System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 透射超表面单元、透射超表面层、透射结构制造技术_技高网

透射超表面单元、透射超表面层、透射结构制造技术

技术编号:43445641 阅读:2 留言:0更新日期:2024-11-27 12:49
本公开提供了一种透射超表面单元,其包括依次叠置第一导电图形、第一介质层、中间导电图形、第二介质层、第二导电图形;所述第一导电图形内部形成磁谐振器;所述第二导电图形内部形成磁谐振器;所述中间导电图形内部形成电谐振器;所述第一介质层设置所述第一导电图形的表面为主表面,所述第一导电图形在所述主表面上的正投影与所述第二导电图形在所述主表面上的正投影重合。本公开还提供了一种透射超表面层、透射结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及透射超表面,特别涉及一种透射超表面单元、透射超表面层、透射结构


技术介绍

1、超表面层是由多个亚波长尺度的超表面单元排列成的膜层,其超表面单元中有特定形式的导电图形,从而超表面层整体可对电磁波进行精确调控。

2、超表面层又可分为透射超表面层和反射超表面层。但是,相关技术中的透射超表面层只能对近似垂直入射的电磁波进行正确调控,而无法适用于其它角度入射的电磁波。


技术实现思路

1、本公开提供一种透射超表面单元、透射超表面层、透射结构。

2、第一方面,本公开实施例提供一种透射超表面单元,其包括依次叠置第一导电图形、第一介质层、中间导电图形、第二介质层、第二导电图形;

3、所述第一导电图形内部形成磁谐振器;所述第二导电图形内部形成磁谐振器;所述中间导电图形内部形成电谐振器;

4、所述第一介质层设置所述第一导电图形的表面为主表面,所述第一导电图形在所述主表面上的正投影与所述第二导电图形在所述主表面上的正投影重合。

5、第二方面,本公开实施例提供一种透射超表面层,其包括:

6、由多个本公开实施例的任意一种透射超表面单元排列成的阵列。

7、在一些实施例中,多个所述透射超表面单元分为第一类透射超表面单元和第二类透射超表面单元;从预定角度入射到所述透射超表面层的电磁波,经过所述第一类透射超表面单元和第二类透射超表面单元后的相位相差180度。

8、第三方面,本公开实施例提供一种透射结构,其包括:

9、允许电磁波透射的基体;

10、设于所述基体上的本公开实施例的任意一种透射超表面层。

11、本公开实施例的透射超表面单元中,通过三个导电图形同时形成了磁谐振结构和电谐振结构,故通过调整导电图形的具体形式,可使透射超表面单元整体实现双负特性,并具有很大的电磁波透射率。

12、本公开实施例的透射超表面层包括多个具有较高电磁波透射率的透射超表面单元,而通过分别调整其中不同的透射超表面单元中的导电图形的具体形式,还可使透射超表面层整体在具有大透射率的基础上,能实现对大范围入射角的电磁波的准确调控。

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【技术保护点】

1.一种透射超表面单元,其中,包括依次叠置第一导电图形、第一介质层、中间导电图形、第二介质层、第二导电图形;

2.根据权利要求1所述的透射超表面单元,其中,所述第一导电图形在所述主表面上的正投影包括:

3.根据权利要求2所述的透射超表面单元,其中,所述中间导电图形在所述主表面上的正投影包括:

4.根据权利要求3所述的透射超表面单元,其中,

5.根据权利要求4所述的透射超表面单元,其中,

6.根据权利要求5所述的透射超表面单元,其中,所述透射超表面单元用于透射波长为a的电磁波;

7.根据权利要求1所述的透射超表面单元,其中,

8.根据权利要求1所述的透射超表面单元,其中,

9.一种透射超表面层,其中,包括:

10.根据权利要求9所述的透射超表面层,其中,

11.一种透射结构,其中,包括:

12.根据权利要求11所述的透射结构,其中,

【技术特征摘要】

1.一种透射超表面单元,其中,包括依次叠置第一导电图形、第一介质层、中间导电图形、第二介质层、第二导电图形;

2.根据权利要求1所述的透射超表面单元,其中,所述第一导电图形在所述主表面上的正投影包括:

3.根据权利要求2所述的透射超表面单元,其中,所述中间导电图形在所述主表面上的正投影包括:

4.根据权利要求3所述的透射超表面单元,其中,

5.根据权利要求4所述的透射超表面单元,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王小明王兴张曼林
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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