【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及发光二极管（led）封装，更具体地，涉及led封装中的发射高度布置以及相关器件和方法。
技术介绍
1、发光二极管（led）等固态照明器件越来越多地用于消费和商业应用中。led技术的进步产生了高效、机械强度高、使用寿命长的光源。因此，现代led已经实现了各种新的显示应用，并且越来越多地用于普通照明应用，经常取代白炽灯和荧光灯光源。
2、led是将电能转换成光的固态器件，且通常包括一个或多个半导体材料有源层（或有源区域），该有源层设置在相反掺杂的n型层和p型层之间。当在掺杂层上施加偏压时，空穴和电子被注入到一个或多个有源层中，并在有源层中重新结合，以产生发射，例如，可见光或紫外线发射。led芯片通常包括可以由例如碳化硅、氮化镓、磷化镓、磷化铟、氮化铝、砷化镓基材料和/或有机半导体材料制成的有源区域。有源区域生成的光子在所有方向上发射。
3、可以在led发射器的发光路径中布置发光材料（诸如磷光体），以将部分光转换成不同的波长。已经开发出可以为led发射器提供机械支撑、电连接和封装的led封装。离开led发射器表面的光发射通常在离开之前与led封装和发光材料的各种元件或表面相互作用，从而增加了光发射的光损耗和潜在不均匀性的机会。因此，在产生具有期望发射特性的高质量光的同时还在led封装中提供高发光效率，这可能存在挑战。
4、本领域继续寻求改进的led和固态照明器件，具有能够克服与传统照明器件相关的挑战的期望的照明特性。
技术实现思路
1、本文公
2、在一个方面，一种方法包括：提供定义第一色点的第一发光二极管（led）芯片和第一发光材料层；提供定义第二色点的第二led芯片，该第二色点与第一色点不同；以及减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的厚度，使得由第一led芯片和第一发光材料层形成的第一发射高度与第二led芯片的第二发射高度相差100微米（μm）以下。在某些实施方式中，第一发射高度被定义为从第一led封装的安装表面到第一led封装的最高发射表面的垂直距离，并且第二发射高度被定义为从第二led芯片的安装表面到第二led芯片的最高发射表面的垂直距离。在某些实施方式中，第一led芯片的最高发射表面被定义在第一发光材料层的最高表面处，并且第二led芯片的最高发射表面被定义在第二led芯片的最高表面处。在某些实施方式中，第一led芯片的厚度减小的量与第一发光材料层的厚度对应。在某些实施方式中，减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的厚度包括减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的衬底的厚度。在某些实施方式中，第一发射高度在第二发射高度的60 μm以下。在某些实施方式中，第一发射高度与第二发射高度相差30 μm以下。
3、在另一方面，一种方法包括：提供定义第一色点的第一led芯片和第一发光材料层；提供定义第二色点的第二led芯片和第二发光材料层，第二色点与第一色点不同；以及减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的厚度，使得由第一led芯片和第一发光材料层形成的第一发射高度与由第二led芯片和第二发光材料层形成的第二发射高度相差100微米（μm）以下。在某些实施方式中，第一发射高度被定义为从第一led芯片的安装表面到第一led芯片的最高发射表面的垂直距离，并且第二发射高度被定义为从第二led芯片的安装表面到第二led芯片的最高发射表面的垂直距离。在某些实施方式中，第一led芯片的最高发射表面被定义在第一发光材料层的最高表面处，并且第二led芯片的最高发射表面被定义在第二发光材料层的最高表面处。在某些实施方式中，减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的厚度包括减小第一led芯片和第二led芯片中的至少一者的衬底的厚度。在某些实施方式中，第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。在某些实施方式中，第一发射高度与第二发射高度相差30 μm以下。
4、在另一方面，一种发光器件，包括：第一发光二极管（led）封装，包括：第一基板；第一基板上的第一led芯片；以及在第一led芯片上的第一发光材料层，其中，第一led芯片和第一发光材料层定义第一色点，并且第一发射高度被定义为从第一led封装的安装表面到第一led封装的最高发射表面的垂直距离；以及第二led封装，包括：第二基板；以及在第二基板上的第二led芯片，其中，第二led芯片至少部分地定义第二色点，第二色点与第一色点不同，并且其中，第二发射高度被定义为从第二led封装的安装表面到第二led封装的最高发射表面的垂直距离；其中，第一发射高度在第二发射高度的100微米（μm）内。在某些实施方式中，第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。在某些实施方式中，第一发射高度与第二发射高度相差30 μm以下。在某些实施方式中，第一led封装的最高发射表面被定义在第一发光材料层的最高表面处，并且第二led封装的最高发射表面被定义在第二led芯片的最高表面处。发光器件还可以包括在第二led芯片上的第二发光材料层，其中，第二led芯片和第二发光材料定义第二色点，其中，第一led封装的最高发射表面定义在第一发光材料层的最高表面处，并且第二led封装的最高发射表面定义在第二发光材料层的最高表面处。在某些实施方式中，第一发光材料层作为涂层设置在第一led芯片上。在某些实施方式中，第一发光材料层布置在附接到第一led芯片的芯片罩上或内。
5、在另一方面，一种led封装包括：基板；基板上的第一led芯片；以及在第一led芯片上的第一发光材料层，其中，第一led芯片和第一发光材料层定义第一色点，并且第一发射高度被定义为从第一led芯片的安装表面到第一led芯片的最高发射表面的垂直距离；以及在基板上的第二led芯片，其中，第二led芯片至少部分地定义第二色点，第二色点与第一色点不同，并且其中，第二发射高度被定义为从第二led芯片的安装表面到第二led芯片的最高发射表面的垂直距离；其中，第一发射高度与第二发射高度相差100微米（μm）以下。在某些实施方式中，第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。在某些实施方式中，第一发射高度与第二发射高度相差30 μm以下。在某些实施方式中，第一led芯片的最高发射表面被定义在第一发光材料层的最高表面处，并且第二led芯片的最高发射表面被定义在第二led芯片的最高表面处。led封装还可以包括在第二led芯片上的第二发光材料层，其中，第二led芯片和第二发光材料层定义第二色点，其中，第一le本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度被定义为从第一LED封装的安装表面到所述第一LED封装的最高发射表面的垂直距离，并且所述第二发射高度被定义为从所述第二LED芯片的安装表面到所述第二LED芯片的最高发射表面的垂直距离。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第二LED芯片的最高表面处。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一LED芯片的厚度减小的量与所述第一发光材料层的厚度对应。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，减小所述第一LED芯片和所述第二LED芯片中的至少一者的厚度包括减小所述第一LED芯片和所述第二LED芯片中的至少一者的衬底的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30 μm以下。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度被定义为从所述第一LED芯片的安装表面到所述第一LED芯片的最高发射表面的垂直距离，并且所述第二发射高度被定义为从所述第二LED芯片的安装表面到所述第二LED芯片的最高发射表面的垂直距离。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第二发光材料层的最高表面处。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，减小所述第一LED芯片和所述第二LED芯片中的至少一者的厚度包括减小所述第一LED芯片和所述第二LED芯片中的至少一者的衬底的厚度。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60μm以下。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30μm以下。
14.一种发光器件，包括：
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30 μm以下。
17.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一LED封装的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED封装的所述最高发射表面被定义在所述第二LED芯片的最高表面处。
18.根据权利要求14所述的发光器件，还包括在所述第二LED芯片上的第二发光材料层，其中，所述第二LED芯片和所述第二发光材料定义所述第二色点，其中，所述第一LED封装的所述最高发射表面定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED封装的所述最高发射表面定义在所述第二发光材料层的最高表面处。
19.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一发光材料层作为涂层设置在所述第一LED芯片上。
20.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一发光材料层布置在附接到所述第一LED芯片的芯片罩上或芯片罩内。
21.一种发光二极管LED封装，包括：
22.根据权利要求21所述的LED封装，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。
23.根据权利要求21所述的LED封装，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30 μm以下。
24.根据权利要求21所述的LED封装，其中，所述第一LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED芯片的所述最高发射表面被定义在所述第二LED芯片的最高表面处。
25.根据权利要求21所述的LED封装，还包括在所述第二LED芯片上的第二发光材料层，其中，所述第二LED芯片和所述第二发光材料层定义所述第二色点，其中，所述第一LED芯片的所述最高发射表面定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二LED芯片的所述最高发射表面定义在所述第二发光材料层的最高表面处。
26.根据权利要求21所述的LED封装，其中，所述第一发光材料层作为涂层设置在所述第一LED芯片上。
27.根据权利要求21所述的LED封装，其中，所述第一发光材料层布置在附接到所述第一LED芯片的芯片罩上或芯片罩内。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度被定义为从第一led封装的安装表面到所述第一led封装的最高发射表面的垂直距离，并且所述第二发射高度被定义为从所述第二led芯片的安装表面到所述第二led芯片的最高发射表面的垂直距离。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一led芯片的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二led芯片的所述最高发射表面被定义在所述第二led芯片的最高表面处。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一led芯片的厚度减小的量与所述第一发光材料层的厚度对应。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，减小所述第一led芯片和所述第二led芯片中的至少一者的厚度包括减小所述第一led芯片和所述第二led芯片中的至少一者的衬底的厚度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60 μm以下。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30 μm以下。
8.一种方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度被定义为从所述第一led芯片的安装表面到所述第一led芯片的最高发射表面的垂直距离，并且所述第二发射高度被定义为从所述第二led芯片的安装表面到所述第二led芯片的最高发射表面的垂直距离。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一led芯片的所述最高发射表面被定义在所述第一发光材料层的最高表面处，并且所述第二led芯片的所述最高发射表面被定义在所述第二发光材料层的最高表面处。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，减小所述第一led芯片和所述第二led芯片中的至少一者的厚度包括减小所述第一led芯片和所述第二led芯片中的至少一者的衬底的厚度。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差60μm以下。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一发射高度与所述第二发射高度相差30μm以下。
14.一种发光器件，包括：
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一发射高度...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历克西斯·里勒，罗伯特·威尔科克斯，科林·布莱克利，
申请(专利权)人：科锐LED公司，
类型：发明
国别省市：
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