【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种包括延伸垫的半导体器件。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式闸极结构的dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的dram单元。
2、一般来说，具备凹入式闸极结构的dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术的缘故，现有具备凹入式闸极结构的dram单元仍存在有许多缺陷。举例来说，所述动态随机存储器中的存储节点焊盘710例如是通过自对准反向图案化(self-aligned reverse patterning,sarp)工艺进行制作，但往往因光学邻近效应(optical proximity effect,ope)、图案对准误差等因素，使得邻近焊盘边界712处的延伸垫714在制作时内缩变形，如图7所示，使得后续设置在延伸垫714上的各所述dram单元容易发生结构剥落或塌陷等问题。因此，相关技术还待进一步改良并有效提升相关存储器器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本技术之一目的在于提供一种半导体器件，藉由在周边区域内的虚设延伸垫设置凹陷部或是设置同时邻接两个延伸垫的长边，使得存储区域内的所述延伸垫得以具有完
2、为了实现上述目的，本技术的一个实施例提供了一种半导体器件，包括衬底以及存储节点焊盘结构。存储节点焊盘结构设置在所述衬底上，包括多个第一延伸垫以及多个第二延伸垫。所述第一延伸垫相互分隔地排列成一阵列。所述第二延伸垫相互分隔地设置在所有的所述第一延伸垫的外侧，其中，各所述第二延伸垫具有凹陷部。
3、为了实现上述目的，本技术的一个实施例还提供了另一种半导体器件，包括衬底以及存储节点焊盘结构。存储节点焊盘结构设置在所述衬底上，包括多个第一延伸垫以及多个第二延伸垫。所述第一延伸垫相互分隔地排列成一阵列。所述第二延伸垫相互分隔地设置在所有的所述第一延伸垫的外侧，其中，各所述第二延伸垫在第一方向上具有同时邻接两个所述第一延伸垫的长边。
4、整体来说，本技术的半导体器件是刻意在周边区域内的虚设延伸垫设置凹陷部或是设置同时邻接两个第一延伸垫的长边，使得存储区域内的延伸垫不至于受到光刻工艺的影响，而得以具有完整的轮廓。并且，延伸垫的设置范围还能进一步延伸至周边区域内。在此设置下，本技术的半导体器件可具有较为优化的组件可靠度并达到优良的操作表现。
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1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫在第一方向上具有长边，所述凹陷部设置在所述第二延伸垫的所述长边上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储节点焊盘结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫不接触所述延伸边界，所述凹陷部具有面向所述第一延伸垫的圆弧凹面。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫在第一方向的长度大于所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，部分的所述第一延伸垫在所述第二方向上位在相邻的所述第二延伸垫之间，并与各所述第二延伸垫的端部切齐。
9.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫分别物理性接触所述延伸边界。
10.根据权利要求9所述的半导体
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫在第一方向的长度大于所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，部分的所述第一延伸垫在所述第二方向上位在相邻的所述第二延伸垫之间，并与各所述第二延伸垫的端部切齐。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第一延伸垫在第一方向具有相同的长度。
15.一种半导体器件，其特征在于包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述存储节点焊盘结构还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，部分的所述第一延伸垫在所述第二方向上位在相邻的所述第二延伸垫之间，并与各所述第二延伸垫的端部切齐。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫在第一方向上具有长边，所述凹陷部设置在所述第二延伸垫的所述长边上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储节点焊盘结构还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫不接触所述延伸边界，所述凹陷部具有面向所述第一延伸垫的圆弧凹面。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫在第一方向的长度大于所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，部分的所述第一延伸垫在所述第二方向上位在相邻的所述第二延伸垫之间，并与各所述第二延伸垫的端部切齐。
9.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫分别物理性接触所述延伸...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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