【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种紫外发光二极管器件。
技术介绍
1、gan基或(al)gan基紫外发光二极管因为其在空气净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的广泛应用前景而受到持续关注，但低的光电转换效率严重限制了其应用市场。其中，algan材料由于独特的偏振特性与材料间严重的全反射损耗，导致紫外发光二极管器件的光提取效率偏低，量产的光电转换效率普遍水平在5%以下。
2、另外，紫外发光二极管器件中不适配的电极结构与电极版图设计会导致其局部电流拥堵，一方面局部过热将会引起金属的电迁移、材料老化等，加速器件退化，导致芯片失效，另一方面会导致器件发光不均匀，光输出功率下降。
3、因此，亟需一种紫外发光二极管器件以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种紫外发光二极管器件，用于改善现有技术的紫外发光二极管的光提取功率较低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种紫外发光二极管器件，包括多个发光单元，发光单元包括外延层、设置于外延层上的加厚电极组件，加厚电极组件包括间隔设置的n型加厚电极以及p型加厚电极；
3、其中，紫外发光二极管器件还包括具有共振耦合作用的功能层，功能层位于外延层与加厚电极组件之间。
4、优选地，紫外发光二极管器件还包括位于外延层与功能层之间的电极组件，电极组件包括间隔设置的n型电极以及p型电极；
5、其中，功能层包括设置于n型加厚电极
6、优选地，第一耦合层以及第二耦合层的材料均选自金属材料或者二维导电材料中的任意一种，金属材料包括al、au、ag、cu、pt、ti、rh以及pd中的至少一种，二维导电材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物以及过渡金属中的至少一种。
7、优选地，第一耦合层以及第二耦合层中的至少一种经金属材料球聚而成。
8、优选地，第一耦合层以及第二耦合层的厚度小于10nm。
9、优选地，n型加厚电极以及p型加厚电极中的至少一种为图案电极层，图案电极层在外延层上的正投影的形状为圆形、正方形、毛刺形、蛾眼形、三角形以及梯形中的至少一种。
10、优选地，n型加厚电极或者p型加厚电极中的至少一侧面为粗化表面，粗化表面用于提取发光单元发射的光线。
11、优选地，粗化表面具有多个周期性排列或者不规则排列的微结构，微结构为凹陷或者凸起。
12、优选地，紫外发光二极管器件沿生长方向依次包括衬底、本征层以及电子注入层，电子注入层包括多个凸台以及多个位于相邻两个凸台之间的凹部；
13、其中，凸台上依次形成有量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、p型电极、第二耦合层以及p型加厚电极；凹部上依次形成有n型电极、第一耦合层以及n型加厚电极。
14、优选地，紫外发光二极管器件还包括设置于加厚电极组件上的焊盘组件，焊盘组件包括设置于n型加厚电极上的n型焊盘层以及设置于p型加厚电极上的p型焊盘层。
15、本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种紫外发光二极管器件，包括多个发光单元，发光单元包括外延层、设置于外延层上的加厚电极组件，加厚电极组件包括间隔设置的n型加厚电极以及p型加厚电极，其中，紫外发光二极管器件还包括具有共振耦合作用的功能层，功能层位于外延层与加厚电极组件之间；本专利技术通过在外延层与加厚电极组件之间设置具有共振耦合作用的功能层，功能层可以减少紫外发光二极管器件的非辐射复合过程以提高内量子效率，同时功能层可将光子更有效地提取，提高了紫外发光二极管器件的光提取效率，进一步改善了紫外发光二极管器件的光效。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种紫外发光二极管器件，其特征在于，包括多个发光单元，所述发光单元包括外延层、设置于所述外延层上的加厚电极组件，所述加厚电极组件包括间隔设置的N型加厚电极以及P型加厚电极；
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述紫外发光二极管器件还包括位于所述外延层与所述功能层之间的电极组件，所述电极组件包括间隔设置的N型电极以及P型电极；
3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层的材料均选自金属材料或者二维导电材料中的任意一种，所述金属材料包括Al、Au、Ag、Cu、Pt、Ti、Rh以及Pd中的至少一种，所述二维导电材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物以及过渡金属中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层中的至少一种经所述金属材料球聚而成。
5.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层的厚度小于10nm。
6.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件，其
7.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述N型加厚电极或者所述P型加厚电极中的至少一侧面为粗化表面，所述粗化表面用于提取所述发光单元发射的光线。
8.根据权利要求7所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述粗化表面具有多个周期性排列或者不规则排列的微结构，所述微结构为凹陷或者凸起。
9.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述紫外发光二极管器件沿生长方向依次包括衬底、本征层以及电子注入层，所述电子注入层包括多个凸台以及多个位于相邻两个所述凸台之间的凹部；
10.根据权利要求9所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述紫外发光二极管器件还包括设置于所述加厚电极组件上的焊盘组件，所述焊盘组件包括设置于所述所述N型加厚电极上的N型焊盘层以及设置于所述P型加厚电极上的P型焊盘层。
...【技术特征摘要】
1.一种紫外发光二极管器件，其特征在于，包括多个发光单元，所述发光单元包括外延层、设置于所述外延层上的加厚电极组件，所述加厚电极组件包括间隔设置的n型加厚电极以及p型加厚电极；
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述紫外发光二极管器件还包括位于所述外延层与所述功能层之间的电极组件，所述电极组件包括间隔设置的n型电极以及p型电极；
3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层的材料均选自金属材料或者二维导电材料中的任意一种，所述金属材料包括al、au、ag、cu、pt、ti、rh以及pd中的至少一种，所述二维导电材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物以及过渡金属中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层中的至少一种经所述金属材料球聚而成。
5.根据权利要求2所述的紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一耦合层以及所述第二耦合层的厚度小于10nm。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张爽，张会雪，罗红波，戴江南，
申请(专利权)人：武汉优炜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。