【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种化学机械研磨的方法及形成半导体装置的互连结构的方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业近年来持续快速增长。ic材料及设计的技术进步使得数代ic不断改进。每一代新产品的电路均比前代产品变得更小且更复杂，从而得到更高的功能密度(亦即，每一晶片面积的互连装置的数量)及更小的几何尺寸(亦即，可使用制造工艺产生的最小元件或线)。这种按比例缩小工艺有利于提高生产效率且降低相关成本。然而，随着特征尺寸不断缩小，制造工艺变得更具挑战性，且确保半导体装置的可靠性变得越来越困难。因此，该行业面临着开发能够生产更小、更可靠的ic的工艺的持续挑战。
技术实现思路
1、根据实施例，提供一种用于cmp的方法。该方法包括以下步骤：提供cmp浆料，该cmp浆料包括磨料、用以促进金属材料溶解的氧化剂及具有正离子的铵盐，这些正离子与磨料相互作用以减少磨料在介电材料上的聚集；及利用cmp浆料在介电结构的表面上进行cmp，以移除形成在介电结构中且具有由表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。
2、根据另一实施例，提供一种用于cmp的方法。该方法包括以下步骤：接收包含形成于其中的金属层的介电结构，其中金属层包括通过介电结构的表面曝露的至少第一层；提供至少包括磨料及酸碱度调节剂的cmp浆料，其中酸碱度调节剂包括氢氧化钾及化合物，该化合物用以减少磨料在介电结构的表面上的聚集；及利用cmp浆料在表面上进行cmp以移除金属层的一部分。
3、根据又
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1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该化学机械研磨浆料包括氢氧化钾。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该铵盐为氢氧化四乙铵(TEAH)。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该金属材料为铜或其合金。
5.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包含以下步骤：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该化合物包括多个正离子，所述多个正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在该介电结构上的聚集。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该化合物为氢氧化四乙铵(TEAH)。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该第一层为铜或其合金，且该金属层包括位于该介电结构与该第一层之间的一第二层，其中该第二层为一贵金属或其合金，且其中该介电结构包括一相对介电常数(κ)小于3.9的一介电材料。
9.一种形成一半导体装置的一互连结构的方法，其特征在于，包含以下步骤：
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该化学机械研磨浆料包括氢氧化钾。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该铵盐为氢氧化四乙铵(teah)。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该金属材料为铜或其合金。
5.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包含以下步骤：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该化合物包括多个正离子，所述多个正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在该介电结构上的聚集。
【专利技术属性】
技术研发人员：郑名翔，张庭魁，黄富明，吴历杰，涂哲豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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