一种变频抗干扰介质损耗值测试仪制造技术

本技术提出了一种变频抗干扰介质损耗值测试仪，包括：测试仪本体，翻转盖，翻转盖其中一面开口，所述翻转盖开口一面的其中一边与测试仪本体其中一侧中部铰连接，翻转盖开口一面远离铰连接部位的一边转动设置有成卷的薄膜，成卷的薄膜展开后可遮挡翻转盖的开口，翻转盖翻转过程中可盖设在测试仪本体上方且测试仪本体位于翻转盖开口内侧，翻转盖翻转过程中还可翻转至测试仪本体侧面并开口朝上。本技术可以对测试仪本体起到良好的保护作用，同时可以提供相对更加稳定的测试环境，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及实验设备，尤其涉及一种变频抗干扰介质损耗值测试仪。

技术介绍

1、变频介质损耗测试仪是一种用于测量材料或物质在特定评率下的电介质损耗和介电常数的一起，介损测试仪通过在特定频率下施加交流电场，测量电介质损耗和介电常数来评估材料的电性能。

2、目前变频介质损耗测试仪通过改变主电源的工作频率，从而避开了工频电场对测试样品的干扰，很大程度解决了强电场干扰下的准确测量的问题，但是来自外界环境的干扰仍然难以避免，例如环境温度的变化、湿度变化等。而且现有技术中，介损测试仪一般是设置于固定场所，难以进行搬运，在进行现场测试的过程中，搬运不便利，而且搬运后，测试环境的变化对测试结果带来干扰影响。

3、鉴于此，如何提供一种可以提供更加稳定的测试环境的介损测试仪成为目前亟待解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提出了一种变频抗干扰介质损耗值测试仪，旨在通过结构优化改进，从而为介损测试提供更加稳定的测试环境。

2、本技术的技术方案是这样实现的：本技术提供了一种变频抗干扰介质损耗值测试仪，包括：测试仪本体，还包括：翻转盖，翻转盖其中一面开口，所述翻转盖开口一面的其中一边与测试仪本体其中一侧中部铰连接，翻转盖开口一面远离铰连接部位的一边转动设置有成卷的薄膜，成卷的薄膜展开后可遮挡翻转盖的开口，翻转盖翻转过程中可盖设在测试仪本体上方且测试仪本体位于翻转盖开口内侧，翻转盖翻转过程中还可翻转至测试仪本体侧面并开口朝上。

3、在一些实施方式中，还包括旋转侧板，翻转盖远离铰连接部位的一侧面开口设置，旋转侧板设置在该开口的侧面且旋转侧板靠近翻转盖开口内侧底面的一边与该底面边缘铰连接，所述成卷的薄膜转动设置在旋转侧板靠近翻转盖开口的一侧。

4、在一些实施方式中，还包括扭簧，所述成卷的薄膜通过扭簧转动设置在翻转盖开口一面远离铰连接部位的一边。

5、在一些实施方式中，还包括脚轮，所述测试仪本体底部四角处均安装有脚轮。

6、在一些实施方式中，还包括半导体制冷片，所述半导体制冷片固定安装在翻转盖的外侧表面。

7、在一些实施方式中，薄膜为金属编制膜。

8、在一些实施方式中，翻转盖为金属材质。

9、在一些实施方式中，翻转盖的表面覆盖有绝缘层。

10、在一些实施方式中，在翻转盖的开口边缘，设置有固定结构，固定结构可以用于对薄膜进行可拆卸固定连接。

11、在一些实施方式中，固定结构可以是挂钩，对应的在薄膜边缘设置有可与挂钩连接的结构，例如连接扣或连接环等。

12、本技术的变频抗干扰介质损耗值测试仪相对于现有技术具有以下有益效果：

13、本技术采用具有开口的翻转盖结构与测试仪本体连接，翻转盖本体既可以对测试仪本体在不使用时进行遮盖保护，又可以在使用时作为测试用屏蔽空间，配合薄膜，可以对翻转盖进行遮盖，从而形成相对独立的空间，有利于维持测试环境的稳定，从而提高测试结果的准确性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种变频抗干扰介质损耗值测试仪，包括：测试仪本体(1)，其特征在于，还包括：翻转盖(2)，翻转盖(2)其中一面开口，所述翻转盖(2)开口一面的其中一边与测试仪本体(1)其中一侧中部铰连接，翻转盖(2)开口一面远离铰连接部位的一边转动设置有成卷的薄膜(3)，成卷的薄膜(3)展开后可遮挡翻转盖(2)的开口，翻转盖(2)翻转过程中可盖设在测试仪本体(1)上方且测试仪本体(1)位于翻转盖(2)开口内侧，翻转盖(2)翻转过程中还可翻转至测试仪本体(1)侧面并开口朝上。

2.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，还包括旋转侧板(4)，翻转盖(2)远离铰连接部位的一侧面开口设置，旋转侧板(4)设置在该开口的侧面且旋转侧板(4)靠近翻转盖(2)开口内侧底面的一边与该底面边缘铰连接，所述成卷的薄膜(3)转动设置在旋转侧板(4)靠近翻转盖(2)开口的一侧。

3.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，还包括扭簧(5)，所述成卷的薄膜(3)通过扭簧(5)转动设置在翻转盖(2)开口一面远离铰连接部位的一边。

4.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，还包括脚轮(6)，所述测试仪本体(1)底部四角处均安装有脚轮(6)。

5.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，还包括半导体制冷片(7)，所述半导体制冷片(7)固定安装在翻转盖(2)的外侧表面。

6.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，所述薄膜(3)为金属编制膜。

7.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，所述翻转盖(2)为金属材质。

8.如权利要求7所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，所述翻转盖(2)的表面覆盖有绝缘层(21)。

...

【技术特征摘要】

1.一种变频抗干扰介质损耗值测试仪，包括：测试仪本体(1)，其特征在于，还包括：翻转盖(2)，翻转盖(2)其中一面开口，所述翻转盖(2)开口一面的其中一边与测试仪本体(1)其中一侧中部铰连接，翻转盖(2)开口一面远离铰连接部位的一边转动设置有成卷的薄膜(3)，成卷的薄膜(3)展开后可遮挡翻转盖(2)的开口，翻转盖(2)翻转过程中可盖设在测试仪本体(1)上方且测试仪本体(1)位于翻转盖(2)开口内侧，翻转盖(2)翻转过程中还可翻转至测试仪本体(1)侧面并开口朝上。

2.如权利要求1所述的变频抗干扰介质损耗值测试仪，其特征在于，还包括旋转侧板(4)，翻转盖(2)远离铰连接部位的一侧面开口设置，旋转侧板(4)设置在该开口的侧面且旋转侧板(4)靠近翻转盖(2)开口内侧底面的一边与该底面边缘铰连接，所述成卷的薄膜(3)转动设置在旋转侧板(4)靠近翻转盖(2)开口的一侧。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文龙，
申请(专利权)人：扬州市苏中电力设备有限公司，
类型：新型
国别省市：