【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种包括两个晶片互相接合的半导体装置。
技术介绍
1、半导体集成电路的技术随着时间不断地进步成长，每个新世代制作工艺下的产品都较前一个世代具有更小且更复杂的电路设计。在各芯片区域上的功能元件因产品革新需求而必须使其数量与密度不断地提升，当然也就使得各元件几何尺寸需越来越小。相对地，在集成电路封装技术部分，也需要与先前的封装技术相比占据较小面积的封装技术来达到产品需求。在晶片-晶片接合技术(wafer-to-wafer bonding technology)中，两个或两个以上的半导体晶片可通过对准、接合而形成3d集成电路(3d ic)，故可在有限的所占据面积设计下提升元件的数量。然而，晶片-晶片接合技术仍有许多问题需克服，以达到商品化与符合产品需求的目的。
技术实现思路
1、专利技术提供了一种半导体装置，将两个晶片互相结合，并利用深通孔导体结构与晶片中的互连结构相连，使外部线路可通过深通孔导体结构与晶片中的元件进行信号传递。
2、本专利技术的一实施例提供一种半导体装置，包括一下晶片、一上晶片、一第一介电层、一第二介电层、一深通孔导体结构以及一连接垫。上晶片与下晶片接合，且上晶片包括一第一互连结构。第一介电层设置在上晶片上，且第二介电层设置在第一介电层上。深通孔导体结构贯穿第二介电层与第一介电层，且深通孔导体结构与第一互连结构相连。连接垫设置在第二介电层与深通孔导体结构上，且第二介电层包括一第一部分与一第二部分。第一部分被夹设在连接垫
3、本专利技术的一实施例提供一种半导体装置，包括一下晶片、一上晶片、一第一介电层以及一深通孔导体结构。上晶片与下晶片接合，且上晶片包括一第一互连结构。第一介电层设置在上晶片上，且深通孔导体结构贯穿第一介电层。深通孔导体结构与第一互连结构相连，且深通孔导体结构包括一第一部分以及一第二部分。第二部分与第一部分相连，第一部分被夹设在第二部分与该第一互连结构之间，且深通孔导体结构的侧壁包括一转折部位于第一部分的侧壁与第二部分的侧壁之间。
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1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该连接垫在垂直方向上与该第二介电层的该第一部分重叠，且该第二介电层的该第二部分在该垂直方向上没有被该连接垫覆盖。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二介电层的材料组成不同于该第一介电层的材料组成。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电层比该第二介电层厚。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第三介电层的材料组成不同于该第二介电层的材料组成。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第三介电层的材料组成与该第二介电层的材料组成相同。
8.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该深通孔导体结构与该第一互连结构的一部分直接连接。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该下晶片包括第二互连结构，且该连接垫通过该深通孔导体结构以及该上晶片的该第一互连结构而与该第二互连结构电连接。
11.一种半导体装
12.如权利要求11所述的半导体装置，其中该深通孔导体结构的该侧壁的该转折部位于该第一介电层中。
13.如权利要求11所述的半导体装置，其中该深通孔导体结构的该侧壁的该转折部与该第一部分的该侧壁以及该第二部分的该侧壁直接相连。
14.如权利要求11所述的半导体装置，其中该第一部分的宽度小于该第二部分的宽度。
15.如权利要求11所述的半导体装置，其中该上晶片还包括埋入式绝缘层设置在该第一互连结构与该第一介电层之间，且该深通孔导体结构还贯穿该埋入式绝缘层。
16.如权利要求15所述的半导体装置，其中该第一介电层的材料组成不同于该埋入式绝缘层的材料组成，且该第一介电层比该埋入式绝缘层厚。
17.如权利要求11所述的半导体装置，还包括：
18.如权利要求17所述的半导体装置，其中该第一介电层的材料组成不同于该第二介电层的材料组成，且该第一介电层比该第二介电层厚。
19.如权利要求17所述的半导体装置，其中该下晶片包括第二互连结构，且该连接垫通过该深通孔导体结构以及该上晶片的该第一互连结构而与该第二互连结构电连接。
20.如权利要求11所述的半导体装置，其中该深通孔导体结构与该第一互连结构的一部分直接连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该连接垫在垂直方向上与该第二介电层的该第一部分重叠，且该第二介电层的该第二部分在该垂直方向上没有被该连接垫覆盖。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二介电层的材料组成不同于该第一介电层的材料组成。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电层比该第二介电层厚。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第三介电层的材料组成不同于该第二介电层的材料组成。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第三介电层的材料组成与该第二介电层的材料组成相同。
8.如权利要求5所述的半导体装置，还包括：
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该深通孔导体结构与该第一互连结构的一部分直接连接。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该下晶片包括第二互连结构，且该连接垫通过该深通孔导体结构以及该上晶片的该第一互连结构而与该第二互连结构电连接。
11.一种半导体装置，包括：
12.如权利要求11所述的半导体装置，其中该深...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈禹钧，王裕平，曾奕铭，施易安，江俊松，邱久容，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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