【技术实现步骤摘要】
本技术涉及刻蚀加工，特别涉及一种扩散板和等离子体刻蚀装置。
技术介绍
1、在半导体工艺应用上，经常针对半导体晶圆进行等离子体刻蚀的处理。等离子体刻蚀常常是通过在刻蚀腔中设有电极，并对电极进行通电，将暴露在电子区域的气体形成等离子体，从而实现对腔室中的电路板进行刻蚀。但是该方法往往会导致等离子体在刻蚀腔内流通不均匀，为了解决该问题，因此在现有技术中会加装一扩散板，而由于扩散板上气孔的开设不合理，导致对应正电极与负电极之间区域的电路板出现过度腐蚀；而对应除正电极与负电极之外区域的电路板则往往造成刻蚀不足，导致电路板整体刻蚀不均匀。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提出一种扩散板，旨在解决上述提出的技术问题。
2、为实现上述目的，本技术提出的一种扩散板，应用于等离子体刻蚀装置，所述等离子体刻蚀装置包括壳体组件和电离组件，所述扩散板包括扩散板本体，所述扩散板本体上开设有多个气孔，多个所述气孔的孔径自所述扩散板本体的中心至板边方向呈渐扩设置，所述壳体组件内形成有腔体；所述扩散板本体设置在所述腔体内，将所述腔体分隔成电离腔和刻蚀腔；所述电离组件包括间隔设于所述电离腔内的正电极和负电极，所述扩散板本体的中心与所述正电极和所述负电极二者相对之间的中心对应，所述电离腔内的等离子体通过所述扩散板本体扩散后输送至所述刻蚀腔内。
3、在一实施例中，所述扩散板本体具有相对的第一端和第二端，多个所述气孔沿所述扩散板本体的第一端至第二端方向分设为多个第一气孔组，每一所述第一气孔组内的
4、在一实施例中，多个所述气孔在所述扩散板本体上沿所述第一端至第二端方向呈多排设置，所述第一气孔组包括至少一排所述气孔，每一排所述气孔的孔径相同。
5、在一实施例中，所述扩散板本体具有相对设置的第三端和第四端，多个所述气孔沿所述扩散板本体的第三端至第四端方向分设为多个第二气孔组，多个所述第二气孔组的气孔孔径沿所述扩散板本体的中心分别向第三端和第四端的方向呈渐扩设置；每一所述第二气孔组在所述扩散板本体上沿所述第三端至第四端方向呈至少一排设置；
6、每一所述第二气孔组内的气孔孔径相同，或者，每一排自所述扩散板本体的中心向第一端方向呈渐扩设置，每一排自所述扩散板本体的中心向第二端方向呈渐扩设置。
7、在一实施例中，多个所述气孔的开设密度自所述扩散板本体的中心至板边方向呈逐渐增大设置。
8、在一实施例中，多个所述气孔具有渐扩段，所述渐扩段的扩口沿介质流通方向开设，并远离介质存在的一面。
9、在一实施例中，所述渐扩段的数量为两个，两个所述渐扩段的扩口朝向相反方向连通设置。
10、在一实施例中，多个所述气孔具有渐缩段和连通段，所述渐缩段和所述连通段连通连接，所述渐缩段的扩口相对介质流通方向开设，并靠近介质存在的一面。
11、在一实施例中，所述连通段具有多个连通孔。
12、本技术还提出一种等离子体刻蚀装置，包括壳体组件、电离组件、气源和如上述任意实施例所述的扩散板，所述壳体组件内形成有腔体；所述扩散板设置在所述腔体内，将所述腔体分隔成电离腔和刻蚀腔；电离组件包括间隔设于所述电离腔内的正电极和负电极；所述气源与所述电离腔连通，用于驱动所述电离腔内的等离子体朝所述刻蚀腔流通；所述扩散板的中心区域与所述正电极和负电极二者相对之间的中心对应。
13、本技术技术方案通过采用在扩散板本体上开设多个气孔，由于扩散板本体中心与产生高浓度等离子体的正电极和负电极之间的中心位置对应，因此将多个气孔自扩散板本体的中心至板边的方向呈渐扩设置，从而使得通过扩散板本体中心流通的介质通气量小于通过扩散板本体周边流通的介质通气量，以此达到将电离腔内不同位置产生的不同浓度的等离子体通过扩散板本体扩散后输送至刻蚀腔内，以使刻蚀腔内的待刻蚀工件整体刻蚀效果更加均匀的目的。
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1.一种扩散板，应用于等离子体刻蚀装置，所述等离子体刻蚀装置包括壳体组件和电离组件，其特征在于，所述扩散板包括扩散板本体，所述扩散板本体上开设有多个气孔，多个所述气孔的孔径自所述扩散板本体的中心至板边方向呈渐扩设置，所述壳体组件内形成有腔体；所述扩散板本体设置在所述腔体内，将所述腔体分隔成电离腔和刻蚀腔；所述电离组件包括间隔设于所述电离腔内的正电极和负电极，所述扩散板本体的中心与所述正电极和所述负电极二者相对之间的中心对应，所述电离腔内的等离子体通过所述扩散板本体扩散后输送至所述刻蚀腔内。
2.如权利要求1所述的扩散板，其特征在于，所述扩散板本体具有相对的第一端和第二端，多个所述气孔沿所述扩散板本体的第一端至第二端方向分设为多个第一气孔组，每一所述第一气孔组内的气孔孔径相同，多个所述第一气孔组的气孔孔径沿所述扩散板本体的中心分别向第一端和第二端的方向呈渐扩设置。
3.如权利要求2所述的扩散板，其特征在于，多个所述气孔在所述扩散板本体上沿所述第一端至第二端方向呈多排设置，所述第一气孔组包括至少一排所述气孔，每一排所述气孔的孔径相同。
4.如权利要
5.如权利要求1所述的扩散板，其特征在于，多个所述气孔的开设密度自所述扩散板本体的中心至板边方向呈逐渐增大设置。
6.如权利要求1所述的扩散板，其特征在于，多个所述气孔具有渐扩段，所述渐扩段的扩口沿介质流通方向开设，并远离介质存在的一面。
7.如权利要求6所述的扩散板，其特征在于，所述渐扩段的数量为两个，两个所述渐扩段的扩口朝向相反方向连通设置。
8.如权利要求1所述的扩散板，其特征在于，多个所述气孔具有渐缩段和连通段，所述渐缩段和所述连通段连通连接，所述渐缩段的扩口相对介质流通方向开设，并靠近介质存在的一面。
9.如权利要求8所述的扩散板，其特征在于，所述连通段具有多个连通孔。
10.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括壳体组件、电离组件、气源和如权利要求1-9任意一项所述的扩散板，所述壳体组件内形成有腔体；所述扩散板设置在所述腔体内，将所述腔体分隔成电离腔和刻蚀腔；电离组件包括间隔设于所述电离腔内的正电极和负电极；所述气源与所述电离腔连通，用于驱动所述电离腔内的等离子体朝所述刻蚀腔流通；所述扩散板的中心区域与所述正电极和负电极二者相对之间的中心对应。
...【技术特征摘要】
1.一种扩散板，应用于等离子体刻蚀装置，所述等离子体刻蚀装置包括壳体组件和电离组件，其特征在于，所述扩散板包括扩散板本体，所述扩散板本体上开设有多个气孔，多个所述气孔的孔径自所述扩散板本体的中心至板边方向呈渐扩设置，所述壳体组件内形成有腔体；所述扩散板本体设置在所述腔体内，将所述腔体分隔成电离腔和刻蚀腔；所述电离组件包括间隔设于所述电离腔内的正电极和负电极，所述扩散板本体的中心与所述正电极和所述负电极二者相对之间的中心对应，所述电离腔内的等离子体通过所述扩散板本体扩散后输送至所述刻蚀腔内。
2.如权利要求1所述的扩散板，其特征在于，所述扩散板本体具有相对的第一端和第二端，多个所述气孔沿所述扩散板本体的第一端至第二端方向分设为多个第一气孔组，每一所述第一气孔组内的气孔孔径相同，多个所述第一气孔组的气孔孔径沿所述扩散板本体的中心分别向第一端和第二端的方向呈渐扩设置。
3.如权利要求2所述的扩散板，其特征在于，多个所述气孔在所述扩散板本体上沿所述第一端至第二端方向呈多排设置，所述第一气孔组包括至少一排所述气孔，每一排所述气孔的孔径相同。
4.如权利要求2所述的扩散板，其特征在于，所述扩散板本体具有相对设置的第三端和第四端，多个所述气孔沿所述扩散板本体的第三端至第四端方向分设为多个第二气孔组，多个所述第二气孔组的气孔孔径沿所述扩...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，乐卫平，宋成，张文杰，谢幸光，王霞，吴凤波，
申请(专利权)人：深圳市恒运昌真空技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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