所述外延层(20)表面上，且覆盖所述第一电极(40)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离(l1)与所述标记电极块(41)的最大宽度(l2)的比值大于或者等于0.08。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一投影的内轮廓至所述第二投影的外轮廓的距离(l1)与所述标记电极块(41)的最大宽度(l2)的比值小于或者等于0.33。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述连接电极块(42)在所述外延层(20)的表面上的正投影为第三投影，所述第三投影的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳，刘战祥，田宇航，游云梦，魏柏林，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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