【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电感制造领域，尤其涉及一种三维电感制作方法和滤波器。
技术介绍
1、三维电感是一种利用三维空间来实现更高电感值的电感器设计。三维电感可以在更小的占用面积内实现所需的电感量，这对于集成电路应用中实现片上电感器尤其重要。
2、目前基于ipd工艺实现高q值的三维电感常用手段主要是通过玻璃通孔（throughglass via，tgv)）和硅通孔（(through-silicon via, tsv）技术实现，实现原理是先制作平面电极，然后接着在衬底上孔并孔内注入金属实现电极的连通；然而，这两种方式依赖于先进的半导体设备，且所实现的电感成本较高，感值较小，体积较大，自谐振频率较低，限制了目前射频器件小型化发展的趋势，因而亟需改进。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种三维电感制作方法和滤波器，用以解决现有技术中的三维电感制造工艺繁琐且三维电感性能差的缺陷，实现了将引线键合工艺与部分mems工艺流程相结合制造高性能的三维电感。
2、根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供了一种三维电感制作方法，所述方法包括：
3、在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，其中，多个第一平面电极依次间隔排列且互不连通；
4、对每个第一平面电极，将靠近衬底上边缘的端部作为第一键合点，从靠近衬底下边缘的端部作为第二键合点；
5、利用引线键合工艺，将每个第一平面电极的第一键合点与后一个第一平面电极的第二键合点连通或者将每个第一平面电极的第二键合点
6、根据本专利技术的三维电感制作方法，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
7、将垂直于衬底厚度方向的一个表面作为目标平面；
8、利用光刻工艺将掩膜版上多个间隔排布的电极图形转移到所述目标平面上，以使所述目标平面上除多个电极图形对应区域以外均覆盖光刻胶；
9、利用电镀工艺在未覆盖光刻胶的区域覆盖预设厚度的金属形成多个第一平面电极；
10、在电镀完后将覆盖在所述目标平面的光刻胶去除。
11、根据本专利技术的三维电感制作方法，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
12、在衬底垂直于衬底厚度方向的一个表面上向衬底内部开设底部为平面的凹槽，并将所述凹槽的底面作为所述目标平面；
13、利用光刻工艺将掩膜版上多个间隔排布的电极图形转移到所述目标平面上，以使所述目标平面上除多个电极图形对应区域以外均覆盖光刻胶；
14、利用电镀工艺在未覆盖光刻胶的区域覆盖预设厚度的金属形成多个第一平面电极；
15、在电镀完后将覆盖在所述目标平面的光刻胶去除。
16、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述掩膜版上多个电极图形均相同，每个电极图形距离掩膜版上边缘和掩膜版下边缘的距离均相等，且任意相邻的两个电极图形的间距均相同。
17、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述方法还包括：
18、在衬底的目标平面上制作两个第二平面电极，其中，一个第二平面电极靠近首个第一平面电极的一侧，另一个第二平面电极靠近最后一个第一平面电极；
19、利用引线键合工艺，将两个第二平面电极分别与最近第一平面电极的裸露端部连通。
20、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述方法还包括：
21、在衬底的目标平面上制作包围多个第一平面电极的第三平面电极，其中，所述第三平面电极设置有令两个第二平面电极伸出所述第三平面电极的两个开口。
22、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述引线键合工艺中连接任意第一键合点和第二键合点的键合线呈弧形，且弧形键合线朝向所述目标平面一侧弯曲。
23、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述弧形键合线的弧高最高点在两个键合点距离的 至 处。
24、根据本专利技术的三维电感制作方法，所述引线键合工艺为金丝键合、铝丝键合和铜丝键合中的任意一种。
25、所述滤波器包括电容和电感，所述电感采用权利要求1-9任意一项所述三维电感制作方法制得。
26、根据本专利技术的第二方面，本专利技术还提供了一种滤波器，所述滤波器包括电容和电感，所述电感采用以上所述三维电感制作方法制得。
27、本专利技术提供的一种三维电感制作方法，通过先在衬底的目标平面上制作依次间隔排列的多个第一平面电极，然后根据各个第一平面电极与衬底上下边缘的位置关系找到两个键合点，最后高于目标平面的区域采用引线键合工艺将多个间隔的第一平面电极连通形成三维电感，不仅能够提升电感密度及电感值，还极大的简化制备电感的工艺降低制造成本，所制得的三维电感具有较好的性能。
28、此外，本专利技术提供的一种滤波器，同样能实现上述技术效果，这里不再赘述。
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1.一种三维电感制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
3.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
4.根据权利要求2或3所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述掩膜版上多个电极图形均相同，每个电极图形距离掩膜版上边缘和掩膜版下边缘的距离均相等，且任意相邻的两个电极图形的间距均相同。
5.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求1或5所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述引线键合工艺中连接任意第一键合点和第二键合点的键合线呈弧形，且弧形键合线朝向所述目标平面一侧弯曲。
8.根据权利要求7所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述弧形键合线的弧高最高点在两个键合点距离的至处。
9.根据权利要求1或5所述的三维电感制作方
10.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括电容和电感，所述电感采用权利要求1-9任意一项所述三维电感制作方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种三维电感制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
3.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，在衬底的目标平面上制作多个第一平面电极，包括：
4.根据权利要求2或3所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述掩膜版上多个电极图形均相同，每个电极图形距离掩膜版上边缘和掩膜版下边缘的距离均相等，且任意相邻的两个电极图形的间距均相同。
5.根据权利要求1所述的三维电感制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：高顺良，欧毅，张永斌，张浩，孙学艳，张智鹏，李雨航，吴沛，项超，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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