【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电路，特别是涉及一种电平转换电路。
技术介绍
1、在eflash（称为nand flash或nor flash，是一种非易失性存储器）设计中，bitcell（基本存储单元）是存储数据的基本单元。由于bitcell的特殊性，在进行编程或擦除操作期间需要使用高电压。那么，通常是利用电平转换电路实现在逻辑信号控制下的所需高电压的转换输出。
2、但是，电平转换电路中采用的cmos管，由于工艺的局限性，一般击穿电压无法达到所述高电压，所以容易发生管子击穿，导致芯片失效无法工作。
3、因此，如何防止管子击穿是提高电平转换电路可靠性的重要方面。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种电平转换电路。
2、本申请实施例提供一种电平转换电路，所述电平转换电路包括：
3、输入模块，用于在输入信号的控制下，在所述输入模块的第一输出端输出第一低位信号或在所述输入模块的第二输出端输出第二低位信号；其中，所述第一低位信号和所述第二低位信号分别根据地端信号确定；
4、隔离模块，用于基于低压电源信号的控制，在所述输入模块的第一输出端输出所述第一低位信号的情形下，打开所述隔离模块的第一输出端的输出以使与所述隔离模块的第一输出端连接的所述电平转换电路的第一输出端输出根据所述第一低位信号确定的第一输出信号；在所述输入模块的第二输出端输出所述第二低位信号的情形下，打开所述隔离模块的第二输出端的输出以使与所
5、输出模块，包括以下至少一项：第三高压晶体管；第四高压晶体管；
6、其中，所述输出模块用于在所述输入模块的第一输出端输出所述第一低位信号的情形下，实现以下至少一项：
7、第四高压晶体管的源极获得高压电源信号，第四高压晶体管在与所述输入信号反相的反相输入信号的控制下导通以使与第四高压晶体管的漏极连接的所述电平转换电路的第二输出端输出根据所述高压电源信号确定的第二输出信号；
8、第三高压晶体管的衬底极和源极分别获得第一限压信号以降低第三高压晶体管衬底极和漏极之间的压差；
9、在所述输入模块的第二输出端输出所述第二低位信号的情形下，实现以下至少一项：
10、第三高压晶体管的源极获得高压电源信号，第三高压晶体管在所述输入信号的控制下导通以使与第三高压晶体管的漏极连接的所述电平转换电路的第一输出端输出根据所述高压电源信号确定的第一输出信号；
11、第四高压晶体管的衬底极和源极分别获得第二限压信号以降低第四高压晶体管衬底极和漏极之间的压差。
12、在一可选实施方式中，所述隔离模块包括以下至少一项：第一高压晶体管；第二高压晶体管；
13、其中，所述隔离模块用于在所述输入模块的第一输出端输出所述第一低位信号的情形下，实现以下至少一项：
14、第一高压晶体管的源极获得所述第一低位信号，第一高压晶体管在低压电源信号的控制下导通以使与第一高压晶体管的漏极连接的所述电平转换电路的第一输出端输出根据所述第一低位信号确定的第一输出信号；
15、第二高压晶体管的源极获得第二降压信号以降低第二高压晶体管的漏源电压；其中，所述第二降压信号根据低压电源信号确定；
16、在所述输入模块的第二输出端输出所述第二低位信号的情形下，实现以下至少一项：
17、第二高压晶体管的源极获得所述第二低位信号，第二高压晶体管在低压电源信号的控制下导通以使与第二高压晶体管的漏极连接的所述电平转换电路的第二输出端输出根据所述第二低位信号确定的第二输出信号；
18、第一高压晶体管的源极获得第一降压信号以降低第一高压晶体管的漏源电压；其中，所述第一降压信号根据低压电源信号确定。
19、在一可选实施方式中，所述第三高压晶体管和所述第四高压晶体管均为高压pmos管。
20、在一可选实施方式中，所述第一高压晶体管和所述第二高压晶体管均为高压nmos管。
21、在一可选实施方式中，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
22、第一限压模块，包括第七高压晶体管，用于提供所述第一限压信号，并在低压电源信号的控制下导通以利用第七高压晶体管的阈值电压将所述第一限压信号的电压值进行限制；
23、第二限压模块，包括第八高压晶体管，用于提供所述第二限压信号，并在低压电源信号的控制下导通以利用第八高压晶体管的阈值电压将所述第二限压信号的电压值进行限制。
24、在一可选实施方式中，所述第七高压晶体管和所述第八高压晶体管均为高压nmos管。
25、在一可选实施方式中，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
26、第一降压模块，用于在所述输入信号的控制下打开或关闭根据低压电源信号确定的所述第一降压信号；
27、第二降压模块，用于在所述反相输入信号的控制下打开或关闭根据低压电源信号确定的所述第二降压信号。
28、在一可选实施方式中，所述第一降压模块包括第三低压晶体管，所述第二降压模块包括第四低压晶体管；
29、和/或，所述第一降压模块采用的第三低压晶体管和所述第二降压模块采用的第四低压晶体管均为低压pmos管。
30、在一可选实施方式中，所述输入模块包括以下至少一项：
31、第一开关电路，用于在所述输入信号的控制下导通或截止，以打开或关闭所述第一低位信号在所述输入模块的第一输出端的输出；
32、反相器和第二开关电路；所述反相器用于将所述输入信号进行反相，以获得并输出反相输入信号；所述第二开关电路用于在所述反相输入信号的控制下导通或截止，以打开或关闭所述第二低位信号在所述输入模块的第二输出端的输出。
33、在一可选实施方式中，所述第一开关电路包括第一低压晶体管，所述第二开关电路包括第二低压晶体管；
34、和/或，所述第一开关电路采用的第一低压晶体管和所述第二开关电路采用的第二低压晶体管均为低压nmos管。
35、在一可选实施方式中，所述电平转换电路还包括高电压提供模块，用于基于所述第一输出信号和所述第二输出信号的控制，在所述输入模块的第一输出端输出所述第一低位信号的情形下，将高压电源信号传输至第四高压晶体管的源极；在所述输入模块的第二输出端输出所述第二低位信号的情形下，将高压电源信号传输至第三高压晶体管的源极。
36、在一可选实施方式中，所述高电压提供模块包括以下至少一项：第五高压晶体管；第六高压晶体管；第五高压晶体管用于提供高压电源信号至第三高压晶体管的源极，第六高压晶体管用于提供高压电源信号至第四高压晶体管的源极；
37、和/或，所述高电压提供模块采用高压pmos管的第五高压晶体管，用于提供高压电源信号至第三高压晶体管的源极；采用高压pm本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包括：
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述隔离模块包括以下至少一项：第一高压晶体管；第二高压晶体管；
3.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三高压晶体管和所述第四高压晶体管均为高压PMOS管。
4.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一高压晶体管和所述第二高压晶体管均为高压NMOS管。
5.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，所述第七高压晶体管和所述第八高压晶体管均为高压NMOS管。
7.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
8.根据权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一降压模块包括第三低压晶体管，所述第二降压模块包括第四低压晶体管；
9.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述输入模块包括以下至少一项：
1
11.根据权利要求1-10任一项所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括高电压提供模块，用于基于所述第一输出信号和所述第二输出信号的控制，在所述输入模块的第一输出端输出所述第一低位信号的情形下，将高压电源信号传输至第四高压晶体管的源极；在所述输入模块的第二输出端输出所述第二低位信号的情形下，将高压电源信号传输至第三高压晶体管的源极。
12.根据权利要求11所述的电平转换电路，其特征在于，所述高电压提供模块包括以下至少一项：第五高压晶体管；第六高压晶体管；第五高压晶体管用于提供高压电源信号至第三高压晶体管的源极，第六高压晶体管用于提供高压电源信号至第四高压晶体管的源极；
...【技术特征摘要】
1.一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包括：
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述隔离模块包括以下至少一项：第一高压晶体管；第二高压晶体管；
3.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三高压晶体管和所述第四高压晶体管均为高压pmos管。
4.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一高压晶体管和所述第二高压晶体管均为高压nmos管。
5.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，所述第七高压晶体管和所述第八高压晶体管均为高压nmos管。
7.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括以下至少一项：
8.根据权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一降压模块包括第三低压晶体管，所述第二降压模块包...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓艳，章一川，曹馨悦，
申请(专利权)人：芯联先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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