MOCVD设备及其防污结构制造技术

本技术涉及半导体加工技术领域，提供一种MOCVD设备及其防污结构。防污结构包括反应器盖和顶板，反应器盖和顶板相对设置，顶板位于反应器盖的下方，顶板的边缘沿斜向外的方向设有防污外缘，防污外缘的顶部高于反应器盖的下表面。本技术提供的防污结构，防污外缘能够对MO源挥发后产生的污染物起到导流和阻挡作用，防止污染物进入反应器盖和顶板之间对晶圆造成污染，解决了现有技术中MOCVD设备在进行多次连续的沉积运行后易对晶圆造成污染的缺陷，能够防止MO源挥发至反应器盖与顶板之间的间隙中掉落至晶圆表面，从而改善晶圆表面均匀性，防止在晶圆表面造成Particle风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工，尤其涉及一种mocvd设备及其防污结构。

技术介绍

1、在mocvd(金属有机化学气相沉积)设备中，reactor lid(反应器盖)是指覆盖在反应器上方的部件。它通常由特殊材料制成，用于密封和保护反应器内的化学气相沉积过程。在mocvd设备中，ceiling(顶板)是指反应室顶部的部分，其通常采用陶瓷或金属材料制成，用于保护反应室内部的加热器和其他组件不受反应物质和高温环境的侵蚀。

2、现有技术中，由于反应器盖与顶板之间存在1-2cm的空隙，mocvd设备在进行多次连续的沉积运行后，顶板背面的边缘存在着mo源污染物，这些污染物在epi(epitaxialgrowth，外延生长)过程中以及结束之后掉落至wafer(晶圆)表面，引发wafer在epi之后产生particle风险，particle风险(particle risk)是指在工业、制造或其他相关领域中，由于悬浮颗粒物的存在而可能对人体健康和环境造成的危害。

3、因此，亟需一种mocvd设备及其防污结构以解决上述问题。

技术实现思路

1、本技术提供一种mocvd设备及其防污结构，用以解决现有技术中mocvd设备在进行多次连续的沉积运行后易对晶圆造成污染的缺陷，能够防止mo源挥发至反应器盖与顶板之间的间隙中掉落至晶圆表面，防止在晶圆表面造成particle风险。

2、本技术一方面提供一种防污结构，包括：反应器盖和顶板，所述反应器盖和所述顶板相对设置，所述顶板位于所述反应器盖的下方，所述顶板的边缘沿斜向外的方向设有防污外缘，所述防污外缘的顶部高于所述反应器盖的下表面。

3、根据本技术提供的防污结构，所述防污外缘的内表面设有光洁层。

4、根据本技术提供的防污结构，所述防污外缘的内表面与所述顶板的上表面的连接处设有收集槽，所述收集槽用于收集污染物。

5、根据本技术提供的防污结构，所述收集槽内设有通孔，所述收集槽通过所述通孔与外界连通。

6、根据本技术提供的防污结构，所述通孔与所述收集槽的连接处设有圆角。

7、根据本技术提供的防污结构，所述收集槽内环形均布设有多个所述通孔。

8、根据本技术提供的防污结构，所述防污外缘与所述顶板之间的夹角的取值范围为120°至150°。

9、根据本技术提供的防污结构，所述防污外缘与所述顶板一体设置。

10、根据本技术提供的防污结构，所述防污外缘的内表面与所述反应器盖的下表面的间距的取值范围为5mm至10mm。

11、本技术另一方面提供一种mocvd设备，包括反应室和如上任一项所述的防污结构，所述顶板设于所述反应室顶部。

12、本技术提供的防污结构，通过在顶板的边缘沿斜向外的方向设置防污外缘，且防污外缘的顶部高于所述反应器盖的下表面，防污外缘能够对mo源挥发后产生的污染物起到导流和阻挡作用，防止污染物进入反应器盖和顶板之间对晶圆造成污染，解决了现有技术中mocvd设备在进行多次连续的沉积运行后易对晶圆造成污染的缺陷，能够防止mo源挥发至反应器盖与顶板之间的间隙中掉落至晶圆表面，从而改善晶圆表面均匀性，防止在晶圆表面造成particle风险。

13、本技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本技术的实践中得到教导。本技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

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【技术保护点】

1.一种防污结构，其特征在于，包括：反应器盖和顶板，所述反应器盖和所述顶板相对设置，所述顶板位于所述反应器盖的下方，所述顶板的边缘沿斜向外的方向设有防污外缘，所述防污外缘的顶部高于所述反应器盖的下表面。

2.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘的内表面设有光洁层。

3.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘的内表面与所述顶板的上表面的连接处设有收集槽，所述收集槽用于收集污染物。

4.根据权利要求3所述的防污结构，其特征在于，所述收集槽内设有通孔，所述收集槽通过所述通孔与外界连通。

5.根据权利要求4所述的防污结构，其特征在于，所述通孔与所述收集槽的连接处设有圆角。

6.根据权利要求4所述的防污结构，其特征在于，所述收集槽内环形均布设有多个所述通孔。

7.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘与所述顶板之间的夹角的取值范围为120°至150°。

8.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘与所述顶板一体设置。

9.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘的内表面与所述反应器盖的下表面的间距的取值范围为5mm至10mm。

10.一种MOCVD设备，其特征在于：包括反应室和如权利要求1至9任一项所述的防污结构，所述顶板设于所述反应室顶部。

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【技术特征摘要】

1.一种防污结构，其特征在于，包括：反应器盖和顶板，所述反应器盖和所述顶板相对设置，所述顶板位于所述反应器盖的下方，所述顶板的边缘沿斜向外的方向设有防污外缘，所述防污外缘的顶部高于所述反应器盖的下表面。

2.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘的内表面设有光洁层。

3.根据权利要求1所述的防污结构，其特征在于，所述防污外缘的内表面与所述顶板的上表面的连接处设有收集槽，所述收集槽用于收集污染物。

4.根据权利要求3所述的防污结构，其特征在于，所述收集槽内设有通孔，所述收集槽通过所述通孔与外界连通。

5.根据权利要求4所述的防污结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卿佳宁，杜金星，段俊峰，赵志远，赵广元，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：