【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、干涉仪用于调变一光学信号之强度及/或波长。此允许控制光学输出处光之强度，可依据波长而变化。可期望更精确控制光学信号之波长回应及/或强度。
2、可期望提供一种用于一光子集成电路(pic)之改良干涉仪。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种用于一光子集成电路之干涉仪，该干涉仪包括：
2.根据权利要求1所述的干涉仪，其被配置为减少来自该层之该膨胀力或该收缩力施加至该第一波导或该第二波导之至少一者。
3.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下中的至少一者来减小该差变化：
4.根据权利要求3所述的干涉仪，其根据i)来包括以下中的至少一者：
5.根据权利要求3或4所述的干涉仪，其包括以下中的至少一者：
6.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下来减小该差变化：
7.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下来减小该差变化：
8.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过该层中之一凹槽来减小该差变化。
9.根据权利要求8所述的干涉仪，其中该凹槽与第一光学传播轴之至少部分平行伸长。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的干涉仪，其中该凹槽是一第一凹槽，且该干涉仪被配置为通过该层中之一第二凹槽来减小该差变化。
11.根据权利要求10所述的干涉仪
12.根据权利要求10或11中任一项所述的干涉仪，该第二凹槽平行于第二光学传播轴伸长。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导或该第二波导之至少一者位于该第一凹槽与该第二凹槽之间。
14.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为一被动波长滤波器。
15.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中由于来自该层之膨胀力或一收缩力之一变化之该干涉仪之一波长输出之一变化不大于0.1纳米。
16.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其包括该层与以下中的至少一者之间的一钝化层：该第一波导或该第二波导。
17.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导或该第二波导之至少一者包括一电致折射调变器。
18.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导或该第二波导之至少一者是一多量子井波导。
19.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该干涉仪是一非对称马赫-陈德尔Mach-Zehnder干涉仪。
20.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该膨胀力或该收缩力之该至少一者是由于该层之湿度、温度或年限之至少一者之一变化。
21.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该层包括聚合物介电质。
22.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该层包括聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚硅氧烷或苯并环丁烯。
23.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导或该第二波导之至少一者是弯曲的。
24.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导及该第二波导之各者是弯曲的，且该第一波导之一曲率半径不同于该第二波导之一曲率半径。
25.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其包括磷化铟。
26.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中该干涉仪位于一光子集成电路之一单块上。
27.一种光子集成电路，其包括根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪。
28.一种光子集成电路，其包括两个或更多个根据权利要求1至26中任一项所述的干涉仪。
29.一种装置，其包括根据权利要求27或28所述的光子集成电路。
30.一种制造根据权利要求1至26中任一项所述的干涉仪之方法，该方法包括：
31.一种设计一干涉仪之方法，该干涉仪被配置为根据权利要求1至26之任一项来减小该差变化。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于一光子集成电路之干涉仪，该干涉仪包括：
2.根据权利要求1所述的干涉仪，其被配置为减少来自该层之该膨胀力或该收缩力施加至该第一波导或该第二波导之至少一者。
3.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下中的至少一者来减小该差变化：
4.根据权利要求3所述的干涉仪，其根据i)来包括以下中的至少一者：
5.根据权利要求3或4所述的干涉仪，其包括以下中的至少一者：
6.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下来减小该差变化：
7.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过以下来减小该差变化：
8.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为通过该层中之一凹槽来减小该差变化。
9.根据权利要求8所述的干涉仪，其中该凹槽与第一光学传播轴之至少部分平行伸长。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的干涉仪，其中该凹槽是一第一凹槽，且该干涉仪被配置为通过该层中之一第二凹槽来减小该差变化。
11.根据权利要求10所述的干涉仪，其被配置为通过最靠近该第一凹槽之该第一波导之一表面与最靠近该第一波导之该表面之该第一凹槽之一表面之间的一第一距离不同于最靠近该第二凹槽之该第二波导之一表面与最靠近该第二波导之该表面之该第二凹槽之一表面之间的一第二距离来减小该差变化。
12.根据权利要求10或11中任一项所述的干涉仪，该第二凹槽平行于第二光学传播轴伸长。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的干涉仪，其中该第一波导或该第二波导之至少一者位于该第一凹槽与该第二凹槽之间。
14.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其被配置为一被动波长滤波器。
15.根据前述权利要求中任一项所述的干涉仪，其中由于来自该层之膨胀力或一收缩力之一变化之该干涉仪之一波长输出之一变化不大于0.1纳米。
【专利技术属性】
技术研发人员：切克·汉斯·霍克斯特拉，
申请(专利权)人：思敏光子控股有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。