【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，具体涉及一种改善翘曲和散热的封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着人们对电子产品性能的要求不断提升，半导体封装结构面向小型化、高密度、多功能、系统化的方向发展。目前现有的封装结构是通过转接板直接将芯片垂直互联，翘曲问题严重，其对于芯片集成的多元化及集成度的提高有很大的限制，在应对多种芯片或元器件的集成封装时还存在较大的难度，且产品可靠性以及散热性有待提高；另外，现有的封装工艺，工艺流程较为复杂，生产成本较高，得到的产品良率有待提高。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种改善翘曲和散热的封装结构及其制作方法。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种改善翘曲和散热的封装结构，包括硅片，所述硅片背面开设有凹槽和通孔，所述凹槽内设置有芯片ⅰ，所述通孔内填满金属，所述芯片ⅰ和金属上设置有芯片ⅱ，所述硅片正面设置有薄芯片。
4、进一步的，所述硅片正面设置有介电层，所述介电层上设置有钝化层与重布线层，最表面形成焊盘。
5、进一步的，所述硅片正面通过重布线层与薄芯片连接，所述薄芯片的厚度为50～150微米，所述重布线层与薄芯片之间空隙填充有填充材料。
6、进一步的，所述芯片ⅰ通过粘结材料固定于凹槽内，所述芯片ⅰ设置有一个或由多个堆叠放置。
7、进一步的，所述芯片ⅰ和金属与芯片ⅱ之间的空隙处填充底胶，用于改善翘曲，增加散
8、本专利技术还公开了一种改善翘曲和散热的封装结构的制作方法，包括以下步骤：
9、步骤一：在硅片表面沉积介电层，起到绝缘的作用与硅刻蚀截止层的作用；
10、步骤二：在介电层上面依次设置钝化层与重布线层，最表面形成焊盘，再键合玻璃或陶瓷材料；
11、步骤三：在硅片背面刻蚀，形成凹槽；
12、步骤四：在硅片背面刻蚀，形成通孔；
13、步骤五：将芯片ⅰ贴入凹槽内；
14、步骤六：对通孔及硅片表面进行钝化，通过电镀工艺，将通孔填满金属，并去掉表面金属，再形成重布线结构；
15、步骤七：在步骤六所得半成品表面焊接芯片ⅱ，并在二者空隙处填充底胶，改善翘曲，增加散热性；
16、步骤八：将玻璃或陶瓷材料解除，在重布线层连接薄芯片，使用填充材料填充重布线层与薄芯片之间的空隙，在焊盘上制作焊点。
17、进一步的，步骤一中，所述介电层采用氧化硅或氮化硅，厚度为0.5～2微米。
18、进一步的，步骤五中，通过粘结材料将芯片ⅰ贴入凹槽内进行固定，所述芯片ⅰ设置有一个或由多个堆叠放置，改善x和y方向上的翘曲。
19、进一步的，步骤六中，先通过沉积节点层对通孔及硅片表面进行钝化，再通过电镀工艺将通孔填满金属，去掉表面金属后，再形成重布线结构，节点层的厚度为0.5～2微米。
20、进一步的，步骤八中，所述薄芯片的厚度为50～150微米。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
22、本专利技术公开了一种改善翘曲和散热的封装结构及其制作方法，首先在硅片正面沉积一层介电层，再在介电层上面依次设置钝化层与重布线层，再键合玻璃或者陶瓷材料，有利于改善翘曲，并在硅片背面形成凹槽和通孔，再将待贴装的芯片ⅰ贴入凹槽内，再进行电镀填孔，再在表面焊接芯片ⅱ，并填充底胶，改善翘曲，增加散热性，最后将玻璃或陶瓷材料解除，在重布线层连接薄芯片，使用填充材料填充重布线层与薄芯片之间的空隙，这种设计思路能够实现die垂直方向上堆叠互连翘曲减少，同时提高产品的可靠性以及散热性，整体制作工艺简便高效，产品良率高，制作成本较低，适合进行工业化推广使用。
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1.一种改善翘曲和散热的封装结构，包括硅片，其特征在于，所述硅片背面开设有凹槽和通孔，所述凹槽内设置有芯片Ⅰ，所述通孔内填满金属，所述芯片Ⅰ和金属上设置有芯片Ⅱ，所述硅片正面设置有薄芯片。
2.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述硅片正面设置有介电层，所述介电层上设置有钝化层与重布线层，最表面形成焊盘。
3.根据权利要求2所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述硅片正面通过重布线层与薄芯片连接，所述薄芯片的厚度为50～150微米，所述重布线层与薄芯片之间空隙填充有填充材料。
4.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述芯片Ⅰ通过粘结材料固定于凹槽内，所述芯片Ⅰ设置有一个或由多个堆叠放置。
5.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述芯片Ⅰ和金属与芯片Ⅱ之间的空隙处填充底胶，用于改善翘曲，增加散热性。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种改善翘曲和散热的封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6
8.根据权利要求6所述的一种改善翘曲和散热的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤五中，通过粘结材料将芯片Ⅰ贴入凹槽内进行固定，所述芯片Ⅰ设置有一个或由多个堆叠放置，改善X和Y方向上的翘曲。
9.根据权利要求6所述的一种改善翘曲和散热的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤六中，先通过沉积节点层对通孔及硅片表面进行钝化，再通过电镀工艺将通孔填满金属，去掉表面金属后，再形成重布线结构。
10.根据权利要求6所述的一种改善翘曲和散热的封装结构的制作方法，其特征在于，步骤八中，所述薄芯片的厚度为50～150微米。
...【技术特征摘要】
1.一种改善翘曲和散热的封装结构，包括硅片，其特征在于，所述硅片背面开设有凹槽和通孔，所述凹槽内设置有芯片ⅰ，所述通孔内填满金属，所述芯片ⅰ和金属上设置有芯片ⅱ，所述硅片正面设置有薄芯片。
2.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述硅片正面设置有介电层，所述介电层上设置有钝化层与重布线层，最表面形成焊盘。
3.根据权利要求2所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述硅片正面通过重布线层与薄芯片连接，所述薄芯片的厚度为50～150微米，所述重布线层与薄芯片之间空隙填充有填充材料。
4.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述芯片ⅰ通过粘结材料固定于凹槽内，所述芯片ⅰ设置有一个或由多个堆叠放置。
5.根据权利要求1所述的一种改善翘曲和散热的封装结构，其特征在于，所述芯片ⅰ和金属与芯片ⅱ之间的空隙处填充底胶，用于改...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋子天，陈志华，马书英，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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