【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体微观结构，具体涉及一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法。
技术介绍
1、铌酸锂晶体因具有宽广的透明窗口、优异的非线性光学效应、电光效应、铁电效应和声光效应等性质，在光基技术中被广泛用于制备光调控器件。近年来，得益于离子剥离技术，铌酸锂已经被成功制备出芯片尺寸的单晶薄膜。铌酸锂薄膜不仅能够保留体材料的性质，在器件制备方面，具有微型化和单片集成的能力。传统非线性光学、光波导、电光调制和光折变等在铌酸锂薄膜上得到应用。2011年，铌酸锂畴壁导电能力的发现使得铌酸锂薄膜在铁电存储器和二极管等微电子器件方面有了大的突破。
2、铌酸锂畴结构在准相位匹配过程中扮演着重要的角色。畴壁也伴随着畴结构的制备出现生成，融合与消失的现象。在这些应用中，畴的深度是重要的研究参数，影响光转换效率和畴壁的导电性能。
3、目前，二次谐波法、压电式原子力显微镜法和化学腐蚀法是观测畴结构的主要方法。但是这些方法适用范围有限，如二次谐波法观测薄膜上的畴结构会存在分辨率不足的缺点；压电力原子力显微镜法只能够观测畴的表面现象；化学腐蚀法多用于z切铌酸锂体块材料，不能直接测量铌酸锂薄膜畴结构的深度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服传统技术中存在的上述问题，提供一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法。
2、为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术是通过以下技术方案实现：
3、本专利技术提供一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法，包括如下步骤：<...
【技术保护点】
1.一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，铌酸锂薄膜为纳米量级至百微米量级厚度的x切铌酸锂层或者y切铌酸锂层，其衬底上下顺序为包括易被HF酸腐蚀的衬底和不易被HF酸腐蚀的衬底，其中不易被HF酸腐蚀的衬底厚度＞5μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中的第一种方式中，刻蚀区域的极化方向与刻蚀边界线保持不平行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中的第一种方式中，刻蚀掉的区域为未被光刻胶覆盖的区域，光刻胶下的区域不被刻蚀掉。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着极化方向，畴结构的长度包含畴结构的刻蚀长度，畴结构的长度大于该刻蚀长度；同理，与畴结构相邻的未反转区域满足该条件，即沿着极化方向，其长度包含刻蚀长度，其长度大于刻蚀长度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，HF酸腐蚀的区域为刻蚀边界线的侧壁。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，铌酸锂薄膜重新
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，薄膜与衬底间存在的相互作用力主要包括范德华力、键合力、亲和力与电荷作用力。
...【技术特征摘要】
1.一种测量铌酸锂薄膜上畴结构深度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1中，铌酸锂薄膜为纳米量级至百微米量级厚度的x切铌酸锂层或者y切铌酸锂层，其衬底上下顺序为包括易被hf酸腐蚀的衬底和不易被hf酸腐蚀的衬底，其中不易被hf酸腐蚀的衬底厚度＞5μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1中的第一种方式中，刻蚀区域的极化方向与刻蚀边界线保持不平行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1中的第一种方式中，刻蚀掉的区域为未被光刻胶覆盖的区域，光刻胶下的区域不被刻蚀掉。
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。