【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电膜，具体涉及抗氧化性强的导电膜及其制备工艺。
技术介绍
1、在透明导电氧化物薄膜中，ito导电膜即氧化铟锡导电膜具有较高的可见光透射率、较低的电阻率和较好的耐磨性，在电子显示器、太阳能电池和触摸屏等领域中具有广泛的应用。
2、ito导电膜在各种领域中的具体应用，多是围绕其透明和导电特性展开，如在ito导电膜中增加金属层以提高其导电性，但在抗氧化性方面未形成广泛深入的研究，抗氧化性差会影响ito导电膜的使用稳定性，缩短其使用寿命，因此，有必要对ito导电膜的抗氧化性作进一步提升。
3、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供抗氧化性强的导电膜及其制备工艺，本专利技术中的导电膜具有优良的抗氧化性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供的技术方案如下：
3、抗氧化性强的导电膜，包括基材层，所述基材层依次层叠设有上底涂层、打底层、硅铝混合层、ito层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层；
4、其中，第二铜镍钛混合层中铜镍钛摩尔比为(20～45)：(50～70)：(1～10)，第二铜镍钛混合层的厚度为1～30nm。
5、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一铜镍钛混合层中铜镍钛摩尔比为(20～45)：(50～70)：
6、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述第一铜镍钛混合层的厚度为2～100nm。
7、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述铜层厚度为100～1000nm。
8、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述附着力层材质选自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3；和/或，
9、所述附着力层厚度为1～20nm。
10、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述ito层厚度为5～100nm。
11、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述硅铝混合层中硅铝摩尔比为(75～99)：(1～25)；和/或，所述硅铝混合层厚度为2～80nm。
12、在本专利技术的一个或多个实施例中，所述打底层材质选自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3；和/或，所述打底层厚度为0.2～20nm。
13、本专利技术另一具体实施例提供的技术方案如下：
14、抗氧化性强的导电膜的制备工艺，包括如下步骤：
15、在基材层的双面分别涂布上底涂层和下底涂层，在下底涂层上设置高温保护膜；
16、在上底涂层上依次镀设打底层、硅铝混合层、ito层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层；
17、在第二铜镍钛混合层上设置正保护膜。
18、在本专利技术的一个或多个实施例中，镀设时，真空度为1×10-4pa以下；和/或，
19、镀设时，水汽值为9×10-5pa以下；和/或，
20、镀设时，反应气体为氩气、氮气和氧气混合气体，氩气、氮气和氧气流量比例为(60～80)：(20～35)：(5～10)。
21、与现有技术相比，本专利技术的导电膜通过在铜层上设置第二铜镍钛混合层，使其抗氧化性能得到大大提高，也有助于提高导电膜的使用稳定性，延长其使用寿命。
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1.抗氧化性强的导电膜，其特征在于，包括基材层，所述基材层依次层叠设有上底涂层、打底层、硅铝混合层、ITO层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层；
2.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述第一铜镍钛混合层中铜镍钛摩尔比为(20～45)：(50～70)：(1～10)。
3.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述第一铜镍钛混合层的厚度为2～100nm。
4.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述铜层厚度为100～1000nm。
5.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述附着力层材质选自SiO2、Ti、TiO2、Si、Al2O3、MgF2、SiO、HfO2、SnO2和Y2O3；和/或，
6.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述ITO层厚度为5～100nm。
7.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述硅铝混合层中硅铝摩尔比为(75～99)：(1～25)；和/或，
8.根据权利要求
9.权利要求1-8任一项所述的抗氧化性强的导电膜的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的抗氧化性强的导电膜的制备工艺，其特征在于，镀设时，真空度为1×10-4pa以下；和/或，
...【技术特征摘要】
1.抗氧化性强的导电膜，其特征在于，包括基材层，所述基材层依次层叠设有上底涂层、打底层、硅铝混合层、ito层、附着力层、第一铜镍钛混合层、铜层、第二铜镍钛混合层；
2.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述第一铜镍钛混合层中铜镍钛摩尔比为(20～45)：(50～70)：(1～10)。
3.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述第一铜镍钛混合层的厚度为2～100nm。
4.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述铜层厚度为100～1000nm。
5.根据权利要求1所述的抗氧化性强的导电膜，其特征在于，所述附着力层材质选自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hf...
【专利技术属性】
技术研发人员：高毓康，陈超，王志坚，陈涛，赵飞，冯燕佳，戴城城，
申请(专利权)人：浙江日久新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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