【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电解铜箔领域，具体涉及一种适用于高频领域的粗糙度1.0-1.5μm反转铜箔、制备方法和应用。
技术介绍
1、电解铜箔是覆铜板及印制电路板的重要组成材料之一，起到传输信号与电力的作用。信号的高频剂高速化使信号传输越来越集中于电解铜箔“表层”，又称为趋肤效应，如当频率达1ghz时，其信号在电解铜箔表面的传输厚度为2.1μm左右；当信号传输频率提高到10ghz时，其信号在电解铜箔表面的传输厚度为0.70μm。若高频高速覆铜板或印制电路板继续使用常规粗糙度的电解铜箔，其结果是：随信号传输频率增加，趋肤效应导致的信号“失真”将愈发严重。
2、现有技术中，为了实现高频高速领域对超低轮廓铜箔的需求，常用反转电解铜箔(rtf)制备高频高速领域的覆铜板和pcb板。反转电解铜箔是在电解铜箔与阴极辊贴合面进行表面粗固化处理，由于是采用低粗糙度的阴极辊制备的，rtf铜箔光面粗糙度较低，减少了添加剂的成本，具有广阔的市场前景。
3、相关现有技术具体如中国专利cn112921371a公开了高频覆铜板用rtf铜箔的表面粗化固化处理方法，具体包括以下步骤：步骤a，酸洗预处理；步骤b，一级粗化电镀：将原箔在粗化电解槽内，使用脉冲电镀方法进行电镀，脉冲电镀的正反向时间比为1:2～5:1，电流密度保证在20a～100a/dm2；步骤c，一级弱固化电镀；步骤d，重复b、c步骤2～5次；步骤e，一级固化电镀：将原箔在粗化电解槽内，使用脉冲电镀方法进行电镀，脉冲电镀的正反向时间比为3:1～10:1，电流密度保证在20a～50a/dm2
4、但目前为止，对于粗糙度1.0≤rz≤1.5μm等级的rtf铜箔，现有技术获得的抗剥离强度仍然较低，对于抗剥离强度≥0.85n/mm的rtf铜箔仍具有生产效率差、生产管理复杂以及生产成本高等问题。针对现有技术存在的问题，寻找一种适用于高频领域的粗糙度1.0-1.5μm反转铜箔、制备方法和应用十分必要。
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术存在的问题，提供了一种适用于高频领域的粗糙度1.0-1.5μm反转铜箔、制备方法和应用，本专利技术的反转铜箔兼具了低粗糙度和高抗剥离强度，适用于高频高速领域的覆铜板和pcb板的制作。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
3、本专利技术提供了一种反转铜箔的制备方法，包括以下步骤：
4、(1)电解制备生箔：在电解液中对粗糙度rz≤0.8μm的阴极辊电解，得到生箔；
5、所述电解液包括：cu2+、硫酸、cl-、水解胶原蛋白、四氢噻唑硫酮和亚甲基双萘磺酸钠；
6、(2)表面处理：生箔的光面经过酸洗、粗化、固化、防氧化、钝化和硅烷化后，干燥、收卷，即得。
7、进一步地，所述电解液包括：cu2+65-75g/l、硫酸90-100g/l、cl-6-10mg/l、水解胶原蛋白50-70mg/l、四氢噻唑硫酮1-5mg/l和亚甲基双萘磺酸钠1-5mg/l。
8、优选地，所述所述电解液包括cu2+70g/l、硫酸95g/l、cl-8mg/l、水解胶原蛋白60mg/l、四氢噻唑硫酮4mg/l和亚甲基双萘磺酸钠4mg/l。
9、进一步地，所述水解胶原蛋白的分子量为5000-20000da。
10、进一步地，步骤(1)中所述电解的温度为43-47℃，电流为25-30ka。
11、进一步地，步骤(2)中所述酸洗在硫酸浓度为130-150g/l的酸洗液中进行，温度为40-44℃。
12、进一步地，步骤(2)中所述粗化包括第一次粗化和第二次粗化；所述第一次粗化使用的粗化液1包括12-14g/l cu2+、120-130g/l硫酸、0.02-0.04g/l sn2+和0.02-0.04g/l ti4+；所述第二次粗化使用的粗化液2包括12-14g/l cu2+、120-130g/l硫酸和0.2-0.4g/l钨酸钠；所述固化包括三次固化，三次固化均在cu2+浓度为60-70g/l和硫酸浓度为90-110g/l的溶液中进行；所述防氧化在ni2+浓度为1.5-2.5g/l、zn2+浓度为3.5-4.5g/l和k4p2o7浓度为70-100g/l的溶液中进行；所述钝化在cro42-浓度为2.0-2.5g/l和k4p2o7浓度为70-100g/l的溶液中进行；所述硅烷化在硅烷浓度为2.0-2.5g/l溶液中进行。
13、进一步地，所述第一次粗化的温度为30-34℃，电流密度为18a/dm2；所述第二次粗化的温度为30-34℃，电流密度为16a/dm2；所述固化的温度均为45-50℃，电流密度均为10a/dm2；所述防氧化的温度35-45℃，ph为10-11，电流密度为4.0a/dm2；所述钝化的温度20-30℃，ph为11-12，电流密度为3.0a/dm2；所述硅烷化的温度为30-40℃，ph为9-12。
14、进一步地，步骤(1)中所述cl-源自hcl；步骤(1)和(2)中所述cu2+均源自硫酸铜；步骤(2)中所述sn2+源自氧化锡和/或硫酸锡水合物，所述ti4+源自硫酸钛和/或硫酸钛水合物，所述钨酸钠源自二水合钨酸钠；所述ni2+源自硫酸镍和/或硫酸镍的水合物，所述zn2+源自硫酸锌和/或硫酸锌的水合物，所述cro42-源自重铬酸钾和/或重铬酸钾的水合物；所述硅烷包括kh550硅烷偶联剂、kh560硅烷偶联剂和kh570硅烷偶联剂中的一种或多种。
15、值得说明的是，本专利技术中配制各类溶液的溶剂均为超纯水。
16、进一步地，步骤(2)中所述第一次粗化、第二次粗化、固化、防氧化和钝化后均包括水洗步骤，所述水洗采用ro水，温度为30-40℃。
17、进一步地，所述固化包括1次以上固化，优选为3次固化，3次固化的参数条件一致。
18、进一步的，步骤(2)中所述干燥在烘箱中进行，温度为105-125℃；所述收卷的速度为6-9m/min。
19、进一步地，本专利技术还提供了上述的制备方法制得的反转铜箔。
20、进一步地，所述反转铜箔的厚度为9-18μm，处理面粗糙度为：1.本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种反转铜箔的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述电解液包括：Cu2+65-75g/L、硫酸90-100g/L、Cl-6-10mg/L、水解胶原蛋白50-70mg/L、四氢噻唑硫酮1-5mg/L和亚甲基双萘磺酸钠1-5mg/L。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述水解胶原蛋白的分子量为5000-20000Da。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述电解的温度为43-47℃，电流为25-30kA。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述酸洗在硫酸浓度为130-150g/L的酸洗液中进行，温度为40-44℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述粗化包括第一次粗化和第二次粗化；所述第一次粗化使用的粗化液1包括12-14g/L Cu2+、120-130g/L硫酸、0.02-0.04g/L Sn2+和0.02-0.04g/L Ti4+；所述第二次粗化使用的粗化液2包括12-14g/L
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述第一次粗化的温度为30-34℃，电流密度为18A/dm2；所述第二次粗化的温度为30-34℃，电流密度为16A/dm2；所述固化的温度均为45-50℃，电流密度均为10A/dm2；所述防氧化的温度35-45℃，pH为10-11，电流密度为4.0A/dm2；所述钝化的温度20-30℃，pH为11-12，电流密度为3.0A/dm2；所述硅烷化的温度为30-40℃，pH为9-12。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Cl-源自HCl；步骤(1)和(2)中所述Cu2+均源自硫酸铜；步骤(2)中所述Sn2+源自氧化锡和/或硫酸锡的水合物，所述Ti4+源自硫酸钛和/或硫酸钛水合物，所述钨酸钠源自二水合钨酸钠；所述Ni2+源自硫酸镍和/或硫酸镍的水合物，所述Zn2+源自硫酸锌和/或硫酸锌的水合物，所述CrO42-源自重铬酸钾和/或重铬酸钾的水合物；所述硅烷包括KH550硅烷偶联剂、KH560硅烷偶联剂和KH570硅烷偶联剂中的一种或多种。
9.如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的反转铜箔。
10.如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的反转铜箔或权利要求9所述的反转铜箔在制备覆铜板或PCB板中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种反转铜箔的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述电解液包括：cu2+65-75g/l、硫酸90-100g/l、cl-6-10mg/l、水解胶原蛋白50-70mg/l、四氢噻唑硫酮1-5mg/l和亚甲基双萘磺酸钠1-5mg/l。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述水解胶原蛋白的分子量为5000-20000da。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述电解的温度为43-47℃，电流为25-30ka。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述酸洗在硫酸浓度为130-150g/l的酸洗液中进行，温度为40-44℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述粗化包括第一次粗化和第二次粗化；所述第一次粗化使用的粗化液1包括12-14g/l cu2+、120-130g/l硫酸、0.02-0.04g/l sn2+和0.02-0.04g/l ti4+；所述第二次粗化使用的粗化液2包括12-14g/l cu2+、120-130g/l硫酸和0.2-0.4g/l钨酸钠；所述固化包括三次固化，三次固化均在cu2+浓度为60-70g/l和硫酸浓度为90-110g/l的溶液中进行；所述防氧化在ni2+浓度为1.5-2.5g/l、zn2+浓度为3.5-4.5g/l和k4p2o7浓度为70-100g/l的溶液中进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李远泰，钟伟彬，潘光华，王启如，何成军，罗志伟，赖鑫文，
申请(专利权)人：广东盈华电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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