【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及存储器器件及其操作方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，这种集成密度的提高来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许更多的组件集成到给定的区域中。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器阵列，包括多个字线，多个字线上分别可操作地耦合到多个存储器单元组；以及控制器，可操作地耦合到存储器阵列，并且包括自适应跟踪电路，自适应跟踪电路被配置为：接收通过第一跟踪线传导的第一信号；接收指示要断言的字线中的一个字线的地址信号；和基于地址信号，调整通过第二跟踪线传导的第二信号的转变边沿的时序。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种存储器器件，包括：存储器阵列，包括多个字线，多个字线上分别可操作地耦合到多个存储器单元组；以及控制器，物理地设置在存储器阵列旁并且可操作地耦合到存储器阵列；其中，控制器被配置为：接收地址信号以断言多个字线中的一个字线；和基于从控制器到由地址信号指示的断言的字线的物理距离，调整通过断言的字线传导的第一信号的脉冲宽度。
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种用于操作存储器器件的方法，包括：由控制器接收包括多个位的地址信号，其中，当多个位中的一个位被指示为处于特定逻辑状态时对应于存储器阵列的多个字线的相应子集；由控制器基于在特定逻辑状态下指示的地址信号的位来调整通过跟踪位线传导的第
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1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述控制器还包括脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述脉冲发生器进一步被配置为基于所述第二信号的所述转变边沿的调整后的所述时序来向所述时钟发生器提供复位信号，以使得所述时钟脉冲呈现第二转变边沿。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述自适应跟踪电路包括可操作地耦合到所述第一跟踪线和所述第二跟踪线的多个下拉级。
5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述多个下拉级中的每个下拉级被配置为接收所述地址信号的对应位，并且其中，所述地址信号的每个位当被配置为处于特定逻辑状态时对应于所述多个存储器单元组中的相应一个存储器单元组。
6.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述多个下拉级中的每个下拉级包括：
7.一种存储器器件，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述控制器包括：
9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中，所述脉冲发生器进一步被配置为基于所述第
10.一种用于操作存储器器件的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述控制器还包括脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述脉冲发生器进一步被配置为基于所述第二信号的所述转变边沿的调整后的所述时序来向所述时钟发生器提供复位信号，以使得所述时钟脉冲呈现第二转变边沿。
4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述自适应跟踪电路包括可操作地耦合到所述第一跟踪线和所述第二跟踪线的多个下拉级。
5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述多个下拉级中的每个下拉级被配置为接收所述地址信号的对应位，并且...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈家政，萧榆洁，吴经纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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