【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下操作来制造：在半导体衬底上方顺序沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体行业继续通过不断减小最小部件尺寸来提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的附加问题。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一半导体纳米结构，包括第一半导体材料；第二半导体纳米结构，包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料，第二半导体纳米结构设置在第一半导体纳米结构之上；第一栅极结构，围绕第一半导体纳米结构，第一栅极结构包括第一功函数调谐金属；以及第二栅极结构，围绕第二半导体纳米结构，第二栅极结构包括第二功函数调谐金属，第二功函数调谐金属不同于第一功函数调谐金属，第二栅极结构设置在第一栅极结构之上。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：下部半导体纳米结构，包括第一半导体材料；下部外延源极/漏极区，邻近下部半导体纳米结构，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；上部半导体纳米结构，包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及上部外延源极/漏极区，邻近上部半导体
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成下部半导体纳米结构、下部伪纳米结构、上部半导体纳米结构和上部伪纳米结构，下部半导体纳米结构和上部伪纳米结构由第一半导体材料形成，上部半导体纳米结构和下部伪纳米结构由第二半导体材料形成；用下部介电结构替换下部伪纳米结构，下部介电结构由第一介电材料形成；用上部介电结构替换上部伪纳米结构，上部介电结构由第一介电材料形成；以及利用蚀刻工艺去除下部介电结构和上部介电结构，蚀刻工艺以比第一半导体材料和第二半导体材料更快的速率选择性地蚀刻第一介电材料。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅锗，所述第二半导体材料是硅，所述第一功函数调谐金属是p型功函数调谐金属，并且所述第二功函数调谐金属是n型功函数调谐金属。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅，所述第二半导体材料是锗硅，所述第一功函数调谐金属是n型功函数调谐金属，并且所述第二功函数调谐金属是p型功函数调谐金属。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
7.一种半导体器件，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅锗，所述第二半导体材料是硅，所述下部外延源极/漏极区是p型源极/漏极区，并且所述上部外延源极/漏极区是n型源极/漏极区。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅，所述第二半导体材料是锗硅，所述下部外延源极/漏极区是n型源极/漏极区，并且所述上
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅锗，所述第二半导体材料是硅，所述第一功函数调谐金属是p型功函数调谐金属，并且所述第二功函数调谐金属是n型功函数调谐金属。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅，所述第二半导体材料是锗硅，所述第一功函数调谐金属是n型功函数调谐金属，并且所述第二功函数调谐金属是p型功函数调谐金属。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：吕育玮，佐野谦一，林执中，李芳苇，匡佳谦，罗伊辰，林佛儒，林立德，林斌彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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