【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造，特别涉及一种光刻聚焦装置、方法及系统。
技术介绍
1、光刻是集成电路中最重要的一项工艺。简单来说，光刻和相机的作用一样，利用光化学反应原理把设计好的掩模版上的图形转移到晶圆上。而光刻机的光学系统相当于光刻机的眼睛，理想状态下，晶圆表面平整，而自illumination光路系统射出的光线焦距适当，在晶圆400表面所得的光刻图形表现良好。然而在集成电路制造中，需要多层不同衬底，不同图形的光刻层累加，多层衬底叠加以及图形疏密分布不均等因素将会导致晶圆表面形貌高低各异，曝光时会造成图形失焦(defocus)，如图2所示的失焦示意图，进一步使得光刻工艺后的光刻图案形貌异常以及cd值异常，从而进一步导致刻蚀后得到的图形异常，影响产品良率。
2、一般来说，为补偿不平整度，目前通过曝光时移动晶圆承载台(wafer stage，ws)，以实现成像面贴合水平(leveling)面，但是移动旋转ws的过程复杂，会带来一定的对准误差，从而降低良率。
3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种光刻聚焦装置、方法及系统，以解决对准误差的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光刻聚焦装置，包括：
3、掩膜版；
4、镜头组，设置在
5、一位置可调的透镜，所述透镜设置在所述镜头组和所述掩膜版之间，用于改变自光路系统射出光线的焦距。
6、本专利技术还提供了一种光刻聚焦方法，采用如上述的光刻聚焦装置，还包括以下步骤：
7、提供晶圆，在所述晶圆表面涂布光刻胶；
8、扫描所述晶圆，以获取所述晶圆表面各曝光区域的高度分布；
9、根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值；
10、根据所需补偿的聚焦值，调整透镜的位置，对各曝光区域进行补偿。
11、优选地，根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值包括：根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域的最佳焦距，进一步根据当前所述透镜的焦距计算所需补偿的聚焦值。
12、优选地，在提供晶圆前，将掩膜版放置在掩膜工作台上，并进行对准。
13、优选地，在所述掩膜版对准后，将所述晶圆放置在晶圆承载台上，并和所述掩膜工作台进行对准。
14、优选地，使用水平传感器扫描所述晶圆。
15、优选地，通过调整所述透镜与所述掩膜版之间的距离和/或所述透镜所处的平面与所述晶圆所处平面之间的夹角，对各曝光区域进行补偿。
16、本专利技术还提供了一种光刻聚焦系统，采用如上述的光刻聚焦装置，包括：
17、量测模块，用于扫描晶圆，以获取所述晶圆表面各曝光区域的高度分布；
18、数据处理模块，用于根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值；
19、曝光模块，用于根据所需补偿的聚焦值，调整透镜的位置，对各曝光区域进行补偿。
20、优选地，所述数据处理模块根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值包括：根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域的最佳焦距，进一步根据当前所述透镜的焦距计算所需补偿的聚焦值。
21、优选地，通过调整所述透镜与所述掩膜版之间的距离和/或所述透镜所处的平面与所述晶圆所处平面之间的夹角，对各曝光区域进行补偿。
22、在本专利技术提供的光刻聚焦装置中，通过在掩膜版和镜头组间提供一位置可调的透镜，用于补偿晶圆表面的不平整度以优化聚焦，减少对准误差，使曝光面内不同曝光区域都可获得最佳聚焦从而提高产品良率。
23、本专利技术提供的光刻聚焦方法与本专利技术提供的光刻聚焦装置属于同一专利技术构思，因此，本专利技术提供的光刻聚焦方法至少具有本专利技术提供的光刻聚焦装置的所有优点，在此不再赘述。
24、本专利技术提供的光刻聚焦系统与本专利技术提供的光刻聚焦装置属于同一专利技术构思，因此，本专利技术提供的光刻聚焦系统至少具有本专利技术提供的光刻聚焦装置的所有优点，在此不再赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光刻聚焦装置，其特征在于，包括：
2.一种光刻聚焦方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的光刻聚焦装置，还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值包括：根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域的最佳焦距，进一步根据当前所述透镜的焦距计算所需补偿的聚焦值。
4.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，在提供晶圆前，将掩膜版放置在掩膜工作台上，并进行对准。
5.根据权利要求4所述的光刻聚焦方法，其特征在于，在所述掩膜版对准后，将所述晶圆放置在晶圆承载台上，并和所述掩膜工作台进行对准。
6.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，使用水平传感器扫描所述晶圆。
7.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，通过调整所述透镜与所述掩膜版之间的距离和/或所述透镜所处的平面与所述晶圆所处平面之间的夹角，对各曝光区域进行补偿。
8.一种光刻聚焦系统，其特征在于，采用如权利要求1所述的光刻聚焦装置，包括：>
9.根据权利要求8所述的光刻聚焦系统，其特征在于，所述数据处理模块根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值包括：根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域的最佳焦距，进一步根据当前所述透镜的焦距计算所需补偿的聚焦值。
10.根据权利要求8所述的光刻聚焦系统，其特征在于，通过调整所述位置可调的透镜与所述掩膜版之间的距离和/或所述透镜所处的平面与所述晶圆所处平面之间的夹角，对各曝光区域进行补偿。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻聚焦装置，其特征在于，包括：
2.一种光刻聚焦方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的光刻聚焦装置，还包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域所需补偿的聚焦值包括：根据各曝光区域的高度分布获取每个曝光区域的最佳焦距，进一步根据当前所述透镜的焦距计算所需补偿的聚焦值。
4.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，在提供晶圆前，将掩膜版放置在掩膜工作台上，并进行对准。
5.根据权利要求4所述的光刻聚焦方法，其特征在于，在所述掩膜版对准后，将所述晶圆放置在晶圆承载台上，并和所述掩膜工作台进行对准。
6.根据权利要求2所述的光刻聚焦方法，其特征在于，使用水平传感器扫描所...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁晋楠，唐文尧，郭晓波，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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