【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种微显示单元和显示面板。
技术介绍
1、micro-led芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特性，在显示装置中广泛应用。
2、micro-led芯片的发光效率与电流密度相关。现有技术中，micro-led芯片的电流密度较小，发光效率较低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种微显示单元和显示面板，以提高micro-led芯片的发光效率。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种微显示单元，包括：第一外延结构、第二外延结构和键合层；第一外延结构和第二外延结构沿微显示单元的厚度方向上堆叠设置，键合层位于第一外延结构和第二外延结构之间；
3、第一外延结构和第二外延结构分别包括外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一外延结构和第二外延结构中，第一半导体层分别位于第二半导体层靠近键合层的一侧；
4、微显示单元还包括第一导电接触部，第一导电接触部位于第一外延结构靠近键合层的一侧，第二外延结构在对应于第一导电接触部的位置设置有第一过孔；
5、微显示单元还包括第一电极、连接电极和第二电极，第一电极穿过第一过孔与第一导电接触部电连接，第二电极与第二外延结构的第二半导体层电连接；
6、第二外延结构中还设置有第二过孔，第二过孔贯穿第二外延结构，并延伸至第一外延结构的第二半导体层，连接电极穿过第二过孔与第一外延结构的第二半导体层电连接，且连接电极还与第二外延结构的第一半导体层电
7、根据本专利技术的另一方面，提供了一种微显示单元的制备方法，包括：
8、提供第一外延结构和第二外延结构；
9、在第一外延结构的一侧形成第一导电接触部；其中第一导电接触部与第一外延结构的第一半导体层连接；
10、将第一外延结构和第二外延结构通过键合层进行键合；
11、对第一导电接触部一侧的键合层和第二外延结构进行图形化形成第一过孔，第一过孔暴露第一导电接触部；
12、对第二外延结构和键合层进行图形化形成第二过孔，第二过孔暴露第一外延结构的第二半导体层；
13、在第一过孔中形成第一电极，在第二过孔中形成连接电极，连接电极连接第二外延结构的第一半导体层和第一外延结构的第二半导体层，并形成与第二外延结构的第二半导体层连接的第二电极。
14、根据本专利技术的另一方面，提供了一种显示面板，包括本专利技术任意实施例的微显示单元。
15、本专利技术实施例的技术方案，第一外延结构和第二外延结构堆叠设置，使得微显示单元占用的平面面积减小，使得微显示单元的尺寸减小。第一外延结构所形成的发光器件和第二外延结构所形成的发光器件形成串联，使得微显示单元的电流密度增大，进而可以提高微显示单元的发光效率。另外，本专利技术技术方案中，第一导电接触部在第一外延结构的一侧，在将第一外延结构和第二外延结构进行对位键合时，直接将第一外延结构和第二外延结构通过键合层进行键合，然后在第一导电接触部对应位置形成第一过孔，并在第二外延结构侧形成连接电极对应的第二过孔，可以降低对键合工艺要求。
16、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微显示单元，其特征在于，包括：第一外延结构、第二外延结构和键合层；所述第一外延结构和所述第二外延结构沿所述微显示单元的厚度方向上堆叠设置，所述键合层位于所述第一外延结构和所述第二外延结构之间；
2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第二过孔包括第一刻蚀槽和第一连接孔；所述第一刻蚀槽从所述第一外延结构靠近所述键合层的表面延伸至所述第一外延结构的第二半导体层，所述第一连接孔位于所述第一刻蚀槽远离所述第一外延结构的一侧，并贯穿所述第二外延结构和所述键合层与所述第一刻蚀槽连通。
3.根据权利要求2所述的微显示单元，其特征在于，所述第一连接孔包括第一孔部和第二孔部，沿水平方向上，所述第二孔部位于所述第一孔部的至少一侧，所述水平方向与所述微显示单元的厚度方向垂直；
4.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第一外延结构还包括第一电流扩展层，所述第一电流扩展层位于所述第一外延结构的所述第一半导体层和所述键合层之间；所述第二外延结构还包括第二电流扩展层，所述第二电流扩展层位于所述第二外延结构的所述第一半导体层和所述键合层之间。<...
【技术特征摘要】
1.一种微显示单元，其特征在于，包括：第一外延结构、第二外延结构和键合层；所述第一外延结构和所述第二外延结构沿所述微显示单元的厚度方向上堆叠设置，所述键合层位于所述第一外延结构和所述第二外延结构之间；
2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第二过孔包括第一刻蚀槽和第一连接孔；所述第一刻蚀槽从所述第一外延结构靠近所述键合层的表面延伸至所述第一外延结构的第二半导体层，所述第一连接孔位于所述第一刻蚀槽远离所述第一外延结构的一侧，并贯穿所述第二外延结构和所述键合层与所述第一刻蚀槽连通。
3.根据权利要求2所述的微显示单元，其特征在于，所述第一连接孔包括第一孔部和第二孔部，沿水平方向上，所述第二孔部位于所述第一孔部的至少一侧，所述水平方向与所述微显示单元的厚度方向垂直；
4.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第一外延结构还包括第一电流扩展层，所述第一电流扩展层位于所述第一外延结构的所述第一半导体层和所述键合层之间；所述第二外延结构还包括第二电流扩展层，所述第二电流扩展层位于所述第二外延结构的所述第一半导体层和所述键合层之间。
5.根据权利要求4所述的微显示单元，其特征在于，所述第二孔部延伸至所述第二电流扩展层，所述第二电流扩展层远离所述键合层一侧的表面对应于所述第二孔部的位置形成所述台面。
6.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，还包括第二导电接触部，所述第二导电接触部位于所述第二外延结构靠近所述键合层的一侧；所述第二导电接触部远离所述键合层一侧的表面对应于所述第二过孔的位置形成所述台面，所述第二导电接触部分别与所述第二外延结构的第一半导体层以及所述连接电极连接。
7.根据权利要求6所述的微显示单元，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，孔玮，李军帅，谢海忠，杨军，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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